瓷片电容怎么看大小

85℃—125℃电容器、4V-2000V01UF-680000UF电解电容器、法拉电容、低漏电电容、高压高容量电容、高频低阻电容、急充放电电容；PET电解电容；6P环保电解电容；卧式轴向电解电容；耐温长寿命电容器；牛角型电解电容器；螺栓型电解电容器；超小型电解电容器；NP卧式电解电容器；SA卧式电解电容器；NP立式电解电容器；大型牛角电解电容器；汽车系列电解电容器；军工电解电容；军工级别电解电容；军工品电解电容；优质电解电；并联电容器；滤波电容；支撑电容；薄膜电容,储能电容、电焊机电容、变频器电容、
LED用、贴片电容、模块电容；
定做各类：特大型无极性电容、特殊规格电容、超大电容。
自主产品：A-CAP铝电解电容器
代理品牌：日立HCG系列、日立螺栓型电解电容、黑金刚电容、EPCOS铝电解电容器，CDE电容、RUBYCON电容（红宝石电容）韩国三和等。
400V|1000UF电容 电解电容 400V|1000u电容器 铝电解电容
400V|1200UF电容 电解电容 400V|1200u电容器 铝电解电容
400V|1500UF电容 电解电容 400V|1500u电容器 铝电解电容
400V|1800UF电容 电解电容 400V|1800u电容器 铝电解电容
400V|2200UF电容 电解电容 400V|2200u电容器 铝电解电容
400V|2700UF电容 电解电容 400V|2700u电容器 铝电解电容
400V|3300UF电容 电解电容 400V|3300u电容器 铝电解电容
400V|3900UF电容 电解电容 400V|3900u电容器 铝电解电容
400V|4700UF电容 电解电容 400V|4700u电容器 铝电解电容
400V|5600UF电容 电解电容 400V|5600u电容器 铝电解电容
400V|6800UF电容 电解电容 400V|6800u电容器 铝电解电容
400V|8200UF电容 电解电容 400V|8200u电容器 铝电解电容
400V|10000UF电容 电解电容 400V|10000u电容器 铝电解电容
420V330uF电容 电解电容
450V100uF电容 电解电容
450V130uF电容 电解电容
450V150uF电容 电解电容
450V220uF电容 电解电容
450V330uF电容 电解电容
450V390uF电容 电解电容
450V470uF电容 电解电容
450V560uF电容 电解电容
450C|1000UF电容 电解电容 450V|1000u电容器 铝电解电容
450C|1200UF电容 电解电容 450V|1200u电容器 铝电解电容
450V|1500UF电容 电解电容 450V|1500u电容器 铝电解电容
450V|1800UF电容 电解电容 450V|1800u电容器 铝电解电容
450V|2200UF电容 电解电容 450V|2200u电容器 铝电解电容
450V|2700UF电容 电解电容 450V|2700u电容器 铝电解电容
450V|3300UF电容 电解电容 450V|3300u电容器 铝电解电容
450V|3900UF电容 电解电容 450V|3900u电容器 铝电解电容
450V|4700UF电容 电解电容 450V|4700u电容器 铝电解电容
450V|5600UF电容 电解电容 450V|5600u电容器 铝电解电容
450V|6800UF电容 电解电容 450V|6800u电容器 铝电解电容
450V|8200UF电容 电解电容 450V|8200u电容器 铝电解电容
450V|10000UF电容 电解电容 450V|10000u电容器 铝电解电容
450V|12000UF电容 电解电容 450V|12000u电容器 铝电解电容
450V|15000UF电容 电解电容 450V|15000u电容器 铝电解电容

332M为3300pF=33nF=00033μF，M——III级精度——误差±20%。
331为330pF=033nF=000033μF
68为68pF
682为6800pF=68nF=00068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=01μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =068μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：10V G： 40V B:：125V W:：45V C:：16V H:：50V D： 20V
J:：63V E:：25V K:：80V F:：315V Z:：90V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为10×10^2=100V； 2J就表示耐压为63×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——005级——±05%；
F——01级——±1%；
G——02级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。

陶瓷电容器是介质材料为陶瓷的电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类
按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种
电容就像水杯一样，越大的水杯，装的水越多
电容尺寸越大，容量越大
电容的容量单位是F，基本单位还有pF、nF和uF
电容中存储的电量是“容值x电压”
这个电压指的是耐压值，就是电容能充电充到多少伏
电量和容值成正比，和电压成正比，和体积也成正比
一般陶瓷电容起步容量有05pF的，并且根据瓷片的不同尺寸和容量也会不同，常用的0402电容大一般是10uF，0805的电容大一般是47uF
大容量可达100UF，例如日本的一间公司成功研制出电容量大为100μF，高耐压为25V的大容量陶瓷电容，该产品可用于液晶显示器的电源线路
选购电容器不能一味的选择大容量，选择合适的才是正确的，例如0402电容可以做到10uF10V，0805的电容可以做到47uF10V，但是为了好采购、成本低，一般都不会顶格选电容，一般推荐0402选47uF，0603选10uF，0805选22uF
因此一定要结合自身电路需求去选择合适的电容器，不要盲目选择大容量的电容

瓷片只插件薄膜型陶瓷电容，分类：
1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。
2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。
3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。
至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。
通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容。
一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF，尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。
钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。

电路图识别之磁珠和电感的区别篇
可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：
磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。
电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。
电阻器识别电阻
电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：
色别 第一位色环
（电阻值的第一位） 第二位色环
（电阻值的第二位） 第三位色环
（乘10的倍数） 第四位色环
（表误差）
棕
1
1
10
--
红 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黄 4 4 10000 --
绿 5 5 100000 --
蓝 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 01 +-005
银 -- -- 001 +-01
无色 -- -- -- +-02
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的
电容的基础知识
电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
电容的外形
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。有的数值，只限电解电容用。
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。
基础知识之上下拉电阻:
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为35V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。
常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、33V系列，25V系列和18V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·33V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有25V和18V两种。
1，TTL电平：
输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是04V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 33v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
6 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。
7还有
电路图中Vcc和Vdd的解释
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路
IC定义
IC ＝ Integrated circuit
集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。