壮观的期待
2026-02-11 05:10:02
IC 为 Integrated Circuit(集成电路块)之英文缩写，业界一般以 IC 的封装形式来划分其类型，传统 IC 有 SOP、SOJ、QFP、PLCC 等等，现在比较新型的 IC 有 BGA、CSP、FLIP CHIP 等等，这些零件类型因其 PIN (零件脚)的多寡大小以及 PIN 与 PIN 之间的间距不一样，呈现出各种各样的形状。
1、SOP(Small outline Package):零件两面有脚，脚向外张开（一般称为鸥翼型引脚）
2、SOJ(Small outline J-lead Package):零件两面有脚，脚向零件底部弯曲（J 型引脚）。
3、QFP(Quad Flat Package):零件四边有脚，零件脚向外张开。
4、PLCC(Plastic Leadless Chip Carrier):零件四边有脚，零件脚向零件底部弯曲。
5、BGA(Ball Grid Array):零件表面无脚，其脚成球状矩阵排列于零件底部。
6、CSP（CHIP SCAL PACKAGE）：零件尺寸包装。
扩展资料：
电子封装元件：
1、AE, ANT:天线（antenna）
2、B:电池（battery）
3、BR:桥式整流器（bridge rectifier）
4、C:电容器（capacitor）
5、CRT:阴极射线管（cathode ray tube）
6、D或CR:二极管（diode）
7、DSP:数字信号处理器（digital signal processor）
8、F:保险丝（fuse）
9、FET:场效晶体管（field effect transistor）
10、GDT:气体放电管（gas discharge tube）
11、IC:集成电路（integrated circuit）
12、J:跳线或跳接点（jumper）
13、JFET:结型场效应管（junction gate field-effect transistor）
参考资料来源：百度百科-贴片元器件封装形式
参考资料来源：百度百科-电子封装
满意的黑裤
2026-02-11 05:10:02
贴片电阻电容的封装,现在常有的有0201, 0402, 0603, 0805, 1206 等 ,,,
0201, 0402 零件很小,没有丝印,一般在手机里比较常见
0201 是零件的实体尺寸,意思是指零件 的长和宽 , 长02就是20mil(英制) 01就是10mil
那么0402就是40mil X 20mil
0603 60mil X 30mil
0805 80mil X 50mil
1206 120mil X 60mil
如下图:0603 是零件的实体尺寸, 实际封装的焊盘要大一点
留胡子的小甜瓜
2026-02-11 05:10:02
瓷片电容分类Ⅰ类瓷介电容和Ⅱ类瓷介电容
温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±03ΔC
NPO电容的漂移或滞后小于±005%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±01%
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好
应用在电容稳定性有要求的场合
Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大
Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器
Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用
陶醉的外套
2026-02-11 05:10:02
这个太多，可以说各种各样，五花八门啦，分类就很多
a电解电容
b固态电容
c陶瓷电容
d钽电解电容
e云母电容
f玻璃釉电容
g聚苯乙烯电容
h玻璃膜电容
i合金电解电容
j绦纶电容
k聚丙烯电容
l泥电解
m有极性有机薄膜电容
n铝电解电容
然后每种电容还有不同封装形式，甚至有的不用公司尺寸还不一样的。
风趣的太阳
2026-02-11 05:10:02
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
