如何认知电容大小《需详解额，先谢谢了

电容供储电的原理、如何进行储电的？
各种各样的电容器，它们在电路中分别起着不同的作用，通常简称其为电容，用字母C表示。顾名思义，电容器就是“储存电荷的容器”。尽管电容器品种繁多，但它们的基本结构和原理是相同的。两片相距很近的金属中间被某物质（固体、气体或液体）所隔开，就构成了电容器。两片金属称为的极板，中间的物质叫做介质。电容器也分为容量固定的与容量可变的。但常见的是固定容量的电容，最多见的是电解电容和瓷片电容。
不同的电容器储存电荷的能力也不相同。规定把电容器外加1伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。电容的基本单位为法拉（F）。但实际上，法拉是一个很不常用的单位，因为电容器的容量往往比1法拉小得多，常用微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）（皮法又称微微法）等，它们的关系是：1法拉（F）=1000000微法（μF）1微法（μF）=1000纳法（nF）=1000000皮法（pF）
在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。而且还有一个特点，一般1μF以上的电容均为电解电容，而1μF以下的电容多为瓷片电容，当然也有其他的，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。电解电容有个铝壳，里面充满了电解质，并引出两个电极，作为正（+）、负（-）极，与其它电容器不同，它们在电路中的极性不能接错，而其他电容则没有极性。
把电容器的两个电极分别接在电源的正、负极上，过一会儿即使把电源断开，两个引脚间仍然会有残留电压，我们说电容器储存了电荷。电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程称为电容器的充电。充好电的电容器两端有一定的电压。电容器储存的电荷向电路释放的过程，称为电容器的放电。
电子电路中，只有在电容器充电过程中，才有电流流过，充电过程结束后，电容器是不能通过直流电的，在电路中起着“隔直流”的作用。电路中，电容器常被用作耦合、旁路、滤波等，都是利用它“通交流，隔直流”的特性。那么交流电为什么能够通过电容器呢？我们先来看看交流电的特点。交流电不仅方向往复交变，它的大小也在按规律变化。电容器接在交流电源上，电容器连续地充电、放电，电路中就会流过与交流电变化规律一致的充电电流和放电电流。

法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF）

1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。

电容与电池容量的关系：

1伏安时=1瓦时=3600焦耳

W=05CUU

扩展资料：

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

1、无极性可变电容

制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质

优点：容易生产，技术含量低。

缺点：体积大，容量小

用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

2、无极性无感CBB电容

制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

优点：无感，高频特性好，体积较小

缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。

用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

3、无极性CBB电容

制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

优点：有感，高频特性好，体积较小

缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。

用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

4、无极性瓷片电容

制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。

优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）

缺点：易碎，容量低

用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

5、无极性云母电容

制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜

优点：容易生产，技术含量低。

缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感

用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

6、有极性电解电容

制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。

优点：容量大。

缺点：高频特性不好。

用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

7、钽电容

制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。

优点：稳定性好，容量大，高频特性好。

缺点：造价高。

用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

8、聚酯（涤纶）电容

符号：CL

电容量：40p--4u

额定电压：63--630V

主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差

应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

参考资料来源：百度百科-电容-单位及转换

CMOS集成电路常用的电容有：

电解电容：用于隔直流，通交流。其容量较大，一般在数微法到数十微法之间。

瓷片电容：用于隔直流，通交流。体积较小，容量较小，一般在几皮法到几十皮法之间。

独石电容：用于隔直流，通交流。容量较大，可达几百皮法。

涤纶电容：用于隔直流，通交流。容量较大，可达几百皮法。

电解电容器：一种特种电容器，主要用于高压和大电流的电路中。

不同的CMOS集成电路使用的电容器可能会有所不同，因此在使用电容器时需要根据具体的电路图和相关参数进行选择。

像100μF这种容量比较大的电容一般是直接标注100μF
你说的数标法一般用于瓷片电容器，瓷片电容100μF的话应该标成107，当然这么大的瓷片我还没见过，
电容标注的识别方法：
电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9纳法=10^12皮法
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF
数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×102PF=1000PF 224表示22×104PF=022 uF
472p表示47×10^2pF=4700pF
3、电容容量误差表
符 号 F G J K L M
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。

332M为3300pF=33nF=00033μF，M——III级精度——误差±20%。
331为330pF=033nF=000033μF
68为68pF
682为6800pF=68nF=00068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=01μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =068μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：10V G： 40V B:：125V W:：45V C:：16V H:：50V D： 20V
J:：63V E:：25V K:：80V F:：315V Z:：90V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为10×10^2=100V； 2J就表示耐压为63×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——005级——±05%；
F——01级——±1%；
G——02级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。