陶瓷电容品牌有哪些

工作原理不同。

1、瓷片电容是一种用陶瓷材料作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。

2、槽路电容(调谐电容),连接于谐振电路或振荡电路线圈两端的电容。

2、无极性可变电容；制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小；用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容；制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：无感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容；制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：有感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容；制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。；优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）；缺点：易碎，容量低；用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容；制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感；用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

7、有极性电解电容；制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。；优点：容量大。；缺点：高频特性不好。；用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容；制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。；优点：稳定性好，容量大，高频特性好。；缺点：造价高。；用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯（涤纶）电容；符号：CL；电容量：40p--4u；额定电压：63--630V；主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差；应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容；符号：CB；电容量：10p--1u；额定电压：100V--30KV；主要特点：稳定，低损耗，体积较大；应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容；符号：CBB；电容量：1000p--10u；额定电压：63--2000V；主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差；应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

12、云母电容；符号：CY；电容量：10p--0。1u；额定电压：100V--7kV；主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小；应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路

14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0。47--10000u；额定电压：6。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0。1--1000u；额定电压：6。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路

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瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

2、用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。