电容的种类和用途
一、电容是一种经常使用到的电子元件，电容器是一种能储存电荷的容器．它是由两片得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质而组成的．按绝缘材料不同，可制成各种各样的电容器如：云母．瓷介．纸介，电解电容器等．下所示的就是一中电脑主板中用到的电解电容。
二、电容的种类：
常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
三、电容的作用：
1、滤波：
滤波是电容的作用中很重要的一部分。几乎所有的电源电路中都会用到。从理论上(即假设电容为纯电容)说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越小高频越容易通过。具体用在滤波中,大容量电容滤低频，小容量电容滤去高频。
2、旁路：
旁路电容的主要功能是产生一个交流分路，即当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输入端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉(这是因为电容对高频阻抗小)，而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大。
3、去耦：
“去耦”又称为“解耦”。如上图所示旁路电容是接在信号输入端的，而去耦电容是接在信号输出端的，这俩个电容都是起到抗干扰的作用，我们先说说去耦电容在电路中的作用。
去耦电容起到一个电池的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的提供一条低阻抗泄放途径。高频旁路电容一般比较小，而去耦合电容一般比较大，依据电路中分布参数，以及驱动 电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。
4、储能：
说到储能第一个想到的就是电池，但电容收集的是电荷属于物理反应，电池属于分解化学反应，常见的电容储能有充磁机，电容电焊机等通过高电压大电流的场合，在使用电容储能时一般用大电容或者若干的小电容并联组成的电容组。具体容量和耐压由应根据需求选择。
5、耦合：
电容的耦合又称“电场耦合” 耦合是指信号由第一级向第二级传递的过程，一般不加注明时往往是指交流耦合。
从电路来说，总是可以区分为驱动电源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻(特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹)，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作。这就是耦合。
6、谐振：
利用电容和其他无源元件所产生的电压与电流之间的变化，实际是利用了电容充放电的特性。一般有电容的并联谐振和串联谐振，亦可以通过谐振电容的串并联组合成陷波器等工程应用的滤波器。
7、时间常数：
时间常数是指：表示过渡反应的时间过程的常数。指该物理量从最大值衰减到最大值的1/e所需要的时间。在电容中的时间常数常见的是RC电路中，当输入信号电压加在输入端时，电容(C)上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻(R)、电容(C)的特性通过下面的公式描述：i = (V/R)e-(t/CR)
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
电容的种类很多，常见的有铝电解电容、钽电解电容（以上容量较大），云母电容、涤纶电容、陶瓷电容、独石电容、极板电容等。电容的用途主要是滤波、耦合、移相、存储电荷等，可用于电源电路、振荡电路、放大电路、采样保持电路等很多用途。
最常见的符号是代表两极板的两条平行线加上代表引脚的直线，有些图中用一条弧线替换两条平行线中下边的一条，大容量的电解电容往往用扁长的矩形方框代表电容的负极，可变电容则另加一条带箭头的斜线。
电容器是电子设备中常用的电子元件,下面对几种常用电容器的结构和特点作以简要介绍。
1、铝电解电容器：它是由铝圆筒做负极、里面装有液体电解质,插人一片弯曲的铝带做正极制成还需经直流电压处理,做正极的片上形成一层氧化膜做介质其特点是容量大、但是漏电大、稳定性差、有正负极性,适于电源滤波或低频电路中,使用时,正、负极不要接反
2、钽铌电解电容器：它用金属钽或者铌做正极,用稀硫酸等配液做负极,用钽或铌表面生成的氧化膜做介质制成其特点是：体积小、容量大、性能稳定、寿命长绝缘电阻大温度性能好,用在要求较高的设备中
3、陶瓷电容器：用陶瓷做介质在陶瓷基体两面喷涂银层,然后烧成银质薄膜作极板制成其特点是：体积小、耐热性好、损耗小、绝缘电阻高,但容量小,适用于高频电路铁电陶瓷电容容量较大,但损耗和温度系数较大,适用于低频电路
4、云母电容器：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板,极板和云母一层一层叠合后,再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成其特点是：介质损耗小、绝缘电阻大温度系数小,适用于高频电路
5、薄膜电容器：结构相同于纸介电容器,介质是涤纶或聚苯乙烯涤纶薄膜电容,介质常数较高,体积小、容量大、稳定性较好,适宜做旁路电容聚苯乙烯薄膜电容器,介质损耗小、绝缘电阻高,但温度系数大,可用于高频电路
6、纸介电容器：用两片金属箔做电极,夹在极薄的电容纸中,卷成圆柱形或者扁柱形芯子,然后密封在金属壳或者绝缘材料壳中制成它的特点是体积较小,容量可以做得较大但是固有电感和损耗比较大,适用于低频电路
7、金属化纸介电容器：结构基本相同于纸介电容器,它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代金属箔,体积小、容里较大,一般用于低频电路
8、油浸纸介电容器：它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里,能增强其耐压其特点是电容量大、耐压高,但体积较大此外,在实际应用中,第一要根据不同的用途选择不同类型的电容器；第二要考虑到电容器的标称容量,允许误差、耐压值、漏电电阻等技术参数；第三对于有正、负极性的电解电容器来说,正、负极在焊接时不要接反。
