电容有哪些封装

c:是电容的单位代码
0805：代表电容的尺寸规格，0805=20mmx12mm
KR:电容容值误差代码，KR=+-10%
X7R:电容的分类代码，X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器
9bb：耐压值，9bb=50V
821：代表电容大小。821=820pf
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如有疑问请追问，答题不易

您好，多层陶瓷电容具由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效样式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力和温度冲击时电容时好时坏。陶瓷电容失效的类型和表现主要有三种：1、热击失效2、扭曲破裂失效3、原材失效。

1、陶瓷电容热击失效模式：

热击失效的机理是：在生产多层陶瓷电容时，运用各类兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象，这类破裂往往从构造弱及机器构造集成时发生，通常是在接近外露端接和陶瓷端接的界面处、产生机器张力的地方。

2、陶瓷电容扭曲破裂失效

导致的破裂失效：当进行零件的取放尤其是零件取放时，取放的定中爪由于磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集成起来的压力，会造成较大的压力或切断率，继而呈现破裂点。这些破裂现象通常为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂通常会沿着强的压力线及陶瓷位移的方向。真空检拾头导致的损坏或破裂﹐通常会在芯片的表面呈现一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容具的底部破损。

以后制造阶段导致的破裂失效：电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及后面组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡经过后把电路板拉直，都有可能造成‘扭曲破裂’这项的损坏。在机器力效果下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范畴受端位及焊点限控，破裂就会在陶瓷的端接界面处呈现，这类破裂会从呈现的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。

3、陶瓷电容原材失效

1）电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙，或电介质层与相对电极间存在的空隙引起，使电极间是电介质层裂开，成为潜伏性的漏电危机。

2）燃烧破裂的特性与电极垂直，且通常源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话，则它们应是由燃烧所引起。

以上就是陶瓷电容器失效的类型和表现，希望能帮到您哦，台湾智旭JEC也有生产陶瓷电容，具有各种国际认证，可以去看看哦。

电容生产厂家太多了，除非是名牌厂家的资料，你根绝它的资料画封装，但要买对应的型号，否则你只能根据实物画封装，实际中每次画PCB板子基本上都要做几种封装。当然PCB库里有常用器件的封装，找不到了再自己做封装
偏置电容、去耦电容，可以使用瓷片、独石和贴片电容，目前最常用的是贴片电容，质量好且价格低。瓷片电容质量要差一些
有空可以来我的博客看看：
>瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=12PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=22pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为01 μF、误差为±5%