陶瓷电容和电解电容有什么区别和作用
一、二者区别:电解电容,和独石胆电解电容,它采用硫酸做绝缘介质,可以将较大的容量做成较小的体积,并在上面标有+的符号,有的标有 -的符号,一般做低频交联和旁路滤波用,缺点是介子损耗大一些,独石电解电容,由于采用特殊的材料,性能优于普通电解,频率特性较好,但容量不能做的太大,可用于精确地电路中,如振荡、或定时电路。陶瓷电容有瓷介电容、瓷片电容、瓷管电容、陶瓷半可变电容几种。主要是无极性,介质材料较好,容量不能做的太大。适用高频电路。二、电容的简单介绍:电容器,通常简称其容纳电荷的本领为电容,用字母C表示。定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。电容与电容器不同。电容为基本物理量,符号C,单位为F(法拉)。
如今这个时代是属于电力的时代,而依托着电力这个强大的载体,也产生了众多的分支和不计其数的创造,从半导体到集成芯片等等的创造,无不让这个社会发生着日新月异的改变。而众多的小元器件也与我们的生活息息相关,有人需要研究它,而有人需要创造它,更多的人需要使用它,瓷片电容就是一种这样的器件,今天我们一起来看看瓷片电容的耐压问题。
电容的标称及识别方法:
1直标法:如果数字是0001,那它代表的是0001uF=1nF,如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。
2不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,容量单位为pF,如350为350pF,3为3pF,05为05pF
3色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器,普通瓷片电容器耐压过去标准是50V,高压瓷片电容器有几百伏的,有几千伏的,一般在容值下面标出XXKV。
电容的容量标识的几种方法:
一、直接标识:如其电解电容,容量47uf,电容耐压25v。
二、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即47nf,转换为pf即为4700pf。还有的例如:10n,即001uf;33n,即0033uf。后面的63是指电容耐压63v
三、数学计数法:如瓷介电容,标值104,容量就是: 10x10000pf=01uf如果标值473,即为47X1000pf=0047uf。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。 电容的使用,都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品,就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。
电容识别:
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、电容识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10 3毫法=10 6微法=10 9纳法=10 12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。 如:102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022 uF
3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。
那么上述就是如何识别瓷片电容的一些参数的方法,笔者总结的还是比较全面的,相信可以帮助有不同需求上的朋友。而这类器件,我们讲参数决定一切,质量决定一切,意思就是,必须选好刚刚好的参数,否则是无效的,或者讲不能用。那么各位再选购的时候一定需要注意,识别相关的电容等要细致,那么今天的瓷片电容识别的方法就给大家介绍到这里。
土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”,还有装修避坑攻略!点击此链接:本公司除了提供性能卓越的射频RF 元器件外,还致力於为客户提供精确和完整的性3 y) i" F! z; B能资料。为了达到这个目标,这篇文章裏我们详细的讨论Q和ESR的测量方法和理解。2 _3 P9 K1 N+ P$ @$ M7 I理论上,一个“完美”的电容器应该表现为ESR为零欧姆、纯容抗性的无阻抗元件。不论$ H$ ~3 d6 d l6 m/ B/ p何种频率,电流通过电容时都会比电压提前正好90度的相位。 d p& Z7 P, \" @) v8 m实际上,电容是不完美的,会或多或少存在一定值的ESR。一个特定电容的ESR随著频率# i% ]: R z w8 x的变化而变化,并且是有等式关系的。这是由於ESR的来源是导电电极结构的特性和绝缘介质1 F" E2 Y# y% }的结构特性。为了模型化分析,把ESR当成单个的串联寄生元。过去,所有的电容参数都是在2 @4 u5 G( b4 ^0 V% r- T1MHz的标准频率下测得,但当今是一个更高频的世界,1MHz的条件是远远不够的。一个性能/ y; V9 \) b; d" D/ u优秀的高频电容给出的典型参数值应该为:200MHz ,ESR=004Ω;900MHz, ESR=010Ω;! d" r- e" [3 e) p" J$ d2000MHz,ESR=013Ω。& n, m" v) s, [, N$ Q- w8 w: |Q值是一个无量纲数,数值上等於电容的电抗除以寄生电阻(ESR)。Q 值随频率变化而有5 H3 p) T- ^" Q3 W; r很大的变化,这是由於电抗和电阻都随著频率而变。频率或者容量的改变会使电抗有著非常大& f" p$ `0 y# }2 H" B# I% E5 ^9 y的变化,因此Q值也会跟著发生很大的变化。从公式一和二上可以体现出来:3 e3 N/ @, q+ w6 R公式一:|Z| = 1 / ( 2πf C)/ S6 n _1 p: ]# @2 W7 g5 W其中,|Z|为电抗的绝对值,单位Ω;f为频率,单位Hz;C为容量,单位元F。! A+ n8 {4 r$ m3 R公式二:Q = |Z| / ESR9 Y2 f2 E0 O" S% }2 k4 r; T, D其中,Q代表“品质因素”,无量纲;|Z|为电抗的绝对值,单位Ω;ESR为等效串联电阻, L! _4 ~5 K7 R3 e% A; R单位Ω。+ X( @4 X/ ]& G! o$ E% u3 q用从向量网路分析器收集而得的S参数去推导ESR是不可信的。主要原因是这个资料的精3 [ t6 z {8 `# ]度受限於网路分析器在50Ω系统中的精度(典型的± 005 dB测量精度在电容低到±001 dB {8 F# T3 l0 C低损耗区是精度不足的)。同样,用LCR仪表去测量高Q器件的Q和ESR也是不可信的。这是- R8 ]; s E p# R8 p( C! I由於当元件的Q 值非常高时,LCR 仪表不能正确地分辨出非常小的电阻(R)和非常大的电抗; L& a" s! @+ C(Z)。因此,高Q电容器的ESR和Q的测量方法,一般使用作为行业标准的谐振线路测试法。2 i0 l" v+ i9 ^; U" @ J2 |这种测试方法作为在射频RF上测量Q和ESR 的行业标准而长期存在。因为该方法依赖於 N8 |/ Q" o }, j% r信号发生器的频率精确度(该频率可以非常精确的测量),所以该资料的采样方式是十分精确& U% `, D0 L j1 ^的。现代的电容ESR非常之小,以至於这个测量方法的精度也只能达到接近±10%。但不管如% u+ k& S8 q4 t4 Z E8 X; r9 O e何,这仍然是目前最精确的在射频RF方面有效测量Q和ESR的方法。0 v" Q0 Y6 \8 X7 j, J( S+ y" E测试方式:8 t- : o/ f$ w" [ 频率发生器 电脑 毫伏表" Y W) E j( [: m9 v2 j" Y 同轴谐振器2 T6 x2 z) T) L9 Y F$ t$ I5 W! L- w2 Q5 s4 K如何理解贴片陶瓷电容器的介质强度8 h J/ v: V# ]$ \7 { 介质强度表徵的是介质材料承受高强度电场作用而不被电击穿的能力,通常用伏特/密尔( p1 Y u Q" Z T3 g/ F0 l i# F(V/mil)或伏特/釐米(V/cm)表示。" M O- ` x, w! ]5 r当外电场强度达到某一临界值时,材料晶体点阵中的电子克服电荷恢复力的束缚并出现场( S2 l! s G J, P" H致电子发射,产生出足够多的自由电子相互碰撞导致雪崩效应,进而导致突发击穿电流击穿介6 A$ o r" Z9 f! t6 S C7 y# m质,使其失效。除此之外,介质失效还有另一种模式,高压负荷下产生的热量会使介质材料的+ z7 J1 ~/ A& Y0 P0 O5 J8 Z; o电阻率降低到某一程度,如果在这个程度上延续足够长的时间,将会在介质最薄弱的部位上产2 O: G E4 c2 Z3 a i1 C: B生漏电流。这种模式与温度密切相关,介质强度随温度提高而下降。