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贴片陶瓷电容开裂是什么原因

能干的夕阳
天真的长颈鹿
2023-04-24 12:16:28

贴片陶瓷电容开裂是什么原因?

最佳答案
彩色的可乐
笑点低的外套
2026-02-23 14:49:21

贴片陶瓷电容最主要的失效模式断裂。贴片陶瓷电容器作常见的失效是断裂,这是贴片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的由于贴片陶瓷电容器直接焊接在电路板上,直接承受来自于电路板的各种机械应力,而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力因此,对于贴片陶瓷电容器来说,由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是贴片陶瓷电容器断裂的最主要因素。陶瓷贴片电容器机械断裂后,断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压,会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏陶瓷贴片电容器。尽可能的减少电路板的弯曲、减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力、减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓,如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装,如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。引起机械裂纹的主要原因有两种。第一种是挤压裂纹,它产生在元件拾放在PCB板上的操作过程。第二种是由于PCB板弯曲或扭曲引起的变形裂纹。挤压裂纹主要是由不正确的拾放机器参数设置引起的,而弯曲裂纹主要由元件焊接上PCB板后板的过度弯曲引起的。

最新回答
魁梧的哈密瓜
冷酷的电脑
2026-02-23 14:49:21

请提供具体参数,在什么温度下,那一段频率的增益下降,下降多少使用什么芯片,电路图为何?
大哥你做军品的啊?
-20℃?
会不会是因为温度比较低,电解电容容值会发生变小,LC滤波网络的频率参数发生了变化。
你可以在低温下,用数字电桥测量一下你的电解电容的容值先。
这样吧,先确定频率是在哪里衰减了,拿上示波器,在滤波网络之前,滤波网络之后,放大器输入和输出端分别测试,找出衰减在什么地方。
我们再重点研究,这样瞎猜太盲目了。先找找看。

简单的手链
超帅的鸭子
2026-02-23 14:49:21
陶瓷电容就是介质材料为陶瓷的电容器,根据陶瓷材料的不同,可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类,按结构形式分类,又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种
陶瓷电容在工作时的热循环过程中会使陶瓷电容的温度升高,那么温度升高了对陶瓷电容的容量有影响吗?我们进行了热循环试验,以102陶瓷电容为例,电容量变化率随温度变化曲线
从20℃降低到-100℃的冷冰阶段,随着温度的下降,其电容量变化率负向增大
然后进行加热阶段,随着温度的升高到0℃,其电容量变化率正向增大,随着温度继续升高到100℃,其电容量变化率负向增大,然后随着电容器自然冷冰回到30℃,其电容量变化率正向增大
由此可以得出:在温度从-100℃升高到100℃当过程中,温度低于℃,陶瓷封装电容器具有正的温度系数,当温度高于℃,陶瓷封装电容器具有负的温度系数
然后再一次的热循环试验中经不同次数热循环后发现对于102陶瓷电容的前400次热循环电容量变化率比较缓慢,在400次热循环以后,随着热循环次数的增加,其电容量变化率大幅度的的向负方向漂移
根据电容器技术条件规定为:D小于004,小于百分之二十的失效标准,102陶瓷电容已经失效,随着循环次数的增加,其电容量变化率变化幅度和速率逐渐增大
由于陶瓷电容的电容量变化率主要取决于电介质的温度特性,通常介电常数都在几千以上,随着温度的降低钛酸钡从立方顺电体相转变为正方形的铁电体相,再转变为正交相,对应这两个转变,钛酸钡的介电常数随温度变化的曲线上有两个峰值
添加物的存在使钛酸钡基陶瓷的介电常数变化的峰值明显减小,并却向低温方向偏移,这类介质具有铁电特性

故意的小鸽子
超级的河马
2026-02-23 14:49:21
瓷片电容做为电子元器件,早已出现在各类电子产品中,应用极为广泛
什么是瓷片电容?瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路的电容器及垫整电容器,按容量分为可调堦的可变电容器及和容量固定的固定电容器
瓷片电容按频率分为高频瓷片电容和低频瓷片电容
高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小(tgδ瓷片电容有什么特点呢?高频电容,容量小;频率高;损耗小;工作稳定
低频电容,体积小;容量大;耐电压高;价格低
瓷片电容的作用瓷片电容MLCC(1类)微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中
瓷片电容MLCC(2类)微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本
主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用
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