瓷片电容规格识别

电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。
容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
我们常用的电容有：
1、 电解电容：多数在1μF以上，直接用数字表示。如：47μF、100μF、220μF等等。这种电容的两极有正负之分，长脚是正极。
2、 瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。如：10、22、0047、01等等，这里要注意的是单位。凡用整数表示的，单位默认pF；凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中，分别是10P、22P、0047μF、220μF等。
现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（单位默认pF）：
如： “473”即47000pF=0047μF
“103”即10000pF=001μF等等，
“XXX”第一、二个数字是有效数字，第三个数字代表后面添加0的个数。这种表示法已经相当普遍。
1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如01uF表示001微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示056微法。
2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示01pF,1p0表示1pF,6P8表示68pF, 2u2表示22uF
3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。
电容器偏差标志符号：+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。
电容器容量的基本单位是“法拉”（F），1法拉的1/1000000（百万分之一）是1微法（μF），1微法的1/1000000是1pF（1微微法，或1皮法）。它们之间的关系是百万（或称10的6次方）进位关系。我们常用的电容有：

电解电容多数在1μF以上，直接用数字表示。如：47μF、100μF、220μF等等。这种电容的两极有正负之分，长脚是正极。

瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。如：10、22、0047、01等等，这里要注意的是单位。凡用整数表示的，单位默认pF；凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中，分别是10P、22P、0047μF、01μF等。

把“色环表示法”用到电容上来：这又是一种巧妙的演绎！我们在一些瓷片电容上往往看到这样的标记：“103”，“104”，“473”等，这里，第三个数字（个位数字）并非通常理解的个位数，它和四色环电阻的第三环一样，告诉人们前两位数字后面“添加零的个数”；这样，103就是10000，104就是100000，473就是47000，单位默认pF。换算一下，103＝001uF,104＝01uF，473＝0047uF。

位于行偏听偏转的-端到行上下阻尼二极管中点之间的电容便是s校正电容。参考值为：（普通机200—630v
0。33uf—0。68uf。高清机0。22uf左右，耐压630v。逆程电容一般耐压在1600v以上的基本为行逆程电容。仅供参考。

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

没有该电视机的图纸就不知道那只电容的参数。可先用一只2K V1n0的瓷片电容焊上，如果行幅大了，就换一只4700P F/2K V。只要是2K V的各种容量的都可试试，直至行幅正常为止。