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2022-12-26 11:25:05

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最新回答
谦让的音响
拼搏的汽车
2026-05-10 04:16:41

这个是涤纶电容,容量360P一般这个电容在低压电路上不容易坏,用万用表10K档不通一般是好的,是不是容量减少用万用表电容档可以测试出来。坏了可以找一个360P的涤纶或者瓷片电容都可以代替,修理店电气市场应该有的,也可以从旧电器上拆。

长情的钥匙
忐忑的唇膏
2026-05-10 04:16:41
咱们先分别看了解下陶瓷电容,CBB电容,安规电容陶瓷电容器(ceramiccapacitor;ceramiccondenser)就是用陶瓷作为电介质,在陶瓷基体两面喷涂银层,然后经低温烧成银质薄膜作极板而制成

它的外形以片式居多,也有管形、圆形等形状

CBB电容就是聚丙烯电容

聚丙烯电容(CBB)电容量:1000p--10u额定电压:63--2000V主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

外形同一些薄膜电容

无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成.无感,高频特性好,体积较小不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差.安规电容是电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全的电容

三者的区别:1、陶瓷电容是针对高频高压使用的瓷介电容器,其中额定电压为400V和250V的电容,分别命名为Y1Y2电容,即安规瓷片电容

2、CBB电容属于薄膜电容

根据经验,很多厂家就用聚丙稀金属薄膜电容

CBB和安规电容材质一样的,都是聚丙烯薄膜,耐冲击能力优越

稳重的御姐
爱笑的冥王星
2026-05-10 04:16:41
国内的一些品牌 汕头松田电子STE 广东南方宏明股份有限公司SHM 汕头鸿志电子HEL 广州汇桥 东莞嘉耐JNC 台山捷讯电子JHC 这些做陶瓷电容都是非常出色 性价比很高。

瓷片电容: 广东风华,万明电子

国外:TDK、京瓷、约翰逊、村田、台湾禾申堂

完美的歌曲
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2026-05-10 04:16:41
1、电容的种类可以从原理上分为:无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为:CBB电容(聚乙烯),涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

2、无极性可变电容;制作工艺:可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜,定片为镀有金属膜的陶瓷底;动片为同轴金属片,定片为有机薄膜片作介质;优点:容易生产,技术含量低。;缺点:体积大,容量小;用途:改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容;制作工艺:2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。;优点:无感,高频特性好,体积较小;缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。;用途:耦合/震荡,音响,模拟/数字电路,高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容;制作工艺:2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。;优点:有感,高频特性好,体积较小;缺点:不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差。;用途:耦合/震荡,模拟/数字电路,电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容;制作工艺:薄瓷片两面渡金属膜银而成。;优点:体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容);缺点:易碎,容量低;用途:高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容;制作工艺:云母片上镀两层金属薄膜;优点:容易生产,技术含量低。;缺点:体积大,容量小用途:震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小,其他同CBB,有感;用途:模拟/数字电路信号旁路/滤波,音响

7、有极性电解电容;制作工艺:两片铝带和两层绝缘膜相互层叠,转捆后浸在电解液中。;优点:容量大。;缺点:高频特性不好。;用途:低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容;制作工艺:用金属钽作为正极,在电解质外喷上金属作为负极。;优点:稳定性好,容量大,高频特性好。;缺点:造价高。;用途:高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯(涤纶)电容;符号:CL;电容量:40p--4u;额定电压:63--630V;主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差;应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容;符号:CB;电容量:10p--1u;额定电压:100V--30KV;主要特点:稳定,低损耗,体积较大;应用:对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容;符号:CBB;电容量:1000p--10u;额定电压:63--2000V;主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差;应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路

12、云母电容;符号:CY;电容量:10p--0。1u;额定电压:100V--7kV;主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小;应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容;符号:CC;电容量:1--6800p;额定电压:63--500V;主要特点:高频损耗小,稳定性好;应用:高频电路

14、低频瓷介电容;符号:CT;电容量:10p--4。7u;额定电压:50V--100V;主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差;应用:要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容;符号:CI;电容量:10p--0。1u;额定电压:63--400V;主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度);应用:脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容;符号:CD;电容量:0。47--10000u;额定电压:6。3--450V;主要特点:体积小,容量大,损耗大,漏电大;应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等

17、钽电解电容(CA)、铌电解电容(CN);电容量:0。1--1000u;额定电压:6。3--125V;主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容;应用:在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ;可变电容量:100--1500p;主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等;应用:电子仪器,广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ;可变电容量:15--550p;主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大;应用:通讯,广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ;符号: 可变电容量:1--29p;主要特点:损耗较大,体积小;应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ;符号: 可变电容量:0。3--22p;主要特点:损耗较小,体积较小;应用:精密调谐的高频振荡回路