4724kv瓷片电容作用

高压瓷片电容适合在电视机和接收机和扫描电路中使用
高压瓷片电容主要针对高频，高压瓷片电容主要取决你使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰
高压瓷片电容因为这些优良的特性而被大家广泛使用
最近看到一个问题：为什么高压瓷片电容有瓷缘表面闪络的状况出现
在暴雨过后很多电路都要进行维修,大家可以发现电路中的高压瓷片电容有瓷缘表面闪络现象
出现这种情况的原因是什么呢，不妨一起跟CG一起了解一下
CG小编认为引起电路中高压瓷片电容有瓷绝缘表面发生闪络的原因是：表面脏污、环境污染、恶劣天气（如雨、雪）和过电压都将产生表面闪络引起电容器损坏或跳闸，为此应对电容器组定期清扫，并对污秽地区采取防护措施
日常的一些必要的检查是一定要做的，这样才可以确保高压瓷片电容能正常使用

两种器件不能直接代换使用，但可变通后使用如下：
1、高压瓷片电容在老地方电视机中，多用于行输出级高压高频滤波。其耐压参数是根据电路位置工作电压高低，而设计取值的，不能任意改变；
2、其原电路中器件耐压2KV，容量101K 即100PF；而代换电容 1KV102K，容量为1000PF，容量大10倍。容量不是主要问题，重要的是耐压参数；
3、变通办法，将3个1KV102K电容串后，其耐压达到3KV，容量约为333PF，基本达到要求，可应急替换2KV的电容；
4、因行输出级高压小容量电容，均为高频滤波电容，并不参与行频时间常数调整，故容量要求较宽松，此法不会影响电路的正常工作状态。若不放心，可再多串联几个电容后代换使用。

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%