瓷片电容的读数与之间如何换算

如今这个时代是属于电力的时代，而依托着电力这个强大的载体，也产生了众多的分支和不计其数的创造，从半导体到集成芯片等等的创造，无不让这个社会发生着日新月异的改变。而众多的小元器件也与我们的生活息息相关，有人需要研究它，而有人需要创造它，更多的人需要使用它，瓷片电容就是一种这样的器件，今天我们一起来看看瓷片电容的耐压问题。

电容的标称及识别方法：

1直标法：如果数字是0001，那它代表的是0001uF=1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。

2不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，05为05pF

3色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV。

电容的容量标识的几种方法：

一、直接标识：如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。

二、使用单位nf：如上图的涤纶电容，标称4n7，即47nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即001uf;33n，即0033uf。后面的63是指电容耐压63v

三、数学计数法：如瓷介电容，标值104，容量就是： 10x10000pf=01uf如果标值473，即为47X1000pf=0047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。又如：332=33X100pf=3300pf。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。

电容识别：

1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

2、电容识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=10 3毫法=10 6微法=10 9纳法=10 12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022 uF

3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。

那么上述就是如何识别瓷片电容的一些参数的方法，笔者总结的还是比较全面的，相信可以帮助有不同需求上的朋友。而这类器件，我们讲参数决定一切，质量决定一切，意思就是，必须选好刚刚好的参数，否则是无效的，或者讲不能用。那么各位再选购的时候一定需要注意，识别相关的电容等要细致，那么今天的瓷片电容识别的方法就给大家介绍到这里。

土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：电路图识别之磁珠和电感的区别篇
可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：
磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。
电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。
电阻器识别电阻
电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：
色别 第一位色环
（电阻值的第一位） 第二位色环
（电阻值的第二位） 第三位色环
（乘10的倍数） 第四位色环
（表误差）
棕
1
1
10
--
红 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黄 4 4 10000 --
绿 5 5 100000 --
蓝 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 01 +-005
银 -- -- 001 +-01
无色 -- -- -- +-02
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的
电容的基础知识
电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
电容的外形
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。有的数值，只限电解电容用。
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。
基础知识之上下拉电阻:
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为35V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。
常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、33V系列，25V系列和18V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·33V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有25V和18V两种。
1，TTL电平：
输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是04V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 33v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
6 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。
7还有
电路图中Vcc和Vdd的解释
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路
IC定义
IC ＝ Integrated circuit
集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。

这是一款常用的高压陶瓷电容，102是容量，k是属性级别，1kv是电压，具体规格是y5p-102k/kv
常规的脚距和脚长是525，1kv产品分为蓝色和土两种颜色，一般都是以蓝色为主色。

-- 电容的型号命名
电容的型号命名：
1） 各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：
第一部分：用字母表示名称，电容器为C。
第二部分：用字母表示材料。
第三部分：用数字表示分类。
第四部分：用数字表示序号。
2） 电容的标志方法：
（1） 直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。
（2） 文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B——±01pF，C——±02pF，D——±05pF，F——±1pF。
（3） 色标法：和电阻的表示方法相同，单位一般为pF。小型电解电容器的耐压也有用色标法的，位置靠近正极引出线的根部，所表示的意义如下表所示：
颜色 黑 棕 红 橙 黄 绿 蓝 紫 灰
耐压 4V 63V 10V 16V 25V 32V 40V 50V 63V
（4） 进口电容器的标志方法：进口电容器一般有6项组成。
第一项：用字母表示类别：
第二项：用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。
第三项：温度补偿型电容器的温度特性，有用字母的，也有用颜色的，其意义如下表所示：
序号 字母 颜色 温度系数 允许偏差 字母 颜色 温度系数 允许偏差
1 A 金 +100 R 黄 -220
2 B 灰 +30 S 绿 -330
3 C 黑 0 T 蓝 -470
4 G ±30 U 紫 -750
5 H 棕 -30 ±60 V -1000
6 J ±120 W -1500
7 K ±250 X -2200
8 L 红 -80 ±500 Y -3300
9 M ±1000 Z -4700
10 N ±2500 SL +350~-1000
11 P 橙 -150 YN -800~-5800
备注：温度系数的单位10e -6/℃；允许偏差是 % 。
第四项：用数字和字母表示耐压，字母代表有效数值，数字代表被乘数的10的幂。
第五项：标称容量，用三位数字表示，前两位为有效数值，第三为是10的幂。当有小数时，用R或P表示。普通电容器的单位是pF，电解电容器的单位是uF。
第六项：允许偏差。用一个字母表示，意义和国产电容器的相同。
也有用色标法的，意义和国产电容器的标志方法相同。
3． 电容的主要特性参数：
（1） 容量与误差：实际电容量和标称电容量允许的最大偏差范围。一般分为3级：I级±5%，II级±10%，III级±20%。在有些情况下，还有0级，误差为±20%。
精密电容器的允许误差较小，而电解电容器的误差较大，它们采用不同的误差等级。
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005级——±05%；F——01级——±1%；G——02级——±2%；J——I级——±5%；K——II级——±10%；M——III级——±20%。
（2） 额定工作电压：电容器在电路中能够长期稳定、可靠工作，所承受的最大直流电压，又称耐压。对于结构、介质、容量相同的器件，耐压越高，体积越大。
（3） 温度系数：在一定温度范围内，温度每变化1℃，电容量的相对变化值。温度系数越小越好。
（4） 绝缘电阻：用来表明漏电大小的。一般小容量的电容，绝缘电阻很大，在几百兆欧姆或几千兆欧姆。电解电容的绝缘电阻一般较小。相对而言，绝缘电阻越大越好，漏电也小。
（5） 损耗：在电场的作用下，电容器在单位时间内发热而消耗的能量。这些损耗主要来自介质损耗和金属损耗。通常用损耗角正切值来表示。
（6） 频率特性：电容器的电参数随电场频率而变化的性质。在高频条件下工作的电容器，由于介电常数在高频时比低频时小，电容量也相应减小。损耗也随频率的升高而增加。另外，在高频工作时，电容器的分布参数，如极片电阻、引线和极片间的电阻、极片的自身电感、引线电感等，都会影响电容器的性能。所有这些，使得电容器的使用频率受到限制。
不同品种的电容器，最高使用频率不同。小型云母电容器在250MHZ以内；圆片型瓷介电容器为300MHZ；圆管型瓷介电容器为200MHZ；圆盘型瓷介可达3000MHZ；小型纸介电容器为80MHZ；中型纸介电容器只有8MHZ。

电子元件识别
电阻的第1幅
图1，9 普通电阻 图2 电阻排 图3 ，5 贴片电阻。图4，10 水泥电阻。图6 功率电阻。图7 变阻器。图8 柱形贴片电阻。图10，11 光敏电阻
电阻的第2幅
图1，2，3，4 大功率电阻。图5，6，7，8压敏电阻。图9 线绕陶瓷电阻
电阻的第3幅
电容分类-各种电容器
各种电容器第1幅
图1 胆电容。图2 灯具电容器。 图3 MKPH电容。图4 MET电容。图5，10 PEI电容，图6，胆贴片电容。图7 MPE电容。图8贴片电容。图11 轴向电解电容器。图12 MPP电容
各种电容器第2幅
图1 PPN电容。图2 PET电容。图3 MEA电容 图4MPB 电容。图5 PPT 电容。图6 MPT电容。图7电解电容器。图8 MET电容。图9 MKPH电容。图10，11电机用电容。图12 MKS电容。
各种电容器第3幅：
图1 MKS电容。图2 瓷片电容。图3 ，4 MKP电容。图5 贴片电解电容。图6 史普瑞电容 Sprague Orange Drop Capacitors。图7 电机用电容。图8 MKT电容。 图9陶瓷
各种电容器第4幅：
图1 MKS电容。图3，8 云母电容。图4 MPP电容。图5 MKP电容。图9 MEP电容。图10 MPP电容。图11 PPN电容。图12 PEI电容。
各种电容器第5幅：
图1，2，3，陶瓷电容器。图4 色环陶瓷电容。图5，10，11，电机起动及运行电容器。图12充放电用电容
各种电容器第6幅：
图1 双连调谐电容。图2微调电容。图3 四连调谐电容。图4 单连调谐电容
二极管的第1幅：
图1 一般指高压二极管。图2汽车发电机用二极管。图3，5玻璃封装小电流二极管。图4 砷化镓红外发光二极管。图6 激光二极管。图7 双二极管。图8 大电流二极管模块。图9 大电流二极管。图10，11 发光二极管数码管
二极管的第2幅：
图1，2，3，4 普通二极管。图5柱形贴片二极管。图6，7贴片二极管
二极管的第3幅：
图1，2，3，4，5螺栓大电流二极管。图7，8，9，10，11辫式螺栓大电流二极管
二极管的第4幅：各种发光二极管
三极管识别第1幅：各种三极管封装晶体三极管
三极管识别第2幅：各种三极管
注意：有些象第2幅，除图1，7以外，有的是单个二极管或双二极管。使用时要注意。
轻触按键开关第1幅：部分轻触按键开关尺寸
轻触按键开关实物第2幅：轻触按键开关

作为无源元件之一的电容，其作用不外乎以下几种：
1、应用于电源电路，实现旁路、去藕、滤波和储能的作用。下面分类详述之：
1 旁路
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。 为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。
2 去藕
去藕，又称解藕。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。
去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取01μF、001μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。
旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
3 滤波
从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过，电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。
曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。
4 储能
储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。
2、应用于信号电路，主要完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用：
1 耦合
举个例子来讲，晶体管放大器发射极有一个自给偏压电阻，它同时又使信号产生压降反馈到输入端形成了输入输出信号耦合， 这个电阻就是产生了耦合的元件，如果在这个电阻两端并联一个电容， 由于适当容量的电容器对交流信号较小的阻抗，这样就减小了电阻产生的耦合效应，故称此电容为去耦电容。
2 振荡/同步
包括RC、LC 振荡器及晶体的负载电容都属于这一范畴。
3 时间常数
这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：
i = (V / R)e - (t / CR)
话说电容之二：电容的选择
通常，应该如何为我们的电路选择一颗合适的电容呢？笔者认为，应基于以下几点考虑：
1、静电容量；
2、额定耐压；
3、容值误差；
4、直流偏压下的电容变化量；
5、噪声等级；
6、电容的类型；
7、电容的规格。
那么，是否有捷径可寻呢？其实，电容作为器件的外围元件，几乎每个器件的 Datasheet 或者 Solutions，都比较明确地指明了外围元件的选择参数，也就是说，据此可以获得基本的器件选择要求，然后再进一步完善细化之。其实选用电容时不仅仅是只看容量和封装，具体要看产品所使用环境，特殊的电路必须用特殊的电容。
下面是 chip capacitor 根据电介质的介电常数分类， 介电常数直接影响电路的稳定性。
• NP0 or CH （K < 150）： 电气性能最稳定，基本上不随温度﹑电压与时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的高频电路。鉴于K 值较小，所以在0402、0603、0805 封装下很难有大容量的电容。如 0603 一般最大的 10nF以下。
• X7R or YB （2000 < K < 4000）： 电气性能较稳定,在温度﹑电压与时间改变时性能的变化并不显著（ΔC < ±10%）。适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的全频鉴电路。
• Y5V or YF（K > 15000）： 容量稳定性较 X7R 差（ΔC < +20% ～ -80%），容量﹑损耗对温度、电压等测试条件较敏感，但由于其K 值较大，所以适用于一些容值要求较高的场合。
话说电容之三：电容的分类
电容的分类方式及种类很多，基于电容的材料特性，其可分为以下几大类：
1 铝电解电容
电容容量范围为01μF ～ 22000μF，高脉动电流、长寿命、大容量的不二之选，广泛应用于电源滤波、解藕等场合。
2 薄膜电容
电容容量范围为01pF ～ 10μF，具有较小公差、较高容量稳定性及极低的压电效应，因此是X、Y 安全电容、EMI/EMC 的首选。
3 钽电容
电容容量范围为22μF ～ 560μF，低等效串联电阻（ESR）、低等效串联电感（ESL）。脉动吸收、瞬态响应及噪声抑制都优于铝电解电容，是高稳定电源的理想选择。
• 陶瓷电容
电容容量范围为05pF ～ 100μF，独特的材料和薄膜技术的结晶，迎合了当今“更轻、更薄、更节能“的设计理念。
• 超级电容
电容容量范围为0022F ～ 70F，极高的容值，因此又称做“金电容”或者“法拉电容”。主要特点是：超高容值、良好的充/放电特性，适合于电能存储和电源备份。缺点是耐压较低，工作温度范围较窄。
话说电容之四：多层陶瓷电容（MLCC）
对于电容而言，小型化和高容量是永恒不变的发展趋势。其中，要数多层陶瓷电容（MLCC）的发展最快。
多层陶瓷电容在便携产品中广泛应用极为广泛，但近年来数字产品的技术进步对其提出了新要求。例如，手机要求更高的传输速率和更高的性能；基带处理器要求高速度、低电压；LCD 模块要求低厚度（05mm）、大容量电容。 而汽车环境的苛刻性对多层陶瓷电容更有特殊的要求：首先是耐高温，放置于其中的多层陶瓷电容必须能满足150℃ 的工作温度；其次是在电池电路上需要短路失效保护设计。
也就是说，小型化、高速度和高性能、耐高温条件、高可靠性已成为陶瓷电容的关键特性。
陶瓷电容的容量随直流偏置电压的变化而变化。直流偏置电压降低了介电常数， 因此需要从材料方面，降低介电常数对电压的依赖，优化直流偏置电压特性。
应用中较为常见的是 X7R（X5R）类多层陶瓷电容， 它的容量主要集中在1000pF 以上，该类电容器主要性能指标是等效串联电阻（ESR），在高波纹电流的电源去耦、滤波及低频信号耦合电路的低功耗表现比较突出。另一类多层陶瓷电容是 C0G 类，它的容量多在 1000pF 以下， 该类电容器主要性能指标是损耗角正切值 tgδ(DF)。传统的贵金属电极（NME）的 C0G产品 DF 值范围是 (20 ～ 80) × 10-4，而技术创新型贱金属电极（BME）的C0G 产品 DF 值范围为 (10 ～ 25) × 10-4， 约是前者的 31 ～ 50%。 该类产品在载有 T/R 模块电路的 GSM、CDMA、无绳电话、蓝牙、GPS 系统中低功耗特性较为显著。较多用于各种高频电路，如振荡/同步器、定时器电路等。话说电容之五：钽电容替代电解电容的误区
通常的看法是钽电容性能比铝电容好，因为钽电容的介质为阳极氧化后生成的五氧化二钽，它的介电能力（通常用ε 表示）比铝电容的三氧化二铝介质要高。因此在同样容量的情况下，钽电容的体积能比铝电容做得更小。（电解电容的电容量取决于介质的介电能力和体积，在容量一定的情况下，介电能力越高，体积就可以做得越小，反之，体积就需要做得越大）再加上钽的性质比较稳定，所以通常认为钽电容性能比铝电容好。
但这种凭阳极判断电容性能的方法已经过时了，目前决定电解电容性能的关键并不在于阳极，而在于电解质，也就是阴极。因为不同的阴极和不同的阳极可以组合成不同种类的电解电容，其性能也大不相同。采用同一种阳极的电容由于电解质的不同，性能可以差距很大，总之阳极对于电容性能的影响远远小于阴极。还有一种看法是认为钽电容比铝电容性能好，主要是由于钽加上二氧化锰阴极助威后才有明显好于铝电解液电容的表现。如果把铝电解液电容的阴极更换为二氧化锰， 那么它的性能其实也能提升不少。
可以肯定，ESR 是衡量一个电容特性的主要参数之一。 但是，选择电容，应避免 ESR 越低越好，品质越高越好等误区。衡量一个产品，一定要全方位、多角度的去考虑，切不可把电容的作用有意无意的夸大。
---以上引用了部分网友的经验总结。
普通电解电容的结构是阳极和阴极和电解质，阳极是钝化铝，阴极是纯铝，所以关键是在阳极和电解质。阳极的好坏关系着耐压电介系数等问题。一般来说，钽电解电容的ESR 要比同等容量同等耐压的铝电解电容小很多，高频性能更好。如果那个电容是用在滤波器电路（比如中心为50Hz 的带通滤波器）的话，要注意容量变化后对滤波器性能（通带）的影响。
话说电容之六：旁路电容的应用问题
嵌入式设计中，要求 MCU 从耗电量很大的处理密集型工作模式进入耗电量很少的空闲/休眠模式。这些转换很容易引起线路损耗的急剧增加，增加的速率很高，达到 20A/ms 甚至更快。
通常采用旁路电容来解决稳压器无法适应系统中高速器件引起的负载变化，以确保电源输出的稳定性及良好的瞬态响应。旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。应该明白，大容量和小容量的旁路电容都可能是必需的，有的甚至是多个陶瓷电容和钽电容。这样的组合能够解决上述负载电流或许为阶梯变化所带来的问题，而且还能提供足够的去耦以抑制电压和电流毛刺。在负载变化非常剧烈的情况下，则需要三个或更多不同容量的电容，以保证在稳压器稳压前提供足够的电流。快速的瞬态过程由高频小容量电容来抑制，中速的瞬态过程由低频大容量来抑制，剩下则交给稳压器完成了。
还应记住一点，稳压器也要求电容尽量靠近电压输出端。
话说电容之七：电容的等效串联电阻ESR
普遍的观点是：一个等效串联电阻（ESR）很小的相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。但是，有时这样的选择容易引起稳压器（特别是线性稳压器 LDO）的不稳定，所以必须合理选择小容量和大容量电容的容值。永远记住，稳压器就是一个放大器，放大器可能出现的各种情况它都会出现。
由于 DC/DC 转换器的响应速度相对较慢，输出去耦电容在负载阶跃的初始阶段起主导的作用，因此需要额外大容量的电容来减缓相对于 DC/DC 转换器的快速转换，同时用高频电容减缓相对于大电容的快速变换。通常，大容量电容的等效串联电阻应该选择为合适的值，以便使输出电压的峰值和毛刺在器件的Dasheet 规定之内。
高频转换中，小容量电容在 001μF 到01μF 量级就能很好满足要求。表贴陶瓷电容或者多层陶瓷电容（MLCC）具有更小的 ESR。另外，在这些容值下，它们的体积和 BOM 成本都比较合理。如果局部低频去耦不充分，则从低频向高频转换时将引起输入电压降低。电压下降过程可能持续数毫秒，时间长短主要取决于稳压器调节增益和提供较大负载电流的时间。
用 ESR 大的电容并联比用 ESR 恰好那么低的单个电容当然更具成本效益。然而,这需要你在 EDAPCB/PCBjishu/" target="_blank" >PCB 面积、器件数目与成本之间寻求折衷。
话说电容之八：电解电容的电参数
这里的电解电容器主要指铝电解电容器，其基本的电参数包括下列五点：
1 电容值
电解电容器的容值，取决于在交流电压下工作时所呈现的阻抗。因此容值，也就是交流电容值，随着工作频率、电压以及测量方法的变化而变化。在标准JISC 5102 规定：铝电解电容的电容量的测量条件是在频率为 120Hz，最大交流电压为 05Vrms，DC bias 电压为15 ～ 20V 的条件下进行。可以断言，铝电解电容器的容量随频率的增加而减小。
2 损耗角正切值 Tan δ
在电容器的等效电路中，串联等效电阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比称之为 Tan δ， 这里的 ESR 是在 120Hz 下计算获得的值。显然，Tan δ 随着测量频率的增加而变大，随测量温度的下降而增大。
3 阻抗 Z
在特定的频率下，阻碍交流电流通过的电阻即为所谓的阻抗（Z）。它与电容等效电路中的电容值、电感值密切相关，且与 ESR 也有关系。
Z = √ [ESR2 + (XL - XC)2 ]
式中，XC = 1 / ωC = 1 / 2πfC
XL = ωL = 2πfL
电容的容抗（XC）在低频率范围内随着频率的增加逐步减小，频率继续增加达到中频范围时电抗（XL）降至 ESR 的值。当频率达到高频范围时感抗（XL）变为主导，所以阻抗是随着频率的增加而增加。
4 漏电流
电容器的介质对直流电流具有很大的阻碍作用。然而，由于铝氧化膜介质上浸有电解液，在施加电压时，重新形成的以及修复氧化膜的时候会产生一种很小的称之为漏电流的电流。通常，漏电流会随着温度和电压的升高而增大。
5 纹波电流和纹波电压
在一些资料中将此二者称做“涟波电流”和“涟波电压”，其实就是 ripplecurrent，ripple voltage。 含义即为电容器所能耐受纹波电流/电压值。 它们和ESR 之间的关系密切，可以用下面的式子表示：
Urms = Irms × R
式中，Vrms 表示纹波电压
Irms 表示纹波电流
R 表示电容的 ESR
由上可见，当纹波电流增大的时候，即使在 ESR 保持不变的情况下，涟波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低 ESR 值的原因。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。
话说电容之九：电容器参数的基本公式
1 容量（法拉）
英制： C = ( 0224 × K • A) / TD
公制： C = ( 00884 × K • A) / TD
2 电容器中存储的能量
E = ½ CV2
3 电容器的线性充电量
I = C (dV/dt)
4 电容的总阻抗（欧姆）
Z = √ [ RS2 + (XC – XL)2 ]
5 容性电抗（欧姆）
XC = 1/(2πfC)
6 相位角 Ф
理想电容器：超前当前电压 90º
理想电感器：滞后当前电压 90º
理想电阻器：与当前电压的相位相同
7 耗散系数 (%)
DF = tan δ （损耗角）
= ESR / XC
= (2πfC)(ESR)
8 品质因素
Q = cotan δ = 1/ DF
9 等效串联电阻ESR（欧姆）
ESR = (DF) XC = DF/ 2πfC
10 功率消耗
Power Loss = (2πfCV2) (DF)
11 功率因数
PF = sin δ (loss angle) – cos Ф (相位角)
12 均方根
rms = 0707 × Vp
13 千伏安KVA （千瓦）
KVA = 2πfCV2 × 10-3
14 电容器的温度系数
TC = [ (Ct – C25) / C25 (Tt – 25) ] × 106
15 容量损耗(%)
CD = [ (C1 – C2) / C1 ] × 100
16 陶瓷电容的可靠性
L0 / Lt = (Vt / V0) X (Tt / T0)Y
17 串联时的容值
n 个电容串联：1/CT = 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn
两个电容串联：CT = C1 • C2 / (C1 + C2)
18 并联时的容值
CT = C1 + C2 + … + Cn
19 重复次数（Againg Rate）
AR = % ΔC / decade of time
上述公式中的符号说明如下：
K = 介电常数
A = 面积
TD = 绝缘层厚度
V = 电压
t = 时间
RS = 串联电阻
f = 频率
L = 电感感性系数
δ = 损耗角
Ф = 相位角
L0 = 使用寿命
Lt = 试验寿命
Vt = 测试电压
V0 = 工作电压
Tt = 测试温度
T0 = 工作温度
X , Y = 电压与温度的效应指数。
话说电容之十：电源输入端的X,Y 安全电容
在交流电源输入端，一般需要增加三个电容来抑制EMI 传导干扰。
交流电源的输入一般可分为三根线：火线（L）/零线（N）/地线（G）。在火线和地线之间及在零线和地线之间并接的电容，一般称之为Y 电容。这两个Y电容连接的位置比较关键，必须需要符合相关安全标准，以防引起电子设备漏电或机壳带电，容易危及人身安全及生命，所以它们都属于安全电容，要求电容值不能偏大，而耐压必须较高。一般地，工作在亚热带的机器，要求对地漏电电流不能超过07mA；工作在温带机器，要求对地漏电电流不能超过035mA。因此，Y 电容的总容量一般都不能超过4700pF。
根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容，
1 X电容是指跨于L-N之间的电容器，
2 Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。
(L=Line, N=Neutral, G=Ground)
X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差别在于:
1 X1耐高压大于25 kV, 小于等于4 kV,
2 X2耐高压小于等于25 kV,
3 X3耐高压小于等于12 kV
Y电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差别在于:
1 Y1耐高压大于8 kV,
2 Y2耐高压大于5 kV,
3 Y3耐高压 n/a
4 Y4耐高压大于25 kV
X,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容
它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模工扰起滤波作用
安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全 安规电容安全等级 应用中允许的峰值脉冲电压 过电压等级（IEC664） X1 >25kV ≤40kV Ⅲ X2 ≤25kV Ⅱ X3 ≤12kV —— 安规电容安全等级 绝缘类型 额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘 ≥ 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘 ≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。GJB151规定Y电容的容量应不大于01uF。Y电容除符合相应的电网电压耐压外，还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护人身安全具有重要意义
在滤波电路上有X电容，就是跨接L-N线；Y电容就是N-G线。
在安规标准上有按脉冲电压分X1,X2,X3电容；按绝缘等级来分Y1,Y2,Y3来分。
（这些都不是按什么材质来分的，以后多学习。）
至于安规标准各个国家有一些差别，但额定电压无非就是250和400。
各大厂家做的安规电容就是要满足这个安规标准的需求，一个安规电容可以满足Y电容的要求，也有可以做成满足X电容要求。所以就有的安规电容上标X1Y1,X1Y2
火线与0线之间接个电容就是是X,而火线与地线之间接个电容像个Y。
由于火线与0线直接电容，受电压峰值的影响，避免短路，比较注重的参数就是耐压等级，在电容值上没有定限制值。
火线与地线直接电容要涉及到漏电安全的问题，因此它注重的参数就是绝缘等级
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