温度过高对陶瓷电容器造成的影响有哪些

许多应用在汽车、工业的陶瓷电容器温度需求是很严格的，一般需要电容工作在200左右还能应用的
但是一般普通的陶瓷电容往往只能在125℃以下应用，经过制造厂家多年不断地测试，一款适用于200℃应用的电容，多层陶瓷电容，这款实用在它工作电压和工作温度呈相关性
随着温度上升，加速因子的升高会非常显著
然而需要注意的是，基于C0G，X5R，X7R，或X8R电介质的电容，尽管可在200℃的高温下应用，但其性能可能会有一定的衰减
仅仅是热应力即可导致电气失效
当电容介质产生热量的速度高于其所能发散的速度时就会发生热击穿现象
这会提高介质的导电性，产生更多热量，但最终导致电容性能的不稳定，通常表现为温度的急剧上升
电容通过局部放电时所产生热量，可能足以熔化电介质材料
用户在决定某个电容是否适用于高温环境时，需要考虑热应力和温度上升对容值、耗散因子和绝缘电阻等基础电性能所产生的影响

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

在瓷片电容上，我们经常会看到电容上有101、102、104这样的标识。那么，这样的电容阻值是多少呢，如何计算其电容值，他们的耐压值是多大，让我们一起看看。
电容器阻值计算方法：
电容器常用数码标记阻值，通常使用三位数标法，其具体含义是：
电容上标识的前两位是有效数字，第三位是前面数字的位率(即10的多少次方)。
电容数码标法的单位是pF(皮法=10^(-12)法)。
下面举例说明，比如：
104 标识 10 x 10^4 = 100000pF，又等于 01uF
又如：100 是 10 x 10^0 = 10pF
105 是 10 x 10^5 = 1000000pF = 1uF
跟普通电阻一样，电容器阻值的单位也是“欧”。
瓷片电容(器)的分类：

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
MLCC(1类)—微型化，高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温，主要应用于高频电路中。
MLCC(2类)—微型化，高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本。主要应用于中低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。
(瓷片)电容、涤纶电容耐压值的判别方法：
1J代表 63X10=63V
2F代表 315X100=315V
3A代表 10x1000=1000V
1K代表 80x10=80V
数字最大为4，如4Z代表90000V。
电容器耐压的标注也有两种常见方法，一种是把耐压值直接印在电容器上，另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)。
还有，阿拉伯字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z
相对应的耐压值为

多层陶瓷电容器（MLCC）一般没有什么耐温的说法，只要注意到使用温度就可以了，一类瓷和二类瓷的使用温度在-55~+125度；
您的MLCC出现破裂，我认为是温度冲击造成的，就是升温或降温太快引起的，建议在焊接前进行预热。

您好，影响瓷片电容器容值的因素具体有芯片、陶瓷电容的材质y5p y5u y5v、工作环境等。
如果探讨的是一个实际的电容元件，还与以下因素有关：
1、温度：因为温度会影响材料的介电常数、极板尺寸、间距等
2、电压：有电压加在电容上的时候，可能会改变极板间距；
3、应力：同样，外力也可能会改变极板尺寸、间距等，某些传感器就是基于此原理工作的
4、气压、灰尘等：与湿度对电容的影响一样，容量也受气压、灰尘等因素的影响
5、电容厂家虚标容值，电容出厂的时候容值就不达标了。
选择瓷片电容还是要选择正规的电容生产厂家，不然的话出厂电容就不准了，后面发现电容容值不达标可能又会去找使用环境、测量机器精准度等了，台湾智旭JEC的电容不会虚标容值的哦，可以去看看。

随着科技进步及发展，高压陶瓷电容已随着各类电子产品走进你们生活当中，为了使用者的安全，对高压陶瓷电容的品质要求也是很高的，那么高压陶瓷电容的额定值及有关注意事项有些什么呢？1工作电压在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器2工作温度和自生热(适用于B/E/F特性)电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下务必考虑到电容器的自生热电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围测量时应使用01mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响过热可能会导致电容器特性及可靠性下降(切勿在冷却风扇运转时进行测量否则无法确保测量数据的精确性)3耐电压的测试条件(1)测试设备交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障(2)电压外加方法施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固;然后再将电压从近零增加到测试电压如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点测试结束时,测试电压应降到近零;然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障0V电压正弦波过零点是指电压正弦通过0V的位置4失效安全性当电容器损坏时,失效可能会导致短路为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散