现实的悟空
2025-09-10 03:16:03
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。103意思是说电容为001uF，瓷片电容读法：103=1010的3次方pF=001uF。
电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。电容的种类也是有很多种，以下简单按照介质分类的几种电容：
1、陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。
2、云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。
3、纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 的纸，相叠后卷成圆柱 体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 壳以提高防潮性。
4、薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。 质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。
5、电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。（使用时应注意极性） 大，稳定性差。
风中的诺言
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瓷片电容是电子元器件的一种，主要由陶瓷的材料做成的隔离介子，属于绝缘体
瓷片电容又称圆片瓷介电容，分为高压瓷片电容和低压瓷片电容
瓷片电容的优点主要有耐温，用时持久，价格便宜
应用领域比较广泛，大量用于中大型电子设备和微小型单片机
瓷片电容222，首先是要看用在什么设备上，还需了解电压是多少
要求不高的话同容量普通无极电容都行
容量是2200pf，没相同容量的话可以找两个瓷片电容并联
如是安规瓷片电容，就不要随意找替代，如是Y1电容222一般标志上还有许多认证符号，只能用同类的Y1，Y2电容，产品上有标识耐压300或400V，最高测试耐压可达4000VAC的，其他的电容只如容量相近，耐压相近便可代替
瓷片电容已承受着电子科技产品走进人们的生活中
选择质量好的瓷片电容就犹为重要
找正规的瓷片电容厂家，如果是安规瓷片电容，需是有安规认证的原厂，质量得以保证，并各方面都可以协助配合
东莞瓷谷电子-瓷片电容厂家，30年专注瓷片电容及安规电容的研发生产销售，安规电容规格型号齐全，为满足客户需求都有生产编带瓷片电容，全自动生产设备，出货快，钻石品质
产品经过多国工业大国安规认证，是合法安规电容生产企业，本着安全的安规电容生产，为科技守护美好生活，更好的守护我们身边最爱的人的安全
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贤惠的啤酒
2025-09-10 03:16:03
要看你的电容用于什么功能，如果是直流电源滤波而且频率不高，那么可以用电解电容代替，如果是用于电压较高的交流电路，或者是频率较高的电路中，那就不一定合适，因为电解电容的反向耐压远低于正向耐压，而且高频特性不是很好。
用两个电解电容极性反向串联并不能克服电解电容的上述缺点，反而使串联后的电容正反两个方向的指标都下降。
陶瓷贴片电容47μF的并不难找，更大容量（10μF、22μF）的也有，没必要换用电解电容。
魁梧的中心
2025-09-10 03:16:03
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
