开关电源选用陶瓷电容器和薄膜电容器哪一种好

你测量的时候先短接一下放电。这是必须的，即使你没给这个电容充过电，由于环境电场也会使其带上电(哪怕是很微弱）。这样当表笔的正负极性和电容的电荷极性相反时，测量结果就会出现负值。我在实际工作中经常遇到这种情况。

HI，您好，我之前有做MLCC的客服工程师：
据以上的介绍，推测这个电容内部产生了裂痕，两种情况：
1、热冲击裂痕；2、外力裂痕；
某些内部裂痕的产生，刚开始不会对电容的性能造成影响，但一段时间后会因外部湿气的进入导致漏电不良。但以烙铁将失效品加热后，湿气跑出来，电性能又会暂时性的恢复。从你所说的单独剪下来的话电容值会有较大的下降，这可能是由于内部断层引起。

不知你所述的电容是何材质：X7R或Y5V？
产品内部裂痕只能做切片分析方可发现，建议你将电容返回原厂分析。
另外在未找到真因时，建议您不要将已恢复的不良品放行。

CBB 电容楼上已经说了，
X电容是安规电容的一种，根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容，火线零线间的是X电容。X电容用在电源滤波器里，起到电源滤波作用，对差模干扰起滤波作用。
Y电容用来消除共模干扰。也是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。基于漏电流的限制，Y电容值不能太大。

X电容Y电容都是安全电容，区别是X电容接在输入线两端用来消除差模干扰，Y电容接在输入线和地线之间，用来消除共模干扰。
X电容---金属薄膜电容器；通常,X电容多选用耐纹波电流比较大的聚脂薄膜类电容。这种类型的电容,体积较大,但其允许瞬间充放电的电流也很大,而其内阻相应较小。X电容采用塑封的方形高压CBB电容，CBB电容不但有更好的电气性能，而且与电源的输入端并联可以有效的减小高频脉冲对电源的影响。
Y电容---常采用高压瓷片的。Y型电容连接在相线与地线之间。为了不超过相关安全标准限定的地线允许泄漏值，这些电容的值大约在几nF。一般地，Y电容应连接到噪声干扰较大的导线上。Y1属于双绝缘Y电容,用于跨接一二次侧Y2则属于基本单绝缘Y电容,用于跨接一次侧对地保护即FG线。
X电容Y电容统称为安规电容，安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。

由此可见，X电容是CBB电容的一种（要达到安规标准），但不是说任何一种CBB电容就能做X电容。而Y电容是一种高压瓷片电容，就不属于CBB电容范畴了。

你好！损耗角的正切（TAN），相当于无功功率和有功功率的比值，这个值跟电容的品质以及发热量有关系，这个值越小电容性能越好。漏电流值：无论绝缘体多大，总是会有细微的电流漏过电容，这个值则代表具体漏过的多少。 此外，ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展，现在的高档电解电容，其ESL特性一般都很好，到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别，因此也就失去了比较的意义。 电容ESR的意义 ESR缘何重要？ 首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数，很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征，也就是ESR值很小的意思。那么，我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢？由于现在电子技术的发展，供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势，例如INTEL、AMD的最新款CPU，电压均小于2V，相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是，另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增，需求的功耗却是有增无减，因此按P=UI的公式来计算，这些设备对电流的要求就越来越高了。 例如两颗功耗同样是70W的CPU，前者电压是33V，后者电压是18V。那么，前者的电流就是I=P/U=70W/33V大约在212A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/18V=389A，达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下，假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围，那么就会产生比以往更高的涟波电压（理想的输出直流电压应该是一条水平线，而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷）。 此外，即使是相同的涟波电压，对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于33V的CPU而言，02V涟波电压所占比例较小，还不足以形成致命的影响，但是对于18V的CPU而言，同样是02V的涟波电压，其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。 那么ESR值与涟波电压的关系何在呢？我们可以用以下公式表示： V=R（ESR）×I 这个公式中的V就表示涟波电压，而R表示电容的ESR，I表示电流。可以看到，当电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高，采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容，越来越强调LOW ESR的缘故。上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源，将输入的5V直流电转换为33V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器，目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。 而上图的表格则表明了，在L/C部分使用不同种类电容的情况下，这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出，具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容（左边），其消除涟波电压的性能最强，钽二氧化锰电容（右边）性能次之，铝电解液电容（中间）表现最差。同时最后的数值还将受温度影响，这点我们还将在后面详细说明。 温度与电容性能的密切关系 电容的性能并非一成不变，而是会受到环境的影响，而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中，采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容，受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极，例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中，只有电解液采用离子导电方式，而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言，温度越高，其离子活动越强，电离程度也越强。因此，在温度不超过额定限度的前提下，电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。 上图代表25摄氏度下，三种电容降低涟波电压的能力（电路可以以上一章节中的电路图为参考）。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容（1颗，100μF，ESR=40毫欧姆）），第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容（3颗并联），第三个表格使用的是低阻抗钽电容（2颗并联）。 从表格中可以看出，在25摄氏度的常温状态下，三者所产生的涟波电压分别是228/238/248mV。也就是说，1颗铝固体聚合物导体电容，在25摄氏度下降低涟波电压的能力，大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。 上图同样是这三种电容，同一电路，在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大，依然保持在24~25mV左右，但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了164mV，这时只需要并联两颗这种电容，即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平，其性能提升巨大。 下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出，在低温环境下，铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的238mV猛增到了576mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值，需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出，铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能，无论是在25度、70度还是-20度环境下，其波动都不大。 从以上分析我们不难看出，铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容，在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容（蓝色线）随温度（Y轴）的增加，ESR值（X轴）降低明显。而铝固体聚合物导体电容（紫色线）和钽电容（绿色线）以及高档陶瓷电容（红色线）则近似于直线，其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容（粉红线）则受温度影响较大。 这里需要说明的是，上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容，其容量较小（只有100μF），而且ESR并不太低（40毫欧）。如换上大容量，ESR更低的同类产品，最终性能表现将更加突出。贴片铝电解电容（东莞荣誉牌）
RVT系列-宽温度品-105℃-1000小时
特点：
A、工作温度范围宽(-55℃～+105℃),105℃标准品
B、适用于高密度组装
C、性能稳定、可靠性高
D荣誉指令已对应完毕

主要技术性能：
使用温度范围：-55℃～+105℃
额定电压范围：63V-100V DC
标称电容量范围：047-1500uf
标准电容量允许偏差：±20%(120Hz,20℃
漏电流(20℃):1≤001CrUr(uA)或3uA取较大者(2分钟）

耐久性：+105℃施加额定电压1000小时，恢复16小时后，电容器应满足下要求
1电容量变化率≤±30%初始值为内
2漏电流值≤初始规定值
3损耗角正确值≤±300%初始规定值

高温存储：+105℃，1000小时，恢复16小时后，电容器应满足下要求
1电容量变化率≤±30%初始值为内
2漏电流值≤2倍初始规定值
3损耗角正确值≤±300%初始规定值

耐焊接热：在250℃的条件下，电容器应在热板上保持30秒，然后从热板上取出电容器，让其在温室下恢复，电容器应满足一下要求。
1电容量变化率≤±10%初始值为内
2漏电流值≤初始规定值
3损耗角正确值≤初始规定值

两种电容都标104说明容量是一样的，104是三位式容量标示法，104＝10000pF，也就是10nF。虽说容量一样，对于高频旁路电容等有着严格的使用要求，不同的场合不同的电路使用是有所限制的。瓷介电容和贴片电容不说其它的，本身也都有着耐压级别的不同，最好是换回一样的，