高频电容和瓷片电容的区别

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

1、无极性可变电容

制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质

2、无极性无感CBB电容

制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

3、无极性CBB电容

制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

4、无极性瓷片电容

制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。

5、无极性云母电容

制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜

6、有极性电解电容

制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。

7、钽电容

制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。

8、聚酯（涤纶）电容

符号：CL

9、聚苯乙烯电容

符号：CB

10、聚丙烯电容

符号：CBB

11、云母电容

符号：CY

12、高频瓷介电容

符号：CC

13、低频瓷介电容

符号：CT

14、玻璃釉电容

符号：CI

15、铝电解电容

符号：CD

16、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）

扩展资料：

电容的作用

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2、去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

3、滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程 。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

参考资料来源：百度百科—电容

云母电容、高压瓷介电容完全是两种不同材料的电容器。

外形也不同。

云母电容器体积较大，往往包封棕色环氧树脂；

高压瓷介电容，往往包封兰色环氧树脂，同电压等级，同容量相比，体积比云母电容小多了。

云母电容器性能好，但容量做不大，常见容量1000pF左右，

而高压瓷片电容器，容量比云母大得多（0.n uF）。

云母电容器的一个外形特点是，引脚两端比较“鼓”。

瓷介电容 ,无感CBB电容, CBB电容（如WIMA电容）, 云母电容［如金、银云母

电容）, 独石电容等均属高频电容.

常用于频率较高的谐振、开关、耦合、退耦、电路中.

回答这个问题之前，我们先搞清旁路电容的材料，大电容通常采用电解电容，滤除低频干扰效果好，理论上对高频干扰滤除效果会更好，但由于大电容通常具有电感效应，故而高频工作时往往呈一定电感特性，所以，实际使用中一般对高频干扰滤除效果很差。而小电容通常是采用瓷片、独石等材料的无极性电容，容量做的不可能很大，无法滤除低频干扰，通常仅用来滤除高频干扰信号。

所以常见的搭配是这样的，一个大容量电解电容（对付低频干扰）并联一个小容量无极性电容（对付高频干扰）。

回到原来的问题，你用一个大电容代替了高频旁路电容，效果不会理想。

高频和低频 与电容大小没有关系

高频电容适用于高频频率低频适用于低频频率

高低频的界线不同通常按射频频率和音频频率 区分

例如云母电容一般用在高频 瓷片电容也是 但是也可以用在低频

电解电容 一般用在低频 适用于音频频率

300KHZ以上 一般都可以叫高频了

按照材质分：1.名称：聚酯（涤纶）电容　 符号：（CL） 电容量：40p--4μ 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 2.名称：聚苯乙烯电容 符号：（CB） 电容量：10p--1μ 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 3.名称：聚丙烯电容　 符号：（CBB） 电容量：1000p--10μ 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 4.名称：云母电容　 符号：（CY） 电容量：10p--0.1μ 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路 5.名称：高频瓷介电容　 符号：（CC） 电容量：1--6800p 额定电压：63--500V 主要特点：高频损耗小，稳定性好 应用：高频电路 6.名称：低频瓷介电容　 符号：（CT） 电容量：10p--4.7μ 额定电压：50V--100V 主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差 应用：要求不高的低频电路 7.名称：玻璃釉电容 符号：（CI） 电容量：10p--0.1μ 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度） 应用：脉冲、耦合、旁路等电路 8.名称：铝电解电容　 符号：(CD) 电容量：0.47--10000μ 额定电压：6.3--450V 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等 9.名称：钽电解电容 符号：（CA） 电容量：0.1--1000μ 额定电压：6.3--125V 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容 10.名称：空气介质可变电容器 符号： 可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等 应用：电子仪器，广播电视设备等 11.名称：薄膜介质可变电容器 符号： 可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大 应用：通讯，广播接收机等 12.名称：薄膜介质微调电容器 符号： 可变电容量：1--29p 主要特点：损耗较大，体积小 应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿 13.名称：陶瓷介质微调电容器 符号： 可变电容量：0.3--22p 主要特点：损耗较小，体积较小 应用：精密调谐的高频振荡回路 14.名称：独石电容 容量范围：0.5PF--10μF 耐压：二倍额定电压。 应用范围：广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 独石电容的特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好等。 最大的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，我们做的一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后，用示波器看频率，眼看着就慢慢变化，后来换成涤纶电容就好多了。 就温漂而言：独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。 就价格而言：钽、铌电容最贵，独石、CBB较便宜，瓷片最低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高，也稍贵。 里面说独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般。

瓷片电容是电子元器件的一种，主要由陶瓷的材料做成的隔离介子，属于绝缘体

瓷片电容又称圆片瓷介电容，分为高压瓷片电容和低压瓷片电容

瓷片电容的优点主要有耐温，用时持久，价格便宜

应用领域比较广泛，大量用于中大型电子设备和微小型单片机

瓷片电容222，首先是要看用在什么设备上，还需了解电压是多少

要求不高的话同容量普通无极电容都行

容量是2200pf，没相同容量的话可以找两个瓷片电容并联

如是安规瓷片电容，就不要随意找替代，如是Y1电容222一般标志上还有许多认证符号，只能用同类的Y1，Y2电容，产品上有标识耐压300或400V，最高测试耐压可达4000VAC的，其他的电容只如容量相近，耐压相近便可代替

瓷片电容已承受着电子科技产品走进人们的生活中

选择质量好的瓷片电容就犹为重要

找正规的瓷片电容厂家，如果是安规瓷片电容，需是有安规认证的原厂，质量得以保证，并各方面都可以协助配合

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1、电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

2、无极性可变电容；制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小；用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容；制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：无感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容；制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：有感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容；制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。；优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）；缺点：易碎，容量低；用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容；制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感；用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

7、有极性电解电容；制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。；优点：容量大。；缺点：高频特性不好。；用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容；制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。；优点：稳定性好，容量大，高频特性好。；缺点：造价高。；用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯（涤纶）电容；符号：CL；电容量：40p--4u；额定电压：63--630V；主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差；应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容；符号：CB；电容量：10p--1u；额定电压：100V--30KV；主要特点：稳定，低损耗，体积较大；应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容；符号：CBB；电容量：1000p--10u；额定电压：63--2000V；主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差；应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

12、云母电容；符号：CY；电容量：10p--0。1u；额定电压：100V--7kV；主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小；应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路

14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0。47--10000u；额定电压：6。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0。1--1000u；额定电压：6。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路