瓷片电容规格识别

瓷片电容的容量识别方法（根据标识计算电容容量的方法）如下：

瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=12PF
1n=1000PF；
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；
470表示标称容量为47pF；
223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=22pF。

瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是是100纳法（nF）。

瓷片电容104，采用的是数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF，如：

101表示标称容量为10pF；

102表示标称容量为1000pF；

221表示标称容量为220pF；

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=22pF。

扩展资料：

瓷片电容通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。除数字表示法外，瓷片电容的识别方法还有：

1、直标法，数值直接在电容上标出，如果数字是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

2、色标法，沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）。颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：

1法拉（F）= 10^3毫法（mF）=10^6微法（μF）=10^9纳法（nF）=10^12皮法（pF）。

参考资料来源：百度百科—瓷片电容

参考资料来源：百度百科—电容

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

我来说吧：铝电解，漏电较大（我的意思是还可以，半个月好的铝电解可以保持90%的电量）温度：-40~85、105容量范围01~100000，耐压还蛮高的最高也有几百伏
钽电容：比铝电解好很多，主要是不怕热，-40~150，但是容量不大，成本高。因为钽粉很贵啊。容量001~2000μF左右
陶瓷电容：其实就是瓷片电容，它温度不限（不过一般达不到的很恶劣。呵呵）容量是：01μF~1pF
涤纶电容统称为聚合物薄膜电容（质量好的聚合物电容：MKP、MKT）容量在22μF~1000pF左右。温度不要超过150。焊接的时间不可以太长
贴片电容，不同的厂家有不同的制造方法，焊接的时间也不可以太长。温度在80以下。容量最大不会超过1μF。个别除外
还有补充：
超级电容：容量大。但是现在不支持大电流放电。不然会损坏的。点击时采用碳电极，原理像充电电池。应为碳电极的表面面积大。容量也大大约在1F~2000F。呵呵不可思议吧，但是耐压小12~36V最小的我看到的有12V
还有独石电容。没有温度系数。很稳定。容量想聚合物薄膜电容差不多的
哎呀~~~手都打酸了。呵呵呵
详情可以看百科的电容词条。有很详细的解释的，上面是我的经验，我已经内化了。呵呵~~~希望可以帮到你。不同材质的电容有不同的通途哦~~~~~