瓷砖和瓷片有什么区别

电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连线成整体。

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

基本介绍 中文名 ：电容 外文名 ：Capacitance 别称 ：电容量 国际单位 ：法拉（F） 定义,单位及转换,计算公式,电容的作用,万用表检测电容,电容的种类, 定义 电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。 电容的符号是C。 C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U 单位及转换 在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是： 1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF） 1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。 电容与电池容量的关系： 1伏安时=1瓦时=3600焦耳 W=05CUU 计算公式 一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。常见的平行板电容器，电容为C=εS/d（ε为极板间介质的介电常数，S为极板面积，d为极板间的距离）。 定义式： 电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2=Q^2/2C 多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn 多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn 三电容器串联：C=（C1C2C3）/（C1C2+C2C3+C1C3） 电容的作用 1）旁路 旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连线处在通过大电流毛刺时的电压降。 2）去耦 去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是晶片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。 去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。 将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取01μF、001μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。 3）滤波 从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。 4）储能 储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。 万用表检测电容 用数字万用表检测电容器，可按以下方法进行。 一、用电容档直接检测 某些数字万用表具有测量电容的功能，其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔，选取适当的量程后就可读取显示数据。 2000p档，宜于测量小于2000pF的电容；20n档，宜于测量2000pF至20nF之间的电容；200n档，宜于测量20nF至200nF之间的电容；2μ档，宜于测量200nF至2μF之间的电容；20μ档，宜于测量2μF至20μF之间的电容。 经验证明，有些型号的数字万用表（例如DT890B+）在测量50pF以下的小容量电容器时误差较大，测量20pF以下电容几乎没有参考价值。此时可采用串联法测量小值电容。方法是：先找一只220pF左右的电容，用数字万用表测出其实际容量C1,然后把待测小电容与之并联测出其总容量C2，则两者之差（C1－C2）即是待测小电容的容量。用此法测量1～20pF的小容量电容很准确。 二、用电阻档检测 实践证明，利用数字万用表也可观察电容器的充电过程，这实际上是以离散的数字量反映充电电压的变化情况。设数字万用表的测量速率为n次/秒，则在观察电容器的充电过程中，每秒钟即可看到n个彼此独立且依次增大的读数。根据数字万用表的这一显示特点，可以检测电容器的好坏和估测电容量的大小。下面介绍的是使用数字万用表电阻档检测电容器的方法，对于未设定电容档的仪表很有实用价值。此方法适用于测量01μF～几千微法的大容量电容器。 三、用电压档检测 用数字万用表直流电压档检测电容器，实际上是一种间接测量法，此法可测量220pF～1μF的小容量电容器，并且能精确测出电容器漏电流的大小。 电容的种类 电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。 无极性可变电容 制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质 优点：容易生产，技术含量低。 缺点：体积大，容量小 用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路 无极性无感 CBB 电容 制作工艺：2层聚丙乙烯塑胶和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 优点：无感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。 用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦 无极性 CBB 电容 制作工艺：2层聚乙烯塑胶和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。 优点：有感，高频特性好，体积较小 缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。 用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦 无极性瓷片电容 制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。 优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容） 缺点：易碎，容量低 用途：高频震荡、谐振、退耦、音响 无极性云母电容 制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜 优点：容易生产，技术含量低。 缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感 用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响 有极性电解电容 制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。 优点：容量大。 缺点：高频特性不好。 用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响 钽电容 制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。 优点：稳定性好，容量大，高频特性好。 缺点：造价高。 用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路 聚酯（涤纶）电容 符号：CL 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 套用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 聚苯乙烯电容 符号：CB 电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 套用：对稳定性和损耗要求较高的电路 聚丙烯电容 符号：CBB 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 套用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 云母电容 符号：CY 电容量：10p--0。1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 套用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 高频瓷介电容 符号：CC 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 套用：高频电路 低频瓷介电容 符号：CT 电容量：10p--4。7u 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 套用：要求不高的低频电路 玻璃釉电容 符号：CI 电容量：10p--0。1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 套用：脉冲、耦合、旁路等电路 铝电解电容 符号：CD 电容量：0。47--10000u 额定电压：6。3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 套用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 钽电解电容（ CA ）、铌电解电容（ CN ） 电容量：0。1--1000u 额定电压：6。3--125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 套用：在要求高的电路中代替铝电解电容 空气介质可变电容器 可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等 套用：电子仪器，广播电视设备等 薄膜介质可变电容器 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 套用：通讯，广播接收机等 薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小 套用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0。3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小 套用：精密调谐的高频振荡回路

瓷砖和地砖与瓷砖的差异在于，瓷片用在墙上、瓷砖和地砖用在地面上。下面从进行分析：

瓷片指的是墙面用的表面有次面的薄层贴片，而瓷砖则是指有瓷面的地砖。两者最明显的差异就是厚薄程度不一。

瓷片越光滑越好，而瓷砖要求表面有一定的防滑性。最佳的瓷片内部不存在一星半点气泡，否则很容易受冻碎裂，而瓷砖对内部是否存在气泡要求不高。

瓷片应当属于通体陶瓷，但不属于砖，而属于片；瓷砖是瓷，是由瓷土烧制而成的。

地砖是用来铺地面的砖，地砖分为3类：釉面砖、瓷质砖、拼花砖。

扩展资料：

瓷质地砖

就是吸水率在05%以下的瓷砖。

材质：粘土、石英、长石烧制而成。

生产工艺：生产工序一般为选料、配料、粉碎、沉浆、喷雾干燥、压坯成型、干燥、烧结、检验及包装等步骤。

计算公式：需要数量=总面积/瓷砖的长度/瓷砖的宽度

瓷片保养除污

瓷片日常清洗可选用洗洁精，肥皂等清洗：用肥皂加少量氨水与松节油的混合液，清洗磁砖可使磁砖更有光泽。

在生活中如果不小心把茶水或者其它日常生活用品附着在磁砖上面，应及时擦洗干净，必要时应用相应清洁用品清洗；抛光砖应定期对其打蜡处理，时间间隔为2~3个月为宜。

当砖面如出现划痕，可在划痕处涂抹牙膏，用干布擦拭可修复。砖与砖缝隙处可不定期用去污膏去污垢，再在缝隙刷一层防水剂可防霉菌生长。

瓷片常用的除污方法：茶水、咖啡、啤酒、冰淇淋、油脂等污染物用氢氧化钠或碳酸氢钾溶液；墨水、水泥等污染物用盐酸、硝酸等稀溶液；油漆、涂料等污染物请使用专用清洁剂。

参考资料：

百度百科--瓷片

参考资料：

百度百科--地砖

电容知识
电容（电容器），（Capacitor）电路缩写为C，电容单位法拉，用字母“F”表示。电容是用来储存电荷的容器，简称电容器。电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。
电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的。金属板也叫电容极板。按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种。
1． 常用电容的结构和特点
常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。
其在电路中的符号表示：
作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等。
存储电荷: 平时我们照相机的闪光灯，就是电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来
滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用
电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。使用电容还有一个指标，那就用多大的容量，这就涉及到额定值读数了。电解电容很容易读数，直接在上面看厂商标出容量和负极性，工作环境，最高工作电压值。瓷片电容就比较难一点。小于100P会标出多少P。当标值为474时。首先知道第一、二位是有效数值，如上例中的47，第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ，如上例中的4。那么474表示47×10000=470000PF。
自己举一反三。聪明的你读数应该没有问题了。
电容的单位法拉（F），法拉这个单位很大很大。我们很少用到，常用的是微法(UF)、皮法（pF）。它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF。上面所提到的474就等于047uF。
二、电容器检测的一般方法
1固定电容器的检测
A�检测10pF以下的小电容 。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B�检测10PF～0�01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C�对于0�01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
2电解电容器的检测
A�因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B�将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
C�对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
D�使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
3可变电容器的检测
A�用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。
B�用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。
C�将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。