瓷片电容问题。。。
是的:原理图(1)中的这103改成104应当问题不大,因为,在图中有个R4电位器是可调节输出的大小, 原理图(2)中的这103改成104我看问题也不大,原因是,这个电容的本意是接地,因此,改用104不影响其波形 不过在RC振荡电路中影响其充放电时间的是不能改的,其次在要求较高的选频电路中也是一样
电容器刚接入电路(本来不带电),开关闭合,充电,一会儿后由不带电量变得带电。
断开后不与外界接触,电量不变,但是一会儿后,电量总会减少,相当于放电;本来带电,接入回路,放电,电量变少。
一般情况下,电容器相当于断路。考虑到电流情况,直流一定是断路(无论电流大小);低频交流也是断路,只有高频交流才是通路,不考虑电流大小。
充电:由于电源正负极有电势差,所以电荷在电场力的作用下定向移动向电容器的极板充电,随着所充电荷的增加,合电场减小,充电电流减小,磁场能减小,电场能增加……
扩展资料电容器的充电和放电
电容器的充电和放电过程是非线性的,充电电流和放电电流都不是一个恒定值,而是逐渐变小。对于电压而言,电压变化的速率也会逐渐变小。此外,时间常数只是一个时间间隔,它并不代表电容完全充电或放电所需要的时间。实际上,电容经过 5 个时间常数才可以完全充电或者放电。
指数曲线可以用数学公式来精确计算,下列给出了瞬时电压和电流呈指数级增大或衰减时对应的一般公式:
其中,VF 和 IF 是电压和电流最终的值,Vi 和 Ii 是初始电压和初始电流的值。小写的斜体字 v 和 i 是电容器电压和电流在时间 t 的瞬时值,e 是自然对数的底数。
其推导过程如下:
提出公共因子 VF,得到:
若电容器的初始状态未充电,利用公式一可以计算电容器在任何时刻的充电电压值。不仅如此,将 v 用 i 代替,VF 用 IF 代替,公式一就可以计算充电的电流值。
检测方法
1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
2、检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。
3、对于001μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
扩展资料
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
1MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。
2MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
参考资料来源:百度百科-瓷片电容
参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏