传说，当初刘伯温修建北京城皇宫的时候，皇上和他的儿子燕王(朱隶)打算把宫殿修盖得间量多点儿、大点儿，总觉得皇上住的地方应当特别华贵，不然就显不出天子的尊严。这天，皇上正要传旨宣刘伯温，就在这个节骨眼儿上，刘伯温来了。
刘伯温一见皇上就说：“启奏万岁，臣昨天夜里做了一个梦，梦见玉皇大帝把臣召到凌霄殿上对臣说：你朝皇帝要修盖皇宫，你告诉他!天宫宝殿是一千间，凡间宫殿万不可超过天宫。你还要告诉他，要请三十六金刚、七十二地煞去保护凡间皇城，才能够风调雨顺国泰民安，你要牢牢记住’。玉皇大帝说完这些话，就扑过来一阵白茫茫的香雾，一下就把臣吓醒啦！”
皇上听了觉着很怪，想了想，就下旨叫刘伯温去监造不到一千间，可还得跟天宫差不多间量的皇宫，并去请金刚、地煞来保护皇官。刘伯温领旨就办去了，这事儿一下子就在北京城传开了，老百姓都等着要看刘伯温怎样修盖皇宫，怎样去请三十六金刚、七十二地煞这些神仙来保护皇宫。
过了些日子，刘伯温就把事儿全都办好了。皇上一看那宫殿盖得甭提有多华贵了，间量还真是不到一千间也差不多，再看宫院里金光闪闪，好像有神仙镇守。皇上愈看愈高兴，当时传旨，给刘怕温加封进爵，还赏赐了很多珠宝。外邦听说刘伯温请了天神三十六金刚、七十二地煞保护皇城，也就不敢兴兵作乱了。
后来人们才知道，原来故宫里的宫殿是九百九十九间半;天神三十六金刚就是宫殿门口摆着的三十六口包金大缸;七十二地煞就是故宫里的七十二条地沟。
扩展资料
北京故宫是中国明清两代的皇家宫殿，旧称紫禁城，位于北京中轴线的中心，是中国古代宫廷建筑之精华。北京故宫以三大殿为中心，占地面积72万平方米，建筑面积约15万平方米，有大小宫殿七十多座，房屋九千余间。是世界上现存规模最大、保存最为完整的木质结构古建筑之一。
北京故宫于明成祖永乐四年（1406年）开始建设，以南京故宫为蓝本营建，到永乐十八年（1420年）建成。它是一座长方形城池，南北长961米，东西宽753米，四面围有高10米的城墙，城外有宽52米的护城河。
紫禁城内的建筑分为外朝和内廷两部分。外朝的中心为太和殿、中和殿、保和殿，统称三大殿，是国家举行大典礼的地方。内廷的中心是乾清宫、交泰殿、坤宁宫，统称后三宫，是皇帝和皇后居住的正宫。
北京故宫被誉为世界五大宫之首（法国凡尔赛宫、英国白金汉宫、美国白宫、俄罗斯克里姆林宫），是国家AAAAA级旅游景区，1961年被列为第一批全国重点文物保护单位；1987年被列为世界文化遗产。
参考资料来源：百度百科-北京故宫
碳化硅（SiC）陶瓷，具有抗氧化性强，耐磨性能好，硬度高，热稳定性好，高温强度大，热膨胀系数小，热导率大以及抗热震和耐化学腐蚀等优良特性。因此，已经在石油、化工、机械、航天、核能等领域大显身手，日益受到人们的重视。例如，SiC陶瓷可用作各类轴承、滚珠、喷嘴、密封件、切削工具、燃汽涡轮机叶片、涡轮增压器转子、反射屏和火箭燃烧室内衬等等。
SiC陶瓷的优异性能与其独特结构密切相关。SiC是共价键很强的化合物，SiC中Si-C键的离子性仅12％左右。因此，SiC强度高、弹性模量大，具有优良的耐磨损性能。纯SiC不会被HCl、HNO3、H2SO4和HF等酸溶液以及NaOH等碱溶液侵蚀。在空气中加热时易发生氧化，但氧化时表面形成的SiO2会抑制氧的进一步扩散，故氧化速率并不高。在电性能方面，SiC具有半导体性，少量杂质的引入会表现出良好的导电性。此外，SiC还有优良的导热性。
SiC具有α和β两种晶型。β－SiC的晶体结构为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α－SiC存在着4H、15R和6H等100余种多型体，其中，6H多型体为工业应用上最为普遍的一种。在SiC的多种型体之间存在着一定的热稳定性关系。在温度低于1600℃时，SiC以β－SiC形式存在。当高于1600℃时，β－SiC缓慢转变成α－SiC的各种多型体。4H－SiC在2000℃左右容易生成；15R和6H多型体均需在2100℃以上的高温才易生成；对于6H－SiC，即使温度超过2200℃，也是非常稳定的。SiC中各种多型体之间的自由能相差很小，因此，微量杂质的固溶也会引起多型体之间的热稳定关系变化。
现就SiC陶瓷的生产工艺简述如下：
一、SiC粉末的合成：
SiC在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发现，因此，工业上应用的SiC粉末都为人工合成。目前，合成SiC粉末的主要方法有：
1、Acheson法：
这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至2500℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Al和Fe等杂质，在制成的SiC中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿色，杂质多的呈黑色。
2、化合法：
在一定的温度下，使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的β－SiC粉末。
3、热分解法：
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在1200～1500℃的温度范围内发生分解反应，由此制得亚微米级的β－SiC粉末。
4、气相反相法：
使SiCl4和SiH4等含硅的气体以及CH4、C3H8、C7H8和（Cl4等含碳的气体或使CH3SiCl3、（CH3）2 SiCl2和Si（CH3）4等同时含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此制备纳米级的β－SiC超细粉。
二、碳化硅陶瓷的烧结
1、无压烧结
1974年美国GE公司通过在高纯度β－SiC细粉中同时加入少量的B和C，采用无压烧结工艺，于2020℃成功地获得高密度SiC陶瓷。目前，该工艺已成为制备SiC陶瓷的主要方法。美国GE公司研究者认为：晶界能与表面能之比小于1．732是致密化的热力学条件，当同时添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2还原除去，提高表面能，因此B和C的添加为SiC的致密化创造了热力学方面的有利条件。然而，日本研究人员却认为SiC的致密并不存在热力学方面的限制。还有学者认为，SiC的致密化机理可能是液相烧结，他们发现：在同时添加B和C的β－SiC烧结体中，有富B的液相存在于晶界处。关于无压烧结机理，目前尚无定论。
以α－SiC为原料，同时添加B和C，也同样可实现SiC的致密烧结。
研究表明：单独使用B和C作添加剂，无助于SiC陶瓷充分致密。只有同时添加B和C时，才能实现SiC陶瓷的高密度化。为了SiC的致密烧结，SiC粉料的比表面积应在10m2／g以上，且氧含量尽可能低。B的添加量在0．5％左右，C的添加量取决于SiC原料中氧含量高低，通常C的添加量与SiC粉料中的氧含量成正比。
最近，有研究者在亚微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃温度下实现SiC的致密烧结。由于烧结温度低而具有明显细化的微观结构，因而，其强度和韧性大大改善。
2、热压烧结
50年代中期，美国Norton公司就开始研究B、Ni、Cr、Fe、Al等金属添加物对SiC热压烧结的影响。实验表明：Al和Fe是促进SiC热压致密化的最有效的添加剂。
有研究者以Al2O3为添加剂，通过热压烧结工艺，也实现了SiC的致密化，并认为其机理是液相烧结。此外，还有研究者分别以B4C、B或B与C，Al2O3和C、Al2O3和Y2O3、Be、B4C与C作添加剂，采用热压烧结，也都获得了致密SiC陶瓷。
研究表明：烧结体的显微结构以及力学、热学等性能会因添加剂的种类不同而异。如：当采用B或B的化合物为添加剂，热压SiC的晶粒尺寸较小，但强度高。当选用Be作添加剂，热压SiC陶瓷具有较高的导热系数。
3、热等静压烧结：
近年来，为进一步提高SiC陶瓷的力学性能，研究人员进行了SiC陶瓷的热等静压工艺的研究工作。研究人员以B和C为添加剂，采用热等静压烧结工艺，在1900℃便获得高密度SiC烧结体。更进一步，通过该工艺，在2000℃和138MPa压力下，成功实现无添加剂SiC陶瓷的致密烧结。
研究表明：当SiC粉末的粒径小于0．6μm时，即使不引入任何添加剂，通过热等静压烧结，在1950℃即可使其致密化。如选用比表面积为24m2／g的SiC超细粉，采用热等静压烧结工艺，在1850℃便可获得高致密度的无添加剂SiC陶瓷。
另外，Al2O3是热等静压烧结SiC陶瓷的有效添加剂。而C的添加对SiC陶瓷的热等静压烧结致密化不起作用，过量的C甚至会抑制SiC陶瓷的烧结。
4、反应烧结：
SiC的反应烧结法最早在美国研究成功。反应烧结的工艺过程为：先将α－SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β－SiC，并与α－SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而得到无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8％的游离Si。因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整最初混合料中α－SiC和C的含量，α－SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。
实验表明，采用无压烧结、热压烧结、热等静压烧结和反应烧结的SiC陶瓷具有各异的性能特点。如就烧结密度和抗弯强度来说，热压烧结和热等静压烧结SiC陶瓷相对较多，反应烧结SiC相对较低。另一方面，SiC陶瓷的力学性能还随烧结添加剂的不同而不同。无压烧结、热压烧结和反应烧结SiC陶瓷对强酸、强碱具有良好的抵抗力，但反应烧结SiC陶瓷对HF等超强酸的抗蚀性较差。就耐高温性能比较来看，当温度低于900℃时，几乎所有SiC陶瓷强度均有所提高；当温度超过1400℃时，反应烧结SiC陶瓷抗弯强度急剧下降。（这是由于烧结体中含有一定量的游离Si，当超过一定温度抗弯强度急剧下降所致）对于无压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷，其耐高温性能主要受添加剂种类的影响。
总之，SiC陶瓷的性能因烧结方法不同而不同。一般说来，无压烧结SiC陶瓷的综合性能优于反应烧结的SiC陶瓷，但次于热压烧结和热等静压烧结的SiC陶瓷。
6月14日，记者从金银河子公司江西安德力公司获悉，金银河全资孙公司江西金德锂的2万吨碳酸锂项目环评公示日前已结束。从江西省安义县政府网站信息来看，此项目两次公示均已完成。项目所在地政府网站信息，此项目投产后，碳酸锂和副产品（铷、铯、矾、钾、硅）的理论年产值可达近200亿元。
前不久，该项目已开工。安义县人民政府网消息，5月19日上午，南昌市举办2022年第二季度重大项目集中开工活动，安义县共有9个项目纳入此次集中开工项目，活动连线的现场是江西金德锂碳酸锂项目所在地。
金银河2万吨碳酸锂项目，原由全资子公司安德力负责建设，今年转由金德锂建设。安义县生态环境局5月23日发布的《环境影响报告书征求意见稿》显示，该碳酸锂项目位于江西省安义县工业园，由在年产6000吨碳酸锂项目的基础上，新增投资2012亿元扩建而成，产品为电池级碳酸锂，年产量20000吨。项目预计建设期18个月，预计2023年12月投入运行。而当地政府网站相关报道中的内容显示，项目将在今年9月完成建设。
目前，宜春已有多家企业具备云母提锂技术和成熟产线，其中，南氏锂电拥有首条全球规模最大的锂云母制备年产6万吨电池级碳酸锂智能化生产线，在碳酸锂项目投产后，江西金德锂将成为宜春又一家规模化生产电池级碳酸锂的企业。
与现有云母提锂项目相比，金德锂碳酸锂项目具有技术先进性、综合利用高效、清洁化生产程度高和高值化等特点。
据《中国有色金属报》报道，2021年9月25日，由中国有色金属学会组织的江西安德力“锂云母资源高值化清洁利用工艺技术与装备”项目科学技术成果评价会在江西南昌召开。金银河等单位以“清洁”“高效”“高值化”和“综合利用”的理念，经过多年的深入研究与试验，开发出锂云母二段硫酸低温矿相重构、混合硫酸盐溶液元素自平衡连续盐析等核心技术以及全密闭式连续生产装备与控制系统，形成了锂云母资源高值化清洁利用全套工艺技术与装备，取得重大技术突破。
该项目的技术经济指标突出，可将锂云母中90%以上的锂和钾、95%以上的铷和铯、85%以上的铝、98%以上的硅分别以碳酸锂（电池级）、硫酸钾、铷盐、铯盐、明矾和高白度硅砂（满足陶瓷釉料要求）等高值化产品形式产出，实现了锂云母资源的高值、清洁、综合利用，并显著提升了该种资源的利用价值。评价咨询专家一致认为，该项目技术实现了锂云母全组分清洁低成本开发，是锂云母高值利用的新途径，促进了锂云母资源提锂行业的科技进步，整体技术达到国际领先水平，建议加快推广应用。
南氏锂电6万吨碳酸锂项目书显示，锂云母和浓硫酸的混料在400~500℃烘干处理成熟料。安义县生态环境局发布的《环境影响报告书征求意见稿》对金德锂2万吨碳酸锂项目描述的生产工艺则是，焙烧段：锂云母和浓硫酸混酸均匀后的物料，在 200℃条件下焙烧 2小时；烘干段：窑内温度为 300℃，烘干时长为 2小时。
在固废产生量上，南氏锂电6万吨碳酸锂项目书称，其云母提锂技术采取酸法焙烧工艺，副产品为磷酸锂，项目固废主要包括危险废物废机油、废活性炭，及浸出渣、净化渣、除铁渣、精滤渣等。其中，浸出渣、除杂渣等产生量较大，厂内总固废产量约为115 万吨/年，若未及时处理，会造成固废大量堆积，影响生产。
安义县生态环境局发布的《环境影响报告书征求意见稿》显示，江西金德锂的碳酸锂项目采用新型低温硫酸法综合提取碱金属工艺，具有资源回收率高、副产品多等优势，可实现锂、钾、钠、铷、铯的有效分离和综合利用。
作为锂离子电池正极材料的关键原料，目前电池级碳酸锂的市场需求旺盛，平均报价在465万元/吨-495万元/吨。华宝证券指出，根据市场需求及库存情况，预测今年三四季度电池级碳酸锂价格将维持在48万-50万元高位震荡。
公开资料显示，江西金德锂新能源科技有限公司是金银河的全资孙公司，于2021年2月成立。经营范围包括，矿产资源（非煤矿山）开采，锂云母提锂综合加工及开发利用，电池级碳酸锂、碳酸铷、硫酸铯、硫酸铝钾、硅砂等的研发、生产、销售。
据安义县政府网站的消息，江西金德锂以3-5年IPO上市科创板为目标，目前公司已建成一条年产300吨锂云母中试线并成功连续运转。目前中试线，年产300吨，产值1亿元。年产2万吨生产线投产后，碳酸锂和副产品（铷、铯、矾、钾、硅）的理论年产值可达近200亿元。（
