聚酯膜电容和瓷片电容有什么区别
如果不是超精密电路，用瓷片电容是没有问题的。附两类电容的特性比较---------------------------------------------------------------------1．瓷介电容器（型号CC）a．陶瓷材料介电常数ε很大，故电容器体积可作得很小。b．稳定性好。从化学性能讲，酸、碱、盐类和水对陶瓷材料的侵蚀性很小，从耐热性能看，陶瓷材料在高达500~600℃的高温下，能长期工作而不老化。c．损耗角正切tgδ与频率无关，适用于高频电路。d．具有良好的绝缘性能，可制成高压电容器，供高压电路使用。e．不同成份的陶瓷，其介电常数和温度系数不同，其温度系数范围很宽，便于制成不同温度系数的电容器，用作温度补偿电容。f．结构简单，原料丰富，便于大量生产，是应用极广泛的电容器。g．机械强度低，易碎易裂。2有机膜式电容（1）涤纶电容器（型号CL）涤纶电容器的介质为涤纶薄膜，其电容量和耐压范围宽，体积小，容量大，耐高温，成本低。但tgδ随频率变化较大，故多用于对tgδ、稳定性和损耗要求不高的场合，如直流及脉动电路中。（2）聚苯乙烯薄膜电容器（型号CB）绝缘电阻大，tgδ小，但tgδ随温度和频率升高而增加，电容量稳定，充电1000小时仍可保持电荷量的95%，精度高，容量范围：10pF~1μF，额定工作电压30V~15kV，常作为精密电容器使用。（3）聚碳酸酯薄膜电容器（型号CS）该电容器的频率特性较涤纶为好，电容量及tgδ随频率的变化较小，可用于低压交直流电路中。（4）聚四氟乙烯电容器（型号CBF）聚四氟乙烯在400℃下长期加热不碳化，有“塑料王”之称，绝缘电阻比聚苯乙烯大，电性能随频率的变化小，但精度较低，一般为±10%~±20%。主要用于高温、高性能的特殊场合。（5）聚丙烯电容器（型号CBB）绝缘电阻，tgδ对频率的稳定性等电性能仅次于聚苯乙烯电容器，多用于高压范围内。
0 068Ⅰ－63：应该是0068uF，I类瓷片电容，耐压63V。
1500Ⅲ：1500pF，Ⅲ类陶瓷电容。
瓷片电容按照介质不同分为Ⅰ类 NPO 或COG(国内叫CC 型) Ⅱ类 X5R、X7R 或Y5P(国内叫CT 型) Ⅲ类 Y5V 或Z5U(国内叫CS 型) 。
Ⅰ类（也可称高频陶瓷电容器）是用介质损耗小，绝缘电阻高，介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制作的电容器。此类电容适用于损耗小和要求电容量极其稳定的高频电路，还可用于谐振回路、温度补偿等，其电性能最稳定，基本上不随温度、电压和时间的变化而改变，变化率一般是以ppm/℃来表示，其介电系数400左右，故电容量不能做的很大（一般在100PF以下）。它的填充介质一般由铷、钐和其它的一些稀有氧化物组成。
Ⅱ类（与Ⅲ类统称为低频陶瓷电容器）是用铁电陶瓷做介质的电容器，这类电容比容大，损耗比较大，电气性能较稳定，随温度、电压和时间的变化并不显著，适用于隔直、耦合、旁路与对容量要求不高的电路，其介电系数较大（可达1200），故电容量可做的很大，相同的体积，其容值比Ⅰ类的大20～70倍，其容量随温度的变化率为约±15%。
Ⅲ类 也是用铁电陶瓷做介质的电容器，此类电容比容较Ⅱ类要大，容量和损耗对温度、电压很敏感，稳定性很差。但其等效串联电阻（ESR）和等效串联电感(ESL)低，具有良好的频率响应，主要应用在退耦电路中，其介电系数更大（可达1000～12000），故其容量可做的更大，相同的体积，其容值可做到Ⅱ类的5倍。其容值随温度的变化率为-82%～+22%。
