高压陶瓷电容 102K 2KV 是什么意思

102 前面的两位为实数 第3位为零的位数 102 对应就是 1000 单位是pf 后面的K 是表示精度 K 是指10% 的精度 2KV 就好理解了 就是指这个电容的耐压能力 是2000V的额定耐压 至于HRR 我不是很明白，我猜应该是指的瓷片电容,我给你找了一个公司的网站，他说的很详细，你可以参考一下>

如今这个时代是属于电力的时代，而依托着电力这个强大的载体，也产生了众多的分支和不计其数的创造，从半导体到集成芯片等等的创造，无不让这个社会发生着日新月异的改变。而众多的小元器件也与我们的生活息息相关，有人需要研究它，而有人需要创造它，更多的人需要使用它，瓷片电容就是一种这样的器件，今天我们一起来看看瓷片电容的耐压问题。

电容的标称及识别方法：

1直标法：如果数字是0001，那它代表的是0001uF=1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

2不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，05为05pF

3色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV。

电容的容量标识的几种方法：

一、直接标识：如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。

二、使用单位nf：如上图的涤纶电容，标称4n7，即47nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即001uf;33n，即0033uf。后面的63是指电容耐压63v

三、数学计数法：如瓷介电容，标值104，容量就是： 10x10000pf=01uf如果标值473，即为47X1000pf=0047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。又如：332=33X100pf=3300pf。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。

电容识别：

1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

2、电容识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=10 3毫法=10 6微法=10 9纳法=10 12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022 uF

3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。

那么上述就是如何识别瓷片电容的一些参数的方法，笔者总结的还是比较全面的，相信可以帮助有不同需求上的朋友。而这类器件，我们讲参数决定一切，质量决定一切，意思就是，必须选好刚刚好的参数，否则是无效的，或者讲不能用。那么各位再选购的时候一定需要注意，识别相关的电容等要细致，那么今天的瓷片电容识别的方法就给大家介绍到这里。

土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠陶瓷材料有几个种类自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%