B 102K的瓷片电容耐压是多少

332M为3300pF=33nF=00033μF，M——III级精度——误差±20%。
331为330pF=033nF=000033μF
68为68pF
682为6800pF=68nF=00068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=01μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =068μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：10V G： 40V B:：125V W:：45V C:：16V H:：50V D： 20V
J:：63V E:：25V K:：80V F:：315V Z:：90V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为10×10^2=100V； 2J就表示耐压为63×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——005级——±05%；
F——01级——±1%；
G——02级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。

★ 561=560pf，30=30pf
表示方法：
瓷片电容： 多数在1μF以下，
①直接用数字表示。如： 10、22、0047、01 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0047μF、220μF 等。
②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：
前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。
如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0047μF ，
“ 103”即（10+000）pF=10000PF=001μF等等， 这种表示法已经相当普遍。

瓷片电容、涤纶电容耐压值的判别方法
1J代表 63×10=63V
2F代表 315×100=315V
3A代表 10×1000=1000V
1K代表 80×10=80V
数字最大为4，如4Z代表90000V。
电容器耐压的标注也有两种常见方法，一种是把耐压值直接印在电容器上，另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V（伏）。
字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z
耐压值 10/125/16/20/25/315/40/50/63/80/90

电容的最大单位是F，再就是μF、pF、nF。它们之间的进率是1F=1000μF=1000pF=1000nF。22是pF103中的3代表3个0，那就是10000pF。都不能用，你应该把电子元件好好学一下，你连最基本的都不懂，搞电子是不行的！！

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%