高温共烧陶瓷发热片的介绍

耐磨陶瓷片处理技术有哪些特点

1、内衬陶瓷片采用互锁式结构，在钢管内经上形成一个完整的圆形结构，环环相扣形成一个机械自锁力，使陶瓷片不易脱落。陶瓷块紧贴钢管内壁互压贴附，衔接牢固，保证瓷块不脱落。

2、陶瓷片表面光滑，使粉尘输送阻力减小，陶瓷片错列布置，耐撞击，单个瓷块间横向间隙不大于01㎜，竖向间隙不大于02㎜，相邻的两块高度差不大于02㎜。

3、耐磨陶瓷片硬度85值以上，耐磨耐腐蚀。

耐磨陶瓷片耐磨弯头

耐磨陶瓷片处理技术

纳米陶瓷专利技术集
1、zno陶瓷薄膜的制备方法
2、zno陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法
3、保健纳米镀银陶瓷矿物粉清馨片
4、掺杂纳米二氧化钛陶瓷膜的制备方法
5、大颗粒球形纳米陶瓷粉末的生产方法和应用方法
6、大颗粒球形亚微米或纳米或纤维陶瓷复合粉体
7、大颗粒球形亚微米或纳米或纤维陶瓷复合粉体的制备方法
8、大块体致密纳米陶瓷材料及其制备方法
9、带有纳米陶瓷涂层的液态金属容器和金属冶炼炉
10、氮化硅－氮化硼－二氧化硅陶瓷透波材料及其制备方法
11、氮化金属陶瓷及其制备方法
12、等离子体化学气相合成法制备碳氮化钛陶瓷粉体的工艺
13、等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体的工艺
14、等离子体化学气相合成法制备碳化钛陶瓷粉体的工艺
15、低成本纳米微晶陶瓷制品的制备方法
16、电子束物理气相沉积制备软磁与陶瓷纳米复合薄膜
17、多孔陶瓷负载的高活性纳米二氧化钛的制备方法
18、多孔质陶瓷纳米级复合材料功能球及其生产工艺
19、二氧化钒及其掺杂物纳米陶瓷的制备方法
20、二氧化钒纳米粉体和纳米陶瓷的制备方法
21、复合金属陶瓷及其制备方法
22、复相结构陶瓷材料及其工艺
23、改性层状结构粉体制备纳米复相陶瓷的方法
24、改性多孔结构粉体制备纳米复相陶瓷的方法
25、钙钛矿化合物晶状陶瓷粉的合成方法
26、高密度纳米陶瓷的制备方法
27、高能纳米陶瓷铅酸蓄电池
28、高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法
29、高强度高韧性氧化锆基陶瓷及其制备方法
30、激光熔覆纳米陶瓷涂层抗裂的处理方法
31、结构陶瓷用纳米晶氧化锆球状颗粒粉体的制备方法
32、介质陶瓷以及使用该介质陶瓷的谐振器
33、金属、陶瓷粉末精密粘性成形方法
34、具有穿透纳米孔的三氧化二铝陶瓷箔材料的制备方法
35、具有抗菌和活化水功能的特种陶瓷材料及制备方法和应用
36、具有微波吸收功能的碳纳米管或陶瓷复合材料及制备方法
37、聚乙二醇凝胶法合成稳定的立方系纳米晶陶瓷粉
38、可以通过添加氧化钒变暗的透明玻璃陶瓷
39、利用多孔性材料实现陶瓷基板表面平坦化的方法
40、磷酸钙系生物陶瓷纳米粉体的制备方法
41、纳米tio 抗菌陶瓷的制备方法
42、纳米zro 可渗透玻璃陶瓷齿科修复体及其制造工艺
43、纳米zro2（y2o3）或cu复合功能陶瓷材料的制备方法
44、光催化纳米涂层多孔陶瓷净化装置
45、活塞环表面的钛基纳米陶瓷覆盖层及其覆盖加工方法
46、纳米级陶瓷材料掺杂剂、高介抗还原多层陶瓷电容器介质材料及二者的制备方法
47、纳米结构金属丝网－陶瓷复合内衬金属管
48、纳米结构金属丝网－陶瓷复合内衬金属管的制备工艺
49、纳米结构陶瓷涂层材料的精密磨削技术
50、纳米金填充氧化物复合陶瓷薄膜的制备方法
51、纳米金属陶瓷的超声——电化学沉积方法
52、纳米金属陶瓷高耐磨耐空蚀贴片
53、纳米碳化硅－氮化硅复相陶瓷及其制备方法
54、纳米陶瓷材料塑性形变装置
55、纳米陶瓷弹簧生产方法
56、纳米陶瓷的制造方法
57、纳米陶瓷粉体表面乳液聚合改性的方法
58、纳米陶瓷复合粉体及其制备工艺并用于制作节能器
59、纳米陶瓷生物助长器
60、纳米特制陶瓷阴极
61、纳米添加氧化铝陶瓷的改性方法
62、纳米氧化铝胶体功能陶瓷涂料生产方法
63、纳米银镀层陶瓷膜及其制备方法
64、镍内电极钛酸钡基多层陶瓷电容器纳米瓷粉及其制备方法
65、镍—氧化锆金属陶瓷的制备方法
66、奇冰石纳米熔块及纳米日用陶瓷
67、三维有序、孔径可调的多孔纳米陶瓷管的制备方法
68、三氧化二铝－碳化钛基纳米复合陶瓷及其制备方法
69、生物陶瓷与生物降解脂肪族聚酯复合材料的制备方法
70、适用于烘箱的自清洁陶瓷层和制造自清洁陶瓷层的方法
71、四方氧化锆陶瓷的烧结方法
72、碳纳米管增强的塑料或陶瓷基骨修复用复合材料
73、陶瓷颗粒增强铝基纳米复合材料的制造方法
74、微胞陶瓷或金属块体复合材料及制备方法
75、钨青铜结构偏铌酸铅高温陶瓷的制备工艺
76、无机抗菌陶瓷及生产工艺
77、无铅压电陶瓷na bi ti0 纳米线的制备方法
78、稀土掺杂铈酸锶纳米晶陶瓷的制备方法
79、细晶高介陶瓷电容器介质材料及其制备方法
80、压电陶瓷与纳米晶聚氯乙烯复合材料及制备
81、氧化铝基纳米级复相陶瓷的制造方法
82、氧化镁和氧化钇共稳的四方氧化锆多晶陶瓷及制备方法
83、氧化钕和氧化钇共稳定的四方氧化锆多晶陶瓷及制备方法
84、氧化锌压敏陶瓷纳米复合粉体及其制备方法
85、一种li－si－ni－0基高介电常数陶瓷材料及其合成方法
86、一种不锈钢陶瓷复合膜的制备方法及制品
87、一种彩色发光陶瓷
88、一种氮化硅或碳化硅多孔陶瓷的制备方法
89、一种改性的陶瓷微滤膜
90、一种高光输出快衰减闪烁陶瓷及其制备方法
91、一种高能脉冲电沉积陶瓷涂层的方法
92、一种高性能低成本氧化铝复合微晶陶瓷的制备方法
93、一种工件表层纳米陶瓷薄膜制备装置
94、一种金属陶瓷润滑剂及其制造方法
95、一种利用石油焦盐浴合成制备sic微纳米陶瓷粉体的方法
96、一种利用石油焦盐浴合成制备tic微纳米陶瓷粉体的方法
97、一种利用石油焦制备微米到微纳米级碳化物陶瓷颗粒的方法
98、一种利用盐浴合成法制备微纳米金属陶瓷复合粉体的方法
99、一种纳米二氧化硅陶瓷复合材料及其制备方法
100、一种纳米硅铅导电陶瓷材料及制作方法
101、一种纳米级多层陶瓷电容器介电材料的制备方法
102、一种纳米金属陶瓷复合粉体的制备方法
103、一种纳米晶添加氧化铝陶瓷材料及低温液相烧结方法
104、一种纳未级氧化物陶瓷粉末的制备方法
105、一种热压滤法制备纳米和纳米复合陶瓷涂层的方法
106、一种水处理用纳米多微孔陶瓷复合膜的制备方法
107、一种水解硝酸氧锆制备二氧化锆纳米粉体工艺
108、一种陶瓷表面彩色纳米涂层的制备方法
109、一种陶瓷涂层的制备方法
110、一种陶瓷制品、陶瓷制品涂料及生产方法
111、一种以纳米材料制作高韧性陶瓷部件的超微粉碎装置
112、一种用工业丙烷制备纳米陶瓷颗粒材料技术
113、一种制备y2o3纳米粉及透明陶瓷的氢氧化铵沉淀法
114、以纳米tin改性的tic或ti（c，n）基金属陶瓷刀具、该刀具的制造工艺及刀具的使用方法
115、硬脂酸盐法制备纳米晶陶瓷粉
116、永久性自洁净纳米陶瓷釉
117、用反应合成法生产的纳米陶瓷粉末技术
118、用结晶纳米颗粒在支撑层上制造的功能陶瓷层
119、用于净化空气和水的二氧化钛光催化纳米涂层多孔陶瓷材料的制备方法
120、用于陶瓷产品的嵌入颜料和纳米粒子形式的氧化物
121、用于硬组织修复的生物活性纳米氧化钛陶瓷及其制备方法
122、在陶瓷表面上形成金属复合二氧化钛纳米粒子膜的方法
123、在涂料以及陶瓷铀中添加粉体纳米材料方法
124、制备钠米氮化铝陶瓷粉体的方法
125、制备钇铝石榴石纳米粉及透明陶瓷的碳酸氢铵共沉淀法
126、制造纳米结晶玻璃陶瓷纤维的方法
127、致密型陶瓷纤维高温结合剂及其配制方法
128、准纳米级二钡九钛氧化物微波陶瓷及其制造方法
129、自洁净陶瓷及其生产方法

流延基础知识一、何为流延流延方法就是，在粉料中加入粘合剂、溶剂等，经球磨、过滤后进行真 空脱泡并把粘度控制在一定范围。这种有粘性的浆料在恒定的压力下，通过 浆料刮刀与涂有有机硅的以一定速度运行的膜带之间的缝隙而流粘在膜带 上，经连续烘干、切边，在流延机机尾把坯带与膜带进行分离（或不分离）， 分别卷绕得到生坯带的方法。然后再进入下一道工序，如切割、叠层、印刷、 烧结等做成所需产品，而形成的流延制备的工艺。流延工艺中，最关键的是浆料的制备和流延成型工艺。二、流延的应用烧结烧结流延法制备陶瓷薄片的工程流程图通过球磨等一系列工序除去浆料中的有机或无机残渣即可得到稳定均 匀的流延浆料，将制备好的流延浆料在流延机上流延成型，经干燥、裁剪、 脱脂和烧结即可完成。三、浆料中常用的添加剂介绍溶剂选择溶剂主要考虑的因素有：（1）必须能溶解其它添加成分，如分散 剂、粘结剂和塑性剂等；（2）在料浆中具有一定的化学稳定性，不与粉料 发生化学反应；（3）易于挥发与烧除；（4）使用安全、卫生和对环境污染 少。最常用的溶剂分为有机溶剂与水两类。有机溶剂所得的料浆粘度低，溶剂挥发快，干燥时间短，所以流延法 制膜中使用有机溶剂较多。常用的有乙醇、甲乙酮、三氯乙烯、甲苯、二甲 苯等。但有机溶剂有易燃和有毒的缺点。水作溶剂则有成本低、使用安全、卫生和便于大规模生产等优点，其 缺点是：（1）对粉料颗粒的湿润性能较差、挥发慢和干燥时间长；（2）料 浆除气困难，气泡的存在会影响素胚膜的质量；（3）水基料浆所用粘结剂 多为乳状液，市场上产品较少，使粘结剂的选择受到限制。溶剂对粉料的湿 润性能主要与其表面张力有关，表面张力越小，对粉料颗粒的湿润性能越好。 有机溶剂的表面张力比水要低得多，所以其湿润性能比水好。混合溶剂的表 面张力和介电常数等综合性能较单一组分要好，且沸点低，对分散剂、粘结 剂和塑性剂的溶解性能也较佳。为确保干燥过程中同时挥发，流延浆中常用 二元共沸混合物。最常用的有乙醇/甲乙醇、乙醇/三氯乙烯、乙醇/水和 三氯乙烯/甲乙酮等。分散剂粉料在流延浆料中的分散均匀性直接影响着素胚膜的质量，从而影响材 料的致密性、气孔率和力学性能等一系列特性。流延法制膜中常用的分散剂 有非离子、阴离子、阳离子和两性离子4种类型。一般说来，阴离子表面 活性剂主要用于颗粒表面带正电的中性或弱碱性料浆，而阳离子型表面活性 剂主要用于颗粒表面带负电的中性或弱酸性料浆。Mikeska等，通过对70 种商用分散剂分散效果的试验研究表明，磷酸脂、乙氧基化合物和鲜鱼油在 陶瓷粉料浆液中的分散效果最佳。其中前面2种是阴离子型表面活剂，而 鲜鱼油不属于表面活性剂。3 粘结剂与增塑剂为了与基板材料分离和拿放方便，流延膜必须具有一定的强度、韧性和 延展性。为此，在料浆中须加入粘结剂和塑性剂。选择粘结剂应考虑的因素 有：（1）素胚膜的厚度；（2 ）所选溶剂类型及匹配性，有利于溶剂挥发和 不产生气泡；（3）应易烧除，不留有残余物；（4）能起到稳定料浆和抑制 颗粒沉降的作用；（5）要有较低的塑性转变温度，以确保在室温下不发生 凝结；（6 ）考虑所用基板材料的性质，要不相粘结和易于分离。粘结剂按 起作用的官能团类型分为非离子、阴离子和阳离子3类。在流延工艺中使 用最多的是阴离子与非离子型的粘结剂，主要有乙烯基与丙烯基2类。在 非水基料浆中常用的粘结剂有PVB，聚丙烯酸甲脂和乙基纤维素等。在水 基介质中常用的粘结剂有聚乙烯醇、丙烯酸乳剂和聚丙烯酸胺盐等。塑性剂 在料浆中的主要作用是降低粘结剂的塑限温度Tg，使Tg达到室温或室温以 下，从而确保粘结剂在室温时具有好的流动性和不发生凝结。另外，塑性剂 对粉体颗粒还起润滑和桥联作用，有利于料浆的分散稳定，但加入塑性剂会 使素胚膜的强度降低。最常用的塑性剂有聚乙二醇、邻苯二甲酸脂、乙二醇 等，它们对料浆流变性的影响作用不甚相同。邻苯二甲酸脂能润滑粉体颗粒， 降低料浆粘度，而聚乙二醇则在粉体颗粒间形成有机桥，能增加料浆的粘度。 4其它添加剂此外，在流延浆料的制备过程中，还经常加人一些功能性的有机物添加 剂，产生一些特殊的浆料性质或理想的干带性质。除泡剂：主要在高分子溶液（PVA ）或高分子分散体系易产生有害的稳定泡 沫的水介质中有用，特别是搅拌过程中（如用特殊的蜡，或用真空搅拌）。 防止泡沫产生要比消除泡沫有效得多。常用的除泡方法是机械法加上化学 法。即在浆料中加人除泡剂，然后进行真空搅拌除气。常用的除泡剂是正丁醇、乙二醇各半的混合液。润湿剂:主要是溶于液相的表面活化剂，用来减小液体表面张力（特别是水）， 提高它们对粉料和被作用物的润湿性。因此，表面活性剂也被用作分散剂。 均化剂：用于增加组分的相互溶解性（如环己酮），由此防止干燥时起皮。 它们也增加基片的密度和拉伸强度。控流剂：有时加人少量来防止基片的表面干燥太快，防止开裂。絮凝剂：防止分散体系形成过高密度沉淀的试剂。四、有关流延成型流延是一项相当精密的工艺，对于流延后的产品质量要求十分严格，以下几 点可供参考：刮刀的表面光洁度流延刮刀一般用工具钢制成，它的耐磨性好，使用寿命长，但需注意保养， 每次使用后必须清洗干净，并防止硬物刮伤表面，使刮刀保持光滑平整。光 滑平整的刮刀是获得厚度均匀，表面光滑膜带的关键。浆料槽液面高度浆料槽液面高度提高，浆料槽内的压力增大，使浆料通过刮刀间隙的流入速 度增加，流延膜厚度增加，因此维持液面高度均衡一致对控制流延膜厚度均 匀性十分重要。大型的流延设备中通常需要带有液面传感器，控制供浆阀门， 控制液面高度变化在最小的幅度。浆料的均匀性流延用浆料必须充分分散均匀，当有未分散好的硬块、团聚体又未能过滤掉 时膜带上就会产生疤痘状缺陷，或因干燥烧成收缩不同产生凹陷。因此必须 重视浆料的制备，在使用前必须过筛去除这些硬块和团聚体。如果浆料中有 气泡，流延前必须进行除泡处理。流延厚度刮刀间隙的厚度与实际烘干成型厚度，不会一致，应为在烘干过程中有溶剂 等的挥发，在浆料稳定，流延其他条件如流速，干燥温度一定的情况下，通 常会有一个稳定的比例。一般可以通过流延试验得到有效的参数。制定并执行最佳的干燥工艺流延出的浆料膜经过干燥才能从基板上剥落下来。因此，制定合适的干燥工 艺是获得高质量膜带的重要因素。如果干燥工艺制定不当，流延膜常会出现 气泡、针孔、皱纹、干裂，甚至不易从基板上脱落等缺陷。制定干燥工艺的 原则是：确保溶剂缓慢发挥，使膜层内溶剂的扩散速度与表面挥发速度趋于 一致，防止表面过早硬化而引起的后期开裂、起泡、皱纹等缺陷。五、流延工艺的优势自动化程度高，生产效率高。产品质量好，合格率高。适应生产大面 积基片和多兀化基片。

MLCC（Multi-layers Ceramic Capacitor），即多层陶瓷电容器，也称为片式电容器、积层电容、叠层电容等，是使用最广泛的一种电容器。MLCC是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以交错的方式叠合起来，经过高温烧结形成陶瓷块体，再在陶瓷块的两端封上金属层（外电极）而形成的。

MLCC的结构主要包括三大部分：
陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。
陶瓷介质：主要是绝缘性能优良的氧化物材料如钛酸钡、钛酸锶等，它们是构成电容器的电气特性的基础。
内部电极：内部电极存在于每层陶瓷介质之间，起传导电流作用。
外层电极又分为外部电极、阻挡层和焊接层。外部电极主要为铜金属电极或银金属电极，与内部电极相连接，以便外接电源的输入。阻挡层主要成分为Ni镀层，起到热阻挡作用。焊接层主要为Sn镀层，提供可焊接性。

MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、且价格低及稳定性高等优点，适合于信息功能产品轻、薄、短、小的需求，从而被大量使用，是现代电子产品不可或缺的元件。那MLCC是如何被制造出来的呢？
1配料
将陶瓷粉、粘合剂及溶剂和各种添加剂按一定比例经过一定时间的球磨或砂磨，形成均匀、稳定的瓷浆。瓷浆是个比较复杂的系统，一般由瓷粉、溶剂、分散剂、粘合剂、增塑剂、消泡剂等组成。
陶瓷粉作为最主要的材料决定了MLCC的基本特性。粘合剂是高分子树脂，作用是使陶瓷粉之间维持一定的距离并提供强度。溶剂是甲苯和乙醇按照一定比例混合而成。分散剂，是为了避免陶瓷粉表面静电作用易发生的粘连及团聚，保证瓷浆能形成稳定分散的悬浮液的一种表面活性剂。添加剂是用于调节陶瓷粉本身的电特性、满足制品信赖性方面的某些要求、保证烧结能够较好地进行的。

2流延
将瓷浆通过流延机的浇注口，使其涂布在绕行的有机硅薄膜上，从而形成一层均匀的瓷浆薄层，再通过热风区（将瓷浆中绝大部分溶剂挥发），通过加热干燥方式，形成具有一定厚度、密度且均匀的薄膜（一般膜片的厚度在1um-20um之间）。
成型过程中流延挤出方式分为两种。On roll方式一般适用于厚膜，是缝口模头挤出方式，使后滚轴的中心对上模具的喷口处；Off roll方式一般用于薄膜，是模具喷出口在后滚轴中心线的上方，基材在没有接触后滚轴处被涂覆上浆料，这种方式也称气垫法或张网法。

成型干燥需要调整线速、温度、泵流量，将瓷浆中溶剂大部分挥发，使薄膜收缩、致密化，从而具有一定厚度、膜密度。
3印刷
通过丝网版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，烘干后得到清晰、完整的介质膜片。
印刷类型分为四种：1凸版印刷，在凸出部分蘸内电极浆料之后加压印刷。2凹版印刷，在整个板上蘸内电极浆料之后只在凹进部分留内电极浆料进行印刷。3平板印刷，利用水和油的排斥作用，版面蘸内电极浆料进行印刷。4丝网印刷，通过丝网孔排出内电极浆后印刷。
丝网印刷与滚印/凹版印刷（Gravure printer）相比，设备工装成本低，内浆利用率高浪费少，电极图案渗边少，且丝网设计灵活，因此大多数厂家印刷方式类似SMT刷锡膏或者红胶工艺，通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，有些厂家则采用印刷机，让陶瓷薄膜通过浆料池，让金属浆料附着到陶瓷薄膜上。
4叠层
叠层是MLCC制造过程的第四个步骤，它的作用是将印刷好的介质膜片一张一张按一定错位整齐叠合在一起使之形成厚度一致的巴块。印刷后，在叠层时膜片被切割剥离，叠层时底部和顶面还需要加上陶瓷膜保护片，以增加机械强度和提高绝缘性能。该道制程需要管控的是叠层时的温度、压力、时间，以及错位位置的对位管控和环境的洁净度等，所以也需要在无尘室里面完成。

5层压
将印刷、叠层后的巴块通过均匀温度的静水均压的方式，使巴块中各叠层膜彼此紧密结合，以提高烧结后瓷体的致密性，使其更加紧密结合在一起的过程。该道制程压力、保压时间、温度是关键品质因数（CTQ），需要重点管控外，压力的均匀性非常重要，因此最好的方式是放在水中进行压着。一般需要切片抽测确认压着的均匀性、结合度等以保证品质。
层压主要流程：巴块装密封袋→进层压机→加压加温层压→冷却→拆袋

6切割
将层压后的巴块按产品的设计要求，使用片式薄刀片按设计尺寸对巴块进行横向纵向切割，使其成为完全分离的独立芯片（电容器生坯）。
切割原理：刀片对巴块进行下切时，刀座推动刀片向下运动，刀锋接触巴块面部，刀座继续推动锋利的刀锋向下铡压，当刀锋在刀座及惯性的作用下到达切割胶PET基材表面时，刀座迅速向上提升，从而完成一次切割。

切割原理

7排胶
排胶指的是，在对切割后陶瓷生坯进行热处理，排除粘合剂等有机物。镍电极MLCC的空气排胶温度大概是在250℃左右，具体温度与尺寸规格以及配方有关，氮气排胶的温度可以更高，约400℃-500℃。
排胶主要流程：装钵排片→进排胶炉排胶→出排胶炉

8烧结
烧结可以使排胶后的芯片成为内电极完好，致密性好，尺寸合格，高机械强度和优良电性能的陶瓷体，可分为两个阶段：致密化阶段与再氧化阶段。
烧结过程是在气氛炉中进行，一般烧结温度在1100℃~1350℃之间。由于是高温烧结，为了防止氧化等，烧结炉里面需要填充氮气/氢气。烧结的关键就是炉膛内的温度与其均匀一致性，还有就是应在一个热动态平衡中进行，空气应充分流动，使瓷体的晶相生长均匀与致密。
烧结主要流程：摆放→烧结→出烧结→卸钵

9倒角
倒角，也叫研磨。经过烧结成瓷的电容器本体棱角分明，不利于与外部电极的连接，所以需要进行研磨倒角处理。倒角工序是将电容与水和磨介装在倒角罐里，通过球磨、行星磨等方式运动，除去陶瓷芯片表面毛刺，使芯片表面光洁，同时也使端面内电极充分暴露。管控的重点是转速、时间、温度，检查的重点是外观尺寸、弧度、暴露率等参数。
倒角主要流程：配罐→倒角→清洗→出罐→烘干
10封端
通过封端机，将端浆涂覆在经倒角处理后的芯片外露内部电极的两端上，将同侧内部电极连接起来形成外部电极。
封端主要流程：芯片植入→沾浆→烘干→导出
11烧端
在高温750℃左右，氮气空气，且有时会在加湿条件下，使端电极浆料中的有机黏合剂充分燃烧，玻璃体熔融并浸润铜粉，使端头固化并与瓷体和内电极形成良好的连接。

12电镀
指对烧端后的产品进行端头处理，其实质上就是电镀过程，即在含有镍和锡金属离子的电解质溶液中，将MLCC的端电极作为阴极，通过一定的低压直流电，分别不断在阴极沉积为一层镍和锡。

镍的作用：提高电容的抗热冲击性能，保护外部电极以及防止外部电极和Sn 形成合金状态。
锡的作用：提高电容的可焊性，使MLCC芯片在表面封装中能更好焊接在PCB板上。
13测试
针对电容产品的容量、损耗、绝缘、耐压四个方面的性能，对产品进行100%测试和分选，将不良品剔除，同时按不同容量范围分选出来。
主要测试项目：容量、损耗、耐压和绝缘。

14外观检查
针对电容产品的外观形貌进行检查，将形态不佳的产品剔除。
主要识别项目：外观缺陷、尺寸异常品

15编带
编带工程是将测试后的MLCC芯片，编入载带，并按固定数量卷成一个胶盘。编带是为了方便SMT制程中大量高速的自动贴装生产，也可以防止运输等过程导致MLCC碰撞破裂等问题。同时，为了防止混料，一般在编带机上，会对每一片MLCC再次进行容量测试。

16包装
包装是贴识别标签和运输前打包的过程，MLCC制造商编带后的产品标签，一般只带有厂商自己的信息，包装过程则会增加客户信息的标签和条码，以便于客户识别。
包装主要流程：料盘标签贴装—产品装入盒及盒标贴装—盒子装入箱及箱标贴装。
后道包装过程，一般采用自动化管理检查，扫描条码后自动和对，避免混料错料。
以上就是MLCC制造中的十几道重点流程，可以看出，MLCC的制作工艺非常复杂，技术含量高，机械化程度高，对工厂环境，设备水平和制造管理水平的要求都非常高，是典型的高端制造行业。定位于高端MLCC系列的微容科技，在罗定搭建了行业顶尖的MLCC工业园，其工厂洁净度标准、设备精密度和自动化都有着行业最高标准，并且全流程都以自动化扫描设定参数和制程进行管理，同时利用全行业资深人才，积极开发并快速量产超微型、高容量、车规、高频等重点高端MLCC系列，成为中国高端MLCC的引领者。

1、配料：将主要原材料瓷粉与相应的粘合剂、溶剂、添加剂混均，以备流延之用。
2、流延：将配料后获得的浆料通过流延机形成薄薄的一层膜，以备印刷之用。
3、印刷：在流延后的瓷膜上印刷上一层电极，也就是MLCC的内电极。
4、叠层：将印刷后的瓷膜按照预先的设计叠成不同层数的生坯。
5、层压：叠层后的生坯层与层之间结合还不够致密，所以通过层压将其压紧，不分层，形成一体。
6、切割：把层压后的大块生坯，按照不同的规格切割成小的生坯。
7、排胶：将切割后的生坯装成专用的钵内，然后放入烘箱内，用300度左右的温度来进行排胶，去除生坯内的有机物，以便下下步的烧结。
8、烧结：将排胶后的产品放入高温烧结炉内，设定曲线进行更高温度的烧结，使生坯烧结成瓷，形成具有一定强度及硬度的瓷体。
9、倒角：将烧结后的产品放入罐内，加一定比例的磨介、水等，进行研磨，倒去产品的棱角，以便产品的下一步封端。
10、封端：将烧结后的产品利用封端机在其两个端头形成一层外电极，并用低温烘干。
11、烧端：将封端后的产品放入烧端炉内高温烧渗外电极，形成具有良好导电性的外电极。
12、端处：烧端后的产品具有导电性，但还未具有良好的可焊性（可焊的除外），所以在其端头再电镀上一层NI和一层SN。
13、测试：将端处后的产品进行100%的测试分选，剔除不良。
14、外观：将测试后的产品进行外观分选，剔除测试合格，但外观不良的产品。
15、编带：将产品按照客户要求编成盘。
以上工序中，叠层印刷和烧结是特殊工序，流延、端处是关键工序。

陶瓷流延片叠层起泡是一种利用多层陶瓷流延片叠加起泡的新技术和工艺。根据查询相关资料信息显示，陶瓷流延片叠层起泡是在流延片叠加之前，将多层陶瓷流延片叠加在一起，然后将其在加热和压力下起泡，从而形成一种具有多层结构的复合材料。这种复合材料具有良好的抗弯性能和抗压性能，并且具有较高的抗折强度和耐热性。