同样是10微法的胆电容,电解电容,无极电容 它们之间有区别吗

电容器的基本作用就是充电与放电，由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象，使得电容器有着种种不同的用途，例如在电动马达中，我们用它来产生相移，在照相闪光灯中，用它来产生高能量的瞬间放电等等，而在电子电路中，电容器不同性质的用途尤多，这许多不同的用途，虽然也有截然不同之处，但因其作用均系来自充电与放电，例如傍路电容实际上亦可称为平滑滤波电容。
以下就一般习惯的称呼做为分类，来说明电容器在不同电路中的作用和基本要求。
1 直流充放电电容
电容器的基本作用既是充电和放电，于是直接利用此充电和放电的功能便是电容器的主要用途之一 。
在此用途中的电容器，在供给能量高于需求时即予吸收并储存，而当供给能量低于需求或没有能量供给时，此储存的能量即可放出。
在整流电路，二极管仅导通下半周的电流，在导通期间把电能储存于电容器上，在负半周时，二极管不导电，此时负载所需的电能唯赖电容器供给。
2 电源平滑滤波及反交连电容
前述的电源整流电路中的充放电电容，因有充电及放电时间之分，故必然会有纹波存在，为了尽可能降低纹波率，可另加一电容，此电容即纯为平滑纹波之用。 电容充电的时候电流 电压是变化的，这些都是以时间为基础，随着时间变化。越往后，电流越小，电压越大，知道充满，电流为0，电压为电源电压。放电是相反的

1钽电容器的工作介质是在钽金属表面生成的一层极薄的五氧化二钽膜。在钽电容器工作过程中，具有自动修补或隔绝氧化膜中的疵点所在的性能，使氧化膜介质随时得到加固和恢复其应有的绝缘能力，而不致遭到连续的累积性破坏。这种独特自愈性能，保证了其长寿命和可靠性的优势。但这种钽电容有个最大的缺点，就是抗过流（指纹波电流）能力很弱，非常容易爆炸，所以设计时千万别放在电源的入口。

2 这几年新推出了一种聚合物钽电容，这种钽电容抗过流能力强，而且不会爆炸。基美和AVX都有生产，但因为价格成本原因目前用户并不太多。

3 军用钽电容的结构工艺和生产工艺是一样的，只是在军用设备里对温度要求抗震要求比较高，所以军用设备里电解电容的用量相对少一些，而且军用设备很少考虑设计成本，所以有的军用设备就大量地使用钽电容来代替铝电解电容,这样对电容量要求就比较大，对耐压要求也高，前两天刚跟一个生产钽电容的厂家一起讨论钽电容的一些问题，从中了解到他们在给海南一个军工企业供应钽电容，电容的材料没有太大区别，具体技术他们没有透露，只是容量、耐压、外形都很大，有680UF/35V，470UF/35V,这种电容市场上是没有卖的。

4我了解到的C0G属于CG组里的一种， 属1类陶瓷介质，也就是说C0G（注意是数字0不是字母O)是陶瓷电容的一种，电气性能稳定，基本上不随时间、温度、电压变化，适用于高可靠、高稳定的高额、特高频场合。

特性：

电容范围 1pF～01uF (1±02V rms 1MHz)

环境温度： -55℃～+125℃ 组别：CG

温度特性： 0±30ppm/℃

损耗角正切值： 15x10-4

绝缘电阻： ≥10GΩ

抗电强度： 25倍额定电压 5秒 浪涌电流：≤50毫安

5X7R属于EIA标准里的二类陶瓷电容，其相同体积下，X7R的容量做的比C0G大很多，C0G只能做小容量的，一般常见的就1000P以下，X7R容量今年应该可以做到102-22UF,我们有在使用，2R1应该是没有的，现在新出的还有X8R,无论是C0G、X7R、Y5V ，都只是用于制作陶瓷电容的材质特性，详细如下表：

6各种电容的特性对比请参考下表：分别是陶瓷电容、固态电容、钽电容、铝电解电容的对比

（不知道如何插入多张，如有需要请提供邮箱地址，我给您发过去）

根据电容的种类不同，电容的作用不同：

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。

2、去耦

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

3、滤波

由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。

用电容档直接检测

某些数字万用表具有测量电容的功能，其量程分为2000p、20n、200n、2μ和20μ五档。测量时可将已放电的电容两引脚直接插入表板上的Cx插孔，选取适当的量程后就可读取显示数据。

2000p档，宜于测量小于2000pF的电容；20n档，宜于测量2000pF至20nF之间的电容；200n档，宜于测量20nF至200nF之间的电容；2μ档，宜于测量200nF至2μF之间的电容；20μ档，宜于测量2μF至20μF之间的电容。

经验证明，有些型号的数字万用表（例如DT890B+）在测量50pF以下的小容量电容器时误差较大，测量20pF以下电容几乎没有参考价值。此时可采用串联法测量小值电容。