压电陶瓷片能检测次声波吗

所有准同型相界组分的样品均具有增强的压电效应和较高的铁电居里温度TC，而且随着Sr含量y的增加，其d33，TC和极化强度均减小，而样品中三方相和四方相的晶格畸变在总体上则分别增加和减少。研究结果表明，对于BFO-BTO体系的准同型相界MPB附近的组分中，较大的四方晶格畸变和较小的三方晶格畸变对样品的压电性能起着重要作用。这些结果为设计高性能压电陶瓷提供了一种可能的新策略。 (2)通过采用溶胶凝胶法制备了(1-x)BiFeO3-xBa05Sr05MnO3(BFO-BSMO)（0≤x≤1）陶瓷，并研究了引入BSMO对BFO其陶瓷结构、铁电、磁性、介电、电阻、压电等结构与物性的影响，并在MPB处研究其压电等电学性能，制备出压电性提升和高TC的BFO基无铅压电陶瓷。室温X射线衍射(XRD)及拉曼实验结果表明，0≤x≤01的样品在室温下为三方相（空间群为R3c），x=016的样品则为三方相与立方相共存，016＜x≤05的样品是空间群为Pm3m的立方相，x=07的样品则为立方相与六方相共存，07＜x≤10的样品是空间群为P63/mmc的六方相。进一步的实验结果表明，x≤016的样品具有铁电性，其中x=01样品同时具有较高的铁电居里温度T～687℃以及压电常数d33～13pC/N。随着BSMO含量x的进一步增加到x=016，陶瓷的压电常数d33达到最大值。进一步的分析表明，较高Mn3+离子浓度对BFO-BSMO固溶体的晶体结构、铁电、压电及电阻等性能起着重要的作用。然而该体系虽然居里温度很高，但压电常数仍然较小，且高温电阻亦仍需进一步改善。 (3)我们在BFO-BTO陶瓷中同时引入Cr离子和Mn离子，采用传统的固相反应法制备了(1-y)BiFe1-xCrxO3-yBaTi1-xMnxO3(BFC-BTM)(0≤x≤004，02≤y≤027)陶瓷，系统研究了Cr-Mn共掺BFC-BTM（0≤x≤004，02≤y≤027）固溶体的结构、介电、铁电、电阻和压电性能，并且对其TC提升的可能的原因进行了分析与讨论。随着掺杂的Cr/Mn含量x增加，y=02-027系列样品出现了三方相到四方相的结构相变，且其中准同型相界组分约为x=001-002。Cr-Mn共掺的样品同时表现出较高的Td、TC(～580-645℃)以及相对较大的d33(～96-135pC/N)。特别是组分为y=024，x=002的样品同时表现出较高的退极化温度Td～551℃和较大的压电常数d33～116pC/N，性能优于之前报道的大多数BFO基高温压电陶瓷。此外，相比于母体BFO，Cr-Mn掺杂的样品绝缘性能提升，其中y024x001和024x002样品，分别在大约315和270℃以下电阻率ρ高于1MΩ·cm。我们的实验结果表明，构建MPB的同时考虑晶格畸变的作用可能是在BFO压电陶瓷体系中实现优异压电性和高TC的有效途径。

压电陶瓷方向是比较新的，现在实验室研究的内容绝大多数不会马上转化为产品，太前沿了。比如：传统的压电陶瓷都含有Pb这种有毒元素，现在又很多研究室就在实现他的无铅化，但是奇怪的是无铅，压电性能就得不到保证，如何平衡这种关系，也就成了一个很大的研究方向。其实，无铅压电陶瓷的市场目前还是很小的。
但是，这个方向的就业还是挺好的，当然绝大多数不会跟压电陶瓷直接相关，因为现在专业生产压电陶瓷的企业还不是很多，规模更谈不上了。
选择这个方向，重要的是掌握住功能陶瓷的诸多制备方法和测试方法，就业的时候，企业更多的是看你对陶瓷或者是更大一点说无机非金属材料的了解情况，看你是不是掌握了他们的性能、制备方法、以及测试方法等。比如：可以做很多产品的研发工作，液晶显示器等。
说几个我们同学去的单位，你可以参考一下，看看这些企业都是做什么的。京东方、中芯国际、晶体研究院。当然，学了无机非金属材料也不一定就业就限制在无机非领域。我们这个专业的还有去：贝卡尔特（专门生产钢帘线的）、马钢、日钢。。。
总之，材料的知识都是相同的，在学校更多是学习基础知识和处理问题、解决问题的方法，也就是学习“渔”。
说的比较乱，担待。哦，对了，我就是压电陶瓷方向的。
祝你学业有成，前途无量。加油。
补充你的提问：现在不论什么专业，找到一份满意的工作都不是一件容易的事情，我觉得材料还是比较的好就业的，100%应该没问题，但是要想让你学到的研究内容完全用到工作中恐怕几率很小很小。学了无机非材料，有可能将来的工作跟金属材料相关。所以，建议你选个自己感兴趣的方向，将来就业的时候没必要局限在小方向上。。。另外，既然选择了材料，就要对材料有信心。这本来就是个发展的学科，还没有成熟，就别指望像传统专业那样出来找到很对口的工作了。还是坚持认为，材料很好，有前途。

压电只是耳塞的一种 指的是耳塞单元的发生原理 除了压电主要还有动铁，动圈，静电 目前的高档入耳耳塞多为动铁单元压电：利用用压电陶瓷的压电效应发声。效率高、频率高。缺点：失真大、驱动电压高、低频响应差，抗冲击里差。此类耳机多用于电报收发使用，现基本淘汰。少数耳机采用压电陶瓷作为高音发声单元。动铁：利用了电磁铁产生交变磁场，振动部分是一个铁片悬浮在电磁铁前方，信号经过电磁铁的时候会使电磁铁磁场变化，从而使铁片振动发声。优点是使用寿命长、效率高。缺点是失真大，频响窄。常用于早期的电话机听筒。与一般动圈耳机不同，动铁式的发音单元可以做的很小，因此可以将2个甚至3个单元放入每边声道内，分别负责高、低音及音场处理。音效能与高级喇叭系统相媲美。动圈：这是现在最普遍的耳机形式。是将线圈固定在振膜上，置于由永磁铁产生的固定磁场中，信号经过线圈切割磁力线，从而带动振膜一起振动发声。优点是制作相对容易，线性好、失真小、频响宽。缺点是效率低（算不上什么缺点）。静电：又称静电平面振膜，是将铝（或其它导电金属）线圈直接电镀或印刷在很薄的塑料膜上，将其置于强静电场中（通常由直流高压发生器和固定金属片（网）组成），信号通过线圈的时候切割电场，带动振膜振动发声。优点是线性好、失真小（电场比磁场均匀），瞬态响应好（振膜质量轻），高频响应好。缺点是低频响应不好、需要专门的驱动电路和静电发生器、价格昂贵。效率也不高。

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

压电陶瓷可以做音响的。利用压电陶瓷电能转换成机械能，在音响方面的应用可以做成蜂鸣器、扬声器、收音机。
我们是代理的日本富士压电陶瓷，广东那边有公司在我们这边采购过压电陶瓷做音响。