简单介绍瓷片电容耐压值的相关知识
如今这个时代是属于电力的时代，而依托着电力这个强大的载体，也产生了众多的分支和不计其数的创造，从半导体到集成芯片等等的创造，无不让这个社会发生着日新月异的改变。而众多的小元器件也与我们的生活息息相关，有人需要研究它，而有人需要创造它，更多的人需要使用它，瓷片电容就是一种这样的器件，今天我们一起来看看瓷片电容的耐压问题。
电容的标称及识别方法：
1直标法：如果数字是0001，那它代表的是0001uF=1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF。
2不标单位的直接表示法：用1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，05为05pF
3色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV。
电容的容量标识的几种方法：
一、直接标识：如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。
二、使用单位nf：如上图的涤纶电容，标称4n7，即47nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即001uf;33n，即0033uf。后面的63是指电容耐压63v
三、数学计数法：如瓷介电容，标值104，容量就是： 10x10000pf=01uf如果标值473，即为47X1000pf=0047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。又如：332=33X100pf=3300pf。 电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。
电容识别：
1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。
2、电容识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=10 3毫法=10 6微法=10 9纳法=10 12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022 uF
3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。
那么上述就是如何识别瓷片电容的一些参数的方法，笔者总结的还是比较全面的，相信可以帮助有不同需求上的朋友。而这类器件，我们讲参数决定一切，质量决定一切，意思就是，必须选好刚刚好的参数，否则是无效的，或者讲不能用。那么各位再选购的时候一定需要注意，识别相关的电容等要细致，那么今天的瓷片电容识别的方法就给大家介绍到这里。
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瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
优点：稳定，绝缘性好，耐高压 缺点：容量比较小
贴片电容全称为：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。英文全称：Multi-layerceramiccapacitors。英文缩写：MLCC。
贴片电容的分类：
1、NPO电容器
2、 X7R电容器
3、 Z5U电容器
4、 Y5V电容器
区别：NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
别看那么多，除了以下几种，其余全是浮云。为什么？因为不常用，你买不到也不会去买。
这几种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)
那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小（什么是温漂？你上网查查），整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大，几千个pF吧。
电容器有哪些类型-电容器的九大类型
电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。下面，我为大家分享电容器的九大类型，希望对大家有所帮助!
自愈式并联电容器
结构与纸质电容器相似，但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。
频率特性好，介电损耗小。
不能做成大的容量，耐热能力差。
滤波器、积分、振荡、定时电路。瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器，它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小，频率特性好，介电损耗小，有温度补偿作用。
不能做成大的容量，受振动会引起容量变化。
特别适于高频旁路。
独石电容器(多层陶瓷电容器)
在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料，叠合后一次绕结成一块不可分割的整体，外面再用树脂包封而成小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器，高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能，体积极小，Q值高容量误差较大噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路纸介电容器
一般是用两条铝箔作为电极，中间以厚度为0008～0012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。
制造工艺简单，价格便宜，能得到较大的电容量
铝电解电容器
用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成，薄的化氧化膜作介质的电容器。因为氧化膜有单向导电性质，所以电解电容器具有极性。
容量大，能耐受大的脉动电流。
容量误差大，泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用，不宜使用在25kHz以上频率。
低频旁路、信号耦合、电源滤波。
钽电解电容器
用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰。
温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积。
对脉动电流的'耐受能力差，若损坏易呈短路状态。
超小型高可靠机件中。
气泵电容器
电容器：电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等的电子元件称为电容器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。
电容器的损耗与漏电和使用环境的温度有极大的关系!
固定电容器
固定电容器的检测方法
A检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。
应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
金属化聚丙烯电容器
一般在低频电路内，通常不能在高于3～4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高，稳定性也好，适用于高压电路微调电容器(半可变电容器) 电容量可在某一小范围内调整，并可在调整后固定于某个电容值。
瓷介微调电容器的Q值高，体积也小，通常可分为圆管式及圆片式两种。
云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东，结构简单，但稳定性较差。
线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的，故容量只能变小，不适合在需反复调试的场合使用。
陶瓷电容器
用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
高频瓷介电容器
适用于高频电路云母电容器
就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。
频率特性好，Q值高，温度系数小
不能做成大的容量
广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器
由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ00005～0008
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