陶瓷电容的作用及特点
陶瓷具有绝缘性是众所周知的，所以它就被广泛的应用于电子、电器以及防触电的等等行业。但是要知道在电路中，肯定不是直接将它放在电路中使用的，而是制作成一些元件。而其中的一个应用比较广泛的就是陶瓷电容呢，那么陶瓷电容又是什么呢它又有哪些作用呢在哪些电器中有陶瓷电容内容小编来为小伙伴们讲解一下吧!
陶瓷电容
陶瓷电容也叫陶瓷电容器，是将陶瓷当做电的介质，并且在陶瓷的表面涂上银层，还要经过一定的低温处理，而形成银质薄膜，那么银质薄膜就成了一个极板。它的外形一般是片状，也会根据需要制成管形、圆形等。并且不同的电容器有着不同的作用，一般电容器都是具有对电力系统的一些电量计量，储存电能、分压等等作用。
陶瓷电容的特点
陶瓷电容也分为高频陶瓷电容和低频陶瓷电容两种。并且两种陶瓷电容都是具有比较好的稳定性、绝缘性以及耐高压性的特点。并且在一些比较恶劣的环境中，还是能够正常的工作的。但是一般陶瓷电容的容量都是比较小的。
高频陶瓷电容：它具有比较小的正电容温度系数，一般是应用于高稳定的震荡回路中，并且充当回路电容和垫整电容的作用。
低频陶瓷电容：它的使用范围比较有限制，一般都是限于在工作频率比较低的回路中使用，或者是在对稳定性要求不高的回路中使用。
陶瓷电容的作用
在使用中，一般是高频陶瓷电容的使用比较广泛。在很多大功率、高压领域都是用求使用高频陶瓷电容的。而在这几年，随着人们对材料的应用，对电极和制造技术都是有很大的改变的。而陶瓷电容也是有很大的改变的，在我们生活中的应用更是广泛，并且已经成为很多电子产品中不可缺少的一个电子元件。特别是在一些比较大的电器中，它的作用是非常重要的。
陶瓷电容还有很多作用，它已经深入我们的生活当中，担当起了一个不可替代的角色。而并不仅仅是陶瓷电容，生活中还有着许许多多的像这样默默无闻的小件，需要我们去粗略的了解一下，我们在遇到问题的时候才能够有应对方法。
土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：正常情况下使用高压陶瓷电容是不会发生烧坏现象的，那么在什么状态下高压陶瓷电容会发生烧坏现象呢？一：潮湿对电参数恶化的影响。空气中温度过高，会使高压陶瓷电容的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温，高湿环境对瓷片电容的损坏影响较大。二：银离子的迁移。无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解。产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银。由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致高压陶瓷电容损坏或击穿。三：有的高压陶瓷电容，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸。四：从单颗陶瓷电容分析，电容碰到了强大的电流，导致内部材料发热，散热不及时，造成热击穿损坏。智旭电子高压陶瓷电容外观小巧，精莹剔透，粉涂均匀，还可以为客人需求订制观型尺寸。
使用指针万用表的电阻，多少
RX10K
RX1K
RX100
RX10
RX1
瓷片电容是没有正负极的，在电容中我们都学过，只有电解电容才分正负极性，而瓷片电容以及其它电容是没有极性的，通过使用万用表RX1K挡检测，因为使用指针万用表RX10K挡检测元件很容易损坏元件，因为RX10K挡是使用指针万用表内部9V电池，如果检测元件话，将表笔接在元件两端相当于给元件加了一个9V电压，此时9V电压产生的电流会很大，很容易击穿被测元件，所以，可以通过使用RX1K或RX10或RX1检测元件，不介意使用RX10K和RX100两个档位，我们都知道，在MF-47指针表中，有两块电池，一块15V一块9V，电阻挡是分为五个量程，其中RX10K电阻挡使用万用表内部的9V电池，RX1K
RX100
RX10
RX1四个档位共用内部15V电池，即使共用内部15V电池，但每个档位的电流是不同的，所以检测元件一定要选好电阻挡档位，即使RX1K
RX100
RX10
RX1四个档位都是15V的电源，同样能给元件加上15V电压，但流过被测元件的电流是不同的，有的档位流过被测元件电流大很容易烧掉被测元件，比如RX10K使用内部9V电池，接在被测元件两端流过被测元件电流肯定很大，其次就是RX100,即使RX100使用的是万用表内部15V电池，但它的电流是比RX1K和RX10以及RX1要大的，所以检测元器件，最好使用,RX1K，RX10,RX1三个档位检测，RX10K多数是检测阻值非常大的电阻，由于电阻阻值比较大，使用RX10K电阻挡相当于给电阻两端加上一个9V电压，流过大阻值的电阻的电流基本上都被电阻阻碍了，所以使用RX10K电阻挡是专门用来测量阻值非常大的电阻用的，而不是检测元件用的，这点一定要分清楚。
讲一下，电阻挡的测量原理：电阻挡是在万用表里唯一一个使用电池工作的档位，而直流电压挡，交流电压挡，直流电流挡都是不用电池工作的，这三个档位都是通过吸收外界电路中的电流，电压，来进行测量的，而电阻挡是通过万用表内部电池，与万用表电阻挡等效电阻，在与外界被测电阻构成一个闭合回路，通过流过被测电阻的电流来判断被测电阻的阻值。如果被测电阻阻值越大，则流过被测电阻的电流就越小，这时候表针偏转的幅度也就越小（说明被测电阻阻值很大）如果被测电阻的阻值很小则流过被测电阻的电流就越大，这时候表针偏转的幅度也就越大，（这说明被测电阻的阻值很小），通过这个原理实现测量电阻的阻值，以及检查元件的好坏，检查元件也是通过这个原理实现的，通过万用表内部9V电池和15V电池，产生的电流流过被测元件的某两个管脚，如果该元件击穿的话，是没有电阻值的，这时候相当于一条没有阻值的线路，这时候表针偏转到最大也就是0Ω，如果被测元件开路的话，相当于是断了，这时候就没有电流信号通过表头，因为被测元件开路了，没有电流信号流过被测元件，这时候没有构成一个闭合回路，只是在被测元件两端加上电压，但没有电流流过元件，这时候表针就不动，说明被测元件开路。
电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。
电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连线成整体。
电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。
基本介绍 中文名 ：电容 外文名 ：Capacitance 别称 ：电容量 国际单位 ：法拉（F） 定义,单位及转换,计算公式,电容的作用,万用表检测电容,电容的种类, 定义 电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。 电容的符号是C。 C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U 单位及转换 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是： 1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF） 1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。 电容与电池容量的关系： 1伏安时=1瓦时=3600焦耳 W=05CUU 计算公式 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。 定义式： 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联：C=（C1C2C3）/（C1C2+C2C3+C1C3） 电容的作用 1）旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连线处在通过大电流毛刺时的电压降。 2）去耦 去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是晶片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。 去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。 将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取01μF、001μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。 3）滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 4）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 万用表检测电容 用数字万用表检测电容器，可按以下方法进行。 一、用电容档直接检测 某些数字万用表具有测量电容的功能，其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔，选取适当的量程后就可读取显示数据。 2000p档，宜于测量小于2000pF的电容；20n档，宜于测量2000pF至20nF之间的电容；200n档，宜于测量20nF至200nF之间的电容；2μ档，宜于测量200nF至2μF之间的电容；20μ档，宜于测量2μF至20μF之间的电容。 经验证明，有些型号的数字万用表（例如DT890B+）在测量50pF以下的小容量电容器时误差较大，测量20pF以下电容几乎没有参考价值。此时可采用串联法测量小值电容。方法是：先找一只220pF左右的电容，用数字万用表测出其实际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2，则两者之差（C1－C2）即是待测小电容的容量。用此法测量1～20pF的小容量电容很准确。 二、用电阻档检测 实践证明，利用数字万用表也可观察电容器的充电过程，这实际上是以离散的数字量反映充电电压的变化情况。设数字万用表的测量速率为n次/秒，则在观察电容器的充电过程中，每秒钟即可看到n个彼此独立且依次增大的读数。根据数字万用表的这一显示特点，可以检测电容器的好坏和估测电容量的大小。下面介绍的是使用数字万用表电阻档检测电容器的方法，对于未设定电容档的仪表很有实用价值。此方法适用于测量01μF～几千微法的大容量电容器。 三、用电压档检测 用数字万用表直流电压档检测电容器，实际上是一种间接测量法，此法可测量220pF～1μF的小容量电容器，并且能精确测出电容器漏电流的大小。 电容的种类 电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 无极性可变电容 制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质 优点：容易生产，技术含量低。 缺点：体积大，容量小 用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路 无极性无感 CBB 电容 制作工艺：2层聚丙乙烯塑胶和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 优点：无感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。 用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦 无极性 CBB 电容 制作工艺：2层聚乙烯塑胶和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 优点：有感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。 用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦 无极性瓷片电容 制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。 优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容） 缺点：易碎，容量低 用途：高频震荡、谐振、退耦、音响 无极性云母电容 制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜 优点：容易生产，技术含量低。 缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感 用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响 有极性电解电容 制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。 优点：容量大。 缺点：高频特性不好。 用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响 钽电容 制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。 优点：稳定性好，容量大，高频特性好。 缺点：造价高。 用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路 聚酯（涤纶）电容 符号：CL 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 套用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 聚苯乙烯电容 符号：CB 电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 套用：对稳定性和损耗要求较高的电路 聚丙烯电容 符号：CBB 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 套用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 云母电容 符号：CY 电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 套用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 高频瓷介电容 符号：CC 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 套用：高频电路 低频瓷介电容 符号：CT 电容量：10p--4。7u 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 套用：要求不高的低频电路 玻璃釉电容 符号：CI 电容量：10p--0。1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 套用：脉冲、耦合、旁路等电路 铝电解电容 符号：CD 电容量：0。47--10000u 额定电压：6。3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 套用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 钽电解电容（ CA ）、铌电解电容（ CN ） 电容量：0。1--1000u 额定电压：6。3--125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 套用：在要求高的电路中代替铝电解电容 空气介质可变电容器 可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等 套用：电子仪器，广播电视设备等 薄膜介质可变电容器 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 套用：通讯，广播接收机等 薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小 套用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小 套用：精密调谐的高频振荡回路
