瓷片电容包含哪些

陶瓷电容器具有耐热性能好，绝缘性能优良，结构简单，价格低廉等优点，但不同陶瓷材料其特性有非常大的差异，必须根据使用要求正确选用

陶瓷电容按频率特性分有高频瓷介电容器（1类瓷）和低频瓷介电容器（2类瓷）；按耐压区分有高压瓷介电容器（1KVDC以上）和低压瓷介电容器（500VDC以下）

陶瓷电容器虽有上述很多优点，但因陶瓷材料本身机械强度低、易破碎这一缺陷，使其圆片的几何尺寸受到限制，这也是不同温度特性有不同容量范围的主要原因

通常标准上对低压50V-100V圆片电容的允许直径13mm,高压电容的圆片允许直径21mm

如超过这一尺寸，生产加工难度和废品率机会有很大的增加，并且在瓷片本体上产生的微小裂纹都将对电容器的可靠性产生很大的隐患

因不同厂家在材料研制和工艺制造方面的水平不同，其外形尺寸标准也有差异，故其容量标称范围也有部分区别

今后随着材料工艺的进一步提高，陶瓷电容的尺寸会进一步缩小，其容量范围就会进一步扩大

圆片式瓷介电容器和包封形式通常按压区分，500VDC以下的低压产品均采用酚醛树脂包装，该树脂绝缘强度和耐湿性较差，但成本较低

1KVDC以上和交流电容系列，均采用绝缘强度和耐湿特性优良的阻燃环氧树脂包封

陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。

陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。

Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。

Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%

X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%

X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%

NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器

瓷片电容颜色用较广的有蓝色和土黄陶瓷电容

蓝色陶瓷电容因用环氧树脂包封，所以防潮性好，耐电性能强

土黄陶瓷电容因用酚醛包封而成，所以易爱潮，耐压低

瓷片电容按瓷介电容电介质又分：1.类电介质(NP0,C0G)；2.类电介质(X7R,2X1)；3.类电介质(Y5V,2F4)优点：稳定，绝缘性好，耐高压缺点：容量比较小其作用1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用

温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好

应用在电容稳定性有要求的场合

Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大

Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器

Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用

什么是瓷片电容？瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路的电容器及垫整电容器，按容量分为可调堦的可变电容器及和容量固定的固定电容器

瓷片电容按频率分为高频瓷片电容和低频瓷片电容

高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小（tgδ瓷片电容有什么特点呢？高频电容，容量小；频率高；损耗小；工作稳定

低频电容，体积小；容量大；耐电压高；价格低

瓷片电容的作用瓷片电容MLCC(1类)微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中

瓷片电容MLCC(2类)微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本

主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用

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