10P以下的瓷片电容有没有±0.5的误差
瓷片电容在10PF一下一般用BCD档表示,D档表示正负0.5PF误差,C档正负0.25PF误差,通常在1-10PF左右,小数点的容量就用B档表示,正负0.1PF误差,当然,BCD是国巨的命名规格,其他家就不知道了。
你好:
【如果】电容器测量值是准确的,那么误差就太大了,达到了 48% ,从标称值看应该是不正常的。
电容器的【误差】,(按照最低等级)不应该超过 20% !
瓷片电容的标称容量的误差范围 电容的工作温度范围
X ±0.001% A -10℃
E ±0.005% B -25℃
L ±0.01%C -40℃
P ±0.02%D -55℃
W ±0.05% E -65℃
B ±0.1% O +55℃
C ±0.25%T +70℃
D ±0.5% 2 +85℃
F ±1% 3 +100℃
G ±2% 4 +125℃
J ±5%5 +155℃
K ±10% 6 +200℃
M ±20% 7 +250℃
N ±30%
H ±100%
不标注为+100%-20%
R+100%-10%
T +50%-10%
Q +30%-10%
S +50%-20%
如果嫌误差大,换个误差小的级别买.
472J是5%的正负误差,上限是4700 x1.05下限是4700 x0.95
472k是10%的正负误差, 上限是4700 x1.1下限是4700 x0.9
下面是常用的允差表
Z :+80% -20%
M :±20%
K :±10%
J :±5%
G :±2%
F :±1%
D :±0.5
C :±0.25
单位不一样,472m(豪法)与472p(皮法)不同。
472m电容是4700P,误差20%,472P电容就是472P, 相差10倍。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
按瓷介电容电介质又分:1类电介质(NP0,C0G),2类电介质(X7R,2X1)和3类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器。EIA RS-198。
4n7是4.7nF
223是22nF,J表示精度±5%
104是100nF
109是10000μF
224是220nF,K表示精度±10%
68表示68pF
瓷片电容222M/2kv 表示22*10^2pf=2200pf=2.2nf,耐压2千伏,最大容量误差为20%。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V,容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。
瓷片电容的识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法 (nF),1纳法=1000皮法(pF)。
扩展资料:
陶瓷电容有二个端子的非极性元件,早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器,比晶体管问世的时间要早,在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备(如广播接收器)中,后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止,由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势,陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。
EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class 1的非温度补偿型电容,第一个字对应工作温度的下限,第二个字为数字,对应工作温度的上限,第三个字对应在温度范围内的电容值变动。
陶瓷电容的电感性较其他主要电容器(薄膜电容或电解电容)要低,因此适用于高频的应用,一般可以到达数百MHz,若在电路上进行微调,甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率,需要使用更昂贵及少见的电容,例如玻璃电容或云母电容。
参考资料来源:百度百科——瓷片电容
参考资料来源:百度百科——电容值