什么是 电瓷片电容
是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。(是以陶瓷材料为介质的电容器。)特点就是耐压高,2KV到3KV耐压的都有。陶瓷有1类瓷,2类瓷,3类瓷之分。1类瓷:NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不了太大。 2类瓷:X7R次之,温度特性和电压特性较好。 3类瓷:介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种。瓷片电容一般做成片式,陶瓷电容一般做成管式。瓷片电容>介电容器: 瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率,在低压低功率中又可分为I型(CC型)和II型(CT型)。I型(CC型)特点是体积小, 损耗低,电容对频率,温度稳定性都较高,常用于高频电路。II型(CT型)特点是体积小,损耗大,电容对温度频率,稳定性都较差,常用于低频电路。CC1型圆片高频瓷介电容 适用于谐振回路及其他电路做温度补偿,耦合,隔直使用。损耗:《0025绝缘电阻:10000mohm 试验电压:200v 允许偏差:5p(+-05p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M)温度系数:-150--- -1000PPM/C环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% CT1型圆形瓷片低频电容: 环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差:101—472 (+-10%) 472-403(+80-- -20%)CC01圆形瓷片电容: 环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差:5p(+-05p) 6-10p(+-1P) 10p以上(J,K,M) 温度系数:1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM 56—180P –750(+-250)PPM 180—390P –1300(+-250)PPM 430—820P –3300(+-500)PPMCT01圆形瓷片电容: 环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《005绝缘电阻:1000mohm 允差:+80 -20%容量:1000-47000p 工作电压:63v 试验电压:200v CC10 超高频瓷介电容 可用于《500MHZ下,环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度:加速度10g 冲击:加速度25g 离心:加速度15g允差:k容量:1-47p工作电压:500v CC11,CT11园片无引线瓷片电容 该电容特为高频头设计,频率特性好。CC11直流电压:250V标称容量:3—39P损耗:《00015 绝缘》10000mohmCT11直流电压:160V标称容量:240—1500 绝缘》2500mohmCT82,CC82高压高功率瓷片电容:环境温度:-25—85C 相对湿度:+40C时达98%大气 压力40000PA 震动:加速度15g 冲击:加速度15g额定电压:1—4kv 试验电压:25—8kv允差:K,M 独石瓷介电容器:CC4D独石瓷介电容器 环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力6666PA损耗《1510(-4)容量:100-100000p工作电压:40v 试验电压:120vCT4D独石瓷介电容器 环境温度:-55—85C 相对湿度:+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0035容量:0033-22uf工作电压:40v-100v 试验电压:3UW允差:+80-20%CC2,CT2管形瓷介电容器与片形瓷介电容相比,机械强度高,用作旁路时内电极屏蔽性能好,用在高频电阻杂散耦合好,缺点是固有谐振频率低,制造工艺复杂,产量低。 CT2 损耗《004绝缘电阻<1000mohm 试验电压:480v 使用条件:-55—85c相对湿度:40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器 CC3损耗《00015 容量:33-1000P 允差:K,M 工作电压:100VCCTD损耗《0035 容量:470-33000P 允差:+80-20% 工作电压:250V CCTF损耗《004 容量:10000-47000P 允差:+80-20% 工作电压:160VCC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容 该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。 CC52E-1C 容量:2-33P工作电压:63V 绝缘电阻:10000mohm损耗:《00015 CC53-2C 容量:1000-1500P工作电压:160V 绝缘电阻:1000mohm损耗《0035CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量:470P工作电压:10KV 绝缘电阻:10000mohmCCG81型板形高功率瓷介电容:使用于大功率高频电子设备中。容量:1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率:100KVA最大电流:25A 最大重量:13KG
CMOS集成电路常用的电容有:
电解电容:用于隔直流,通交流。其容量较大,一般在数微法到数十微法之间。
瓷片电容:用于隔直流,通交流。体积较小,容量较小,一般在几皮法到几十皮法之间。
独石电容:用于隔直流,通交流。容量较大,可达几百皮法。
涤纶电容:用于隔直流,通交流。容量较大,可达几百皮法。
电解电容器:一种特种电容器,主要用于高压和大电流的电路中。
不同的CMOS集成电路使用的电容器可能会有所不同,因此在使用电容器时需要根据具体的电路图和相关参数进行选择。