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高压瓷片电容

温暖的曲奇
阔达的胡萝卜
2023-05-02 02:42:24

高压瓷片电容

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会撒娇的龙猫
眯眯眼的泥猴桃
2025-09-08 07:49:13

电容器的型号命名方法 第一部分 | 第二部分 | 第三部分 | 第四部分 名称 | 材料 | 特征 | 序号 电容器 | 符号 | 意义 | 符号 | 意义 | 符号 C 高频瓷 T 铁电 T 低频瓷 W 微调 I 玻璃 J 金属化 符号 Y 釉云母 X 小型 C Z 纸介 D 电压 用字母或数字 J 金属化 M 密封 L 纸涤纶 Y 高压 D 铝电解 C 穿心式 A 钽电解 S 独石编辑本段电容功能分类介绍 名称:聚酯(涤纶)电容(CL) 符号: 电容量:40p--4μ 额定电压:63--630V 主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差 应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称:聚苯乙烯电容(CB) 符号: 电容量:10p--1μ 额定电压:100V--30KV 主要特点:稳定,低损耗,体积较大 应用:对稳定性和损耗要求较高的电路 名称:聚丙烯电容(CBB) 符号: 电容量:1000p--10μ 额定电压:63--2000V 主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差 应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路 名称:云母电容(CY) 符号: 电容量:10p--0。1μ 额定电压:100V--7kV 主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小 应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路 名称:高频瓷介电容(CC) 符号: 电容量:1--6800p 额定电压:63--500V 主要特点:高频损耗小,稳定性好 应用:高频电路 名称:低频瓷介电容(CT) 符号: 电容量:10p--4。7μ 额定电压:50V--100V 主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差 应用:要求不高的低频电路 名称:玻璃釉电容(CI) 符号: 电容量:10p--0。1μ 额定电压:63--400V 主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度) 应用:脉冲、耦合、旁路等电路 名称:铝电解电容 符号: 电容量:0。47--10000μ 额定电压:6。3--450V 主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大 应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等 名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN) 符号: 电容量:0。1--1000μ 额定电压:6。3--125V 主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容 应用:在要求高的电路中代替铝电解电容 名称:空气介质可变电容器 符号: 可变电容量:100--1500p 主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用:电子仪器,广播电视设备等 名称:薄膜介质可变电容器 符号: 可变电容量:15--550p 主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大 应用:通讯,广播接收机等 名称:薄膜介质微调电容器 符号: 可变电容量:1--29p 主要特点:损耗较大,体积小 应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿 名称:陶瓷介质微调电容器 符号: 可变电容量:0。3--22p 主要特点:损耗较小,体积较小 应用:精密调谐的高频振荡回路 名称:独石电容 容量范围:05PF--1ΜF 耐压:二倍额定电压。 应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。 最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了 就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小 就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵云母电容Q值较高,也稍贵 里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。以下附表列出了常见电容器的字母符号。 电容分类: 1.电解电容 2.固态电容 3.陶瓷电容 4.钽电解电容 5云母电容 6玻璃釉电容 7聚苯乙烯电容 8玻璃膜电容 9合金电解电容 10绦纶电容 11聚丙烯电容 12泥电解 13有极性有机薄膜电容 14铝电解电容

最新回答
粗暴的硬币
爱听歌的老师
2025-09-08 07:49:13

一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器,事实上高频电容和瓷片电容是有区别的
高频电容是陶瓷电容器的一种
陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构
高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器
就结构而言,可分为箔片式及被银式
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高
瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
瓷片电容的优点:1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
高频电容频率特性好,Q值高,温度系数小;不能做成大的容量;广泛应用在高频电器中,并可用作标准电容器玻璃釉电容器
性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ00005~0008

雪白的硬币
高挑的唇膏
2025-09-08 07:49:13

电容上面标识的字符含义:

1、在电极旁边看到 + ,那是表明这是电容的正极电解电容是有极性的,接反了会爆了如果是在电解电容的正上方铝壳上看到 + Y 形状的刻痕,那是万一极性颠倒或者超压,电容爆掉的话,就让它先向这个方向爆,免得爆得一塌糊涂。

2、如果是X,Y,那是说电容是X电容,Y电容.X电容是指跨于火线-零线(L-N)之间的电容,Y电容是指跨于火线-地线或者零线-地线(L-G/N-G)之间的电容,L=Line,N=Neutral,G=Ground,X,Y电容都是安规电容。

安规电容是用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。

GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF.Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象,Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义。

扩展资料:

一般来说,电荷在电场中会受力而移动,当导体之间有了介质,则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上,造成电荷的累积储存,储存的电荷量则称为电容。

任何静电场都是由许多个电容组成,有静电场就有电容,电容是用静电场描述的。一般认为:孤立导体与无穷远处构成电容,导体接地等效于接到无穷远处,并与大地连接成整体。

电容是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质,可能电荷会永久存在,这是它的特征,它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。

参考资料:

百度百科-电容

坚定的乌冬面
文艺的大侠
2025-09-08 07:49:13
瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×05mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%