你们海信电视换个电容要450元钱

你问哪个更好,我回答你,我个人比较看好合金电阻,虽然两个电阻没有可比性.

陶瓷电阻和合金电阻的主要区别在与材料,一个是陶瓷,一个是合金,具体的如果不了解可以上合金电阻网站alloyresistor.com了解.

除了主要区别,还有阻值的区别,合金电阻阻值一般在mΩ的级别,而陶瓷电阻的级别在Ω级别,相差一个数量级.

另外一个区别是功率区别,合金电阻的功率在1w以上,而陶瓷的电阻功率在1w以上.

用法不同无法谈及哪个更好,如果用于采集,那肯定合金电阻较好,如果用户分流分压,那肯定是陶瓷电阻好.

原因在以上已经说了,请知悉,

备注,可以可以参考合金电阻网站网页链接

瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF。

瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类

为温度补偿类NPO电介质

这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类

为高介电常数类X7R电介质

由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类

为半导体类Y5V电介质

这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

独石电容比一般瓷介电容器大（10pF~10μF），且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点，因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。

特点

温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

独石电容除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，独石电容也以惊人的速度向前发展，每年以10[%]～15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在 2000亿支以上，70[%]出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1、AT89S51一片+40P DIP插座1个+12M晶振1个+30pF瓷片电容2个+10uF16V电解电容1个（上电复位电容）+10K 1/8W电阻1个（上电复位电阻）+0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；

2、LCD1602液晶显示模块1个（另16针排针）+1.5K 1/8W电阻1个（LCD对比度设定电阻）+10K1/8W上拉排电阻1个（9脚）+0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；

3、6x6mm按钮（设置时间、功能等，至少3个）；

4、如果需要闹钟或发声，还需要：蜂鸣器1个（有源或无源，5V），三极管2SC9012一个，基极电阻4.7K 1/8W一个，如果需要LED显示电源和报警，还需要3mmLED 2个，510欧姆1/8W电阻2个；

5、如果要保持实时时钟，再需要DS1302一片（8P DIP插座一个），晶振32768Hz一个，CR2032电池及其电池座一个，10K1/8W上拉电阻2个，0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；

6、5V直流电源一套，或一个USB插座+USB双头线。另外要有一个下载线（并口或串口或USB的均可）进行程序下载。还有，多用电路板一块。

可以到网上找一下相关资料学习一下制作的基本过程和程序设计知识。

瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；

2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；

字母表示法：

1m=1000μF

1P=1pF（如470P=470pF）

1P2=1.2PF

1n=1000PF；

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：

102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；

104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；

470表示标称容量为47pF；

223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。

多大的瓷片电容配不到? 瓷片电容很好配的!

不能说老板说的不对50V2200UF 的电容造价要比16V的高很多,如果用在电源电路上肯定比16V的好.

但是电容不止容量上的区别,充放电的性能相差很大,在音频电路体现的特别明显

比如 1UF的电解电容和1UF的瓷片 性能是完全不一样的.

功率大的电阻用是没问题的,可老板下料也太猛了

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ZYF04297205278 2008-11-27 22:22:14

你好刚才你回答的电容问题能在仔细点吗，我想了解一下好吗，比如1UF电解和涤纶电容用在音频电路上有什么不同

a6538662 18:11:44

[编辑本段]电容一般的选用 低频中使用的范围较宽，如可以使用高频特性比较差的；但是在高频电路中就有了很大的限制了，一旦选择不当会影响电路的整体工作状态；

一般的电源里用的有电解电容、和瓷片电容、但是在高频中就要使用云母等价格较贵的电容，就不可以使用绦纶的电容，和电解的电容，因为它们在高频情况下会形成电感，以致影响电路的工作精度。

a6538662 18:12:18

电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差

标称电容量是标志在电容器上的电容量。

电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差，在允许的偏差范围称精度。

精度等级与允许误差对应关系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）

一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级，根据用途选取。

2、额定电压

在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值，一般直接标注在电容器外壳上，如果工作电压超过电容器的耐压，电容器击穿，造成不可修复的永久损坏。

3、绝缘电阻

直流电压加在电容上，并产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻.

当电容较小时，主要取决于电容的表面状态，容量〉0.1uf时，主要取决于介质的性能，绝缘电阻越小越好。

电容的时间常数：为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数，他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。

4、损耗

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值，电容的损耗主要由介质损耗，电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。

5、频率特性

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。

a6538662 18:16:28

区别

名称：铝电解电容

符号：

电容量：0。47--10000μ

额定电压：6。3--450V

主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大

应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

名称：高频瓷介电容（CC）

符号：

电容量：1--6800p

额定电压：63--500V

主要特点：高频损耗小，稳定性好

应用：高频电路

名称：低频瓷介电容（CT）

符号：

电容量：10p--4。7μ

额定电压：50V--100V

主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差

应用：要求不高的低频电路

名称：独石电容

容量范围：0.5PF--1ΜF

耐压：二倍额定电压。

应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。

独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。

最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了.

就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小.

就价格而言:钽,铌电容最贵,独石,CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵.云母电容Q值较高,也稍贵.

里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。

1、假如是碳阻和双线绕组的电阻，所构成的无感电阻常常是假负载的最佳用品；其性价比非常好；

2、其功率的提升导致可靠性的几何级数提升，因此军品为常用。

多层陶瓷电容

又分为2种，是贴片陶瓷电容和独石电容

独石电容就是在陶瓷贴片电容的两端焊接上引脚并且包封的电容

独石电容又分为径向独石电容和轴向独石电容

箱式电阻炉 工业电炉高温实验电炉，1200度，广泛用于陶瓷、冶金、电子、玻璃、化工、机械、耐火材料、新材料开发、材料、建材等领域，是可以烧陶瓷的。

高温陶需要在1200-1235度，烧制8个小时左右。低温陶则在700-900度，4个小时就可以烧结成功。两者所用的陶土不同，釉料也不同，瓷器的烧成温度一般在1235度以上。

陶瓷表面电阻测量方法：

在试样的某一表面上两电极间所加电压与经过一定时间后流过两电极间的电流之商；访伸展流主要为流过试样表层的电流,也包括一部分流过试样体积的电流成分.在两电极间可能形成的极化忽略不计.

表面电阻是在试样的某一表面上两电极间所加电压与经过一定时间后流过两电极间的电流之商.

表面电阻率是在绝缘材料的表面层的直流电场强度与线电流密度之商,即单位面积内的表面电阻.表面电阻率不是表征材料本身特性的参数,而是一个有关材料表面污染特性的参数.因为体积电阻总是要被或多或少地包括到表面电阻的测试中去,因此只能近似地测量表面电阻,测得的表面电阻值主要反映被测试样表面污染的程度.