高压陶瓷电容工作温度可达多少度

介电容器：
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
CC1型圆片高频瓷介电容
适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v
允许偏差：5p(+-05p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%
CT1型圆形瓷片低频电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）
CC01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-05p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）
温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM
56—180P –750(+-250)PPM
180—390P –1300(+-250)PPM
430—820P –3300(+-500)PPM
CT01圆形瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《005绝缘电阻：1000mohm
允差：+80 -20%容量：1000-47000p
工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容
可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g
允差：k容量：1-47p工作电压：500v
CC11,CT11园片无引线瓷片电容
该电容特为高频头设计，频率特性好。
CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《00015 绝缘》10000mohm
CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm
CT82,CC82高压高功率瓷片电容：
环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：25—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：
CC4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力6666PA损耗《1510(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v
CT4D独石瓷介电容器
环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0035容量：0033-22uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%
CC2,CT2管形瓷介电容器
与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。
CT2 损耗《004绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v
使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器
CC3损耗《00015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V
CCTD损耗《0035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V
CCTF损耗《004 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V
CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容
该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。
CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《00015
CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0035
CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm
CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：13KG

一般情况下瓷片电容可以做到高压。有3KV的或者6kv的都正常。但是这些电容都做不了大容量只能做到PF级的。而电解电容可以做到大容量的，但是耐压一般都比较低。KFSON/康富松集团目前可以做到600v的电解电容。这个对于电解电容来说已经算是非常高的电压了。通常情况下的电解电容450v-500v已经算是比较高了。

所以综合来看，高压瓷片可以做到更高电压但是做不了大容量，电解电容可以做到大容量但是做不了太高电压。当然他们的用途也不一样的。

希望我的回答对你有帮助

一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器，事实上高频电容和瓷片电容是有区别的
高频电容是陶瓷电容器的一种
陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿
高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构
高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器
就结构而言，可分为箔片式及被银式
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高
瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰
瓷片电容的优点：1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
高频电容频率特性好，Q值高，温度系数小；不能做成大的容量；广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器
性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ00005～0008

一、瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。
优点：1、容量损耗随温度频率具高稳定性。2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。
二、Y2电容属于安规电容的范涛，是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。
三、普通瓷片电容按国标测试是15倍额定电压+500V，而Y2电容的额定电压是250V，其测试耐压需要达到2500Vac

在音频电路中，用什么样的电容器，取决于耦合吸收频率的范围，瓷片电容器容量较小最大只有几千p，涤纶电容稍大一点最大也只有零点几uf
，它们的稳定性都比较好耐高温。如果是吸收高音质可选瓷片电容器，如果提升低音质可使用较大的涤纶电容器，如果是耦合传递音频信号，可选用电解电容器。不同的电容器不同的容量，是根据使用的用途不同而选取的。如滤波电路，需大容量的电解电容器，高频振荡电路电路、高频放大电路都是选用容量小,稳定性好的瓷片电容器