瓷片电容的规格怎么辨别

瓷片电容和压敏电阻样子长得很像，都是蓝色远远的一小颗东西，有的人不清楚导致了瓷片电容和压敏电阻混用，轻则功能不正常，重则烧毁电路，虽然它们的样子像，但是作用功能可是完全不一样的哦，压敏电阻是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护灵敏器件，主要作用是承受的异常过电压，保护电路
而瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，主要作用是在低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用
一般在电路板上压敏电阻位置标，有：VSR,VDR,RV等字样的是压敏电阻，而瓷片电容是用“C”标识
压敏电阻它的外观颜色一般为蓝色大小一般有5D7D10D14D20D25D等，它的表面刻字都是以XD为开头然后下面接着10XK2XXK18XK等印子，那些印子表示压敏电阻的耐压，例如印有10D471K那么表示这是压敏电阻，然后直径为10mm，耐压为470V误差范围为百分之十
而瓷片电容外观颜色也是蓝色，外观和压敏电阻很像，但是没有用D来作为大小之分，一般印字都是直接印与10X1KV22X1KV等例如印有102M400V，表示这款瓷片电容容量为102耐压为400V误差范围百分之二十
大部分情况下我们都可以通过印字标识来识别到底是瓷片电容还是压敏电阻，但是可能会存在印字错误、印字不清晰、没有印字等情况，这个时候我们就要用仪器去测量才能商机用了，这样才能有保障

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=12PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=22pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为01 μF、误差为±5%

104是01uF，103是001uF
一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=022 uF

电容的外型多种多样 无机介质电容器:包括大家熟悉的陶瓷电容以及云母电容,就是LZ提到的电容篮色的是云母电容LY表示云母介质 E1KV表示耐压1000V 103M表示10nF(1uF=1000nF=1000000pF)=10000pF=001uF 数标法:一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是10的多少次方数字后面的字母表示误差,用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%
用指针万用表和数字万用表可判断瓷片电容的好坏,如果用指针式万用表，一般用R×10K档，将表笔分别接上电容的两极。这时万用表指针将瞬间的摆动(注意指针),摆动幅度非常的小,表明是好的如果指针不动或者显示的阻值很小并不动，可以肯定是坏。只是其容量就要用数字万用表电容档测试才能准确知道。

前两位，是有效数字，10就是10,，68就是68
后面一位代表倍率，后面的0的个数
单位为P法，
如103
就是10,000PF
001微法
104就是100,000PF
01微法
105就是1微法

电路图识别之磁珠和电感的区别篇
可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：
磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。
电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。
电阻器识别电阻
电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：
色别 第一位色环
（电阻值的第一位） 第二位色环
（电阻值的第二位） 第三位色环
（乘10的倍数） 第四位色环
（表误差）
棕
1
1
10
--
红 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黄 4 4 10000 --
绿 5 5 100000 --
蓝 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 01 +-005
银 -- -- 001 +-01
无色 -- -- -- +-02
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的
电容的基础知识
电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
电容的外形
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。有的数值，只限电解电容用。
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。
基础知识之上下拉电阻:
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为35V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。
常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、33V系列，25V系列和18V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·33V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有25V和18V两种。
1，TTL电平：
输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是04V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 33v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
6 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。
7还有
电路图中Vcc和Vdd的解释
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路
IC定义
IC ＝ Integrated circuit
集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。