瓷片电容 电解电容他们各自的作用是什么

一
滤波电容

    理论上电容越大阻抗越小通过的频率也越高

但实际上超过1uF的电容一般为电解电容，有很大的电感成分，所以频率高后，阻抗也会增大，通常用一个大的电解电容和1UF的瓷片电容，大电容通低频，小电容通高频
  电容比作一水塘，它不会因为多一滴水水位明显升高，他把电压的变化转为电流的变化，从而缓冲了输出

滤波就是充电放电的过程，起到稳定输出的过程

二，旁路电容（接在信号输入端）

    高频旁路，给高频提供一个低阻抗泄放途径。电容一般比较小。

     

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    交流电全从C3通过，而直流不能通过，R4可以视为短路

      某一极上仅需要低频，可接一个适当电容，电容对高频阻抗大，对低频阻抗小，低频经电阻上输送出

三，去耦（接在信号输出端）比较大防止干扰信号返回电源

  去耦电容起到电源的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰

    去耦电容一般比较大，依据电路中的分布参数，驱动电流的变化大小，

  旁路与去耦的本质区别是：旁路是把输入信号中的干扰滤除，去耦是把输出信号中的干扰滤除，防止干扰信号返回电源
四，耦合（信号由第一极向第二极传递的过程）

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一般不加注明，为交流耦合

从电路来说总可以分为驱动电源，被驱动负载
从电路来说总是可以区分为驱动电源和被驱动的负载，如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电放电才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感电阻，这种电流相对于正常情况来说，实际上是一种噪声，会影响前级信号正常工作，这就是耦合，我们前面做过的高灵敏度，简易助听器，电路中电容c2起的就是耦合作用，话筒的

然后经过RP1,c2耦合至lm386的三角进行放大，电路图中c4为输出耦合电容，C8为电源去耦电容，

五  储能。

说到储能，我们第1个想到的就是电池，但电容收集的是电荷，属于物理反应，电池分解是化学反应，常见的电容储能有充磁极，电容电焊机等通过高电压大电流的场合，或者若干的小电容并联组成的电容组，具体容量和耐压应根据需求选择，像我们之前做的电磁炮。电容有时候可以当做能量密度不是很大的电池使用，LED。前面我们做电磁炮所用的电容组，就是起到储能的作用，

六谐振

利用电容和其它无源元件所产生的电压与电流之间的变化，实际上是利用了电容充放电的特性，一般有电容的并联谐振和串联谐振，前面我们做电路时并联在输出的068微法的电容就是起到谐振的作用，前面我们做等离子扬声器时，串联在彩电高压包初级的电容，也是起到谐振的作用，

七是时间常数

时间常数是指表示过度反应的时间过程的常数，是该物理量从最大值衰减到最大值的，自然对数的底1/1所需要的时间，在中的时间常数常见的是RC电路，当输入信号电压加在输入端时，电容上的电压逐渐上升，而其充电电流则随着电压的上升而减少，简单的说来就是电容的充电和放电需要一定的时间，前面我们用555做简易催眠器时，555定时器的定时时间就是通过设定电容的容值大小来决定的，在这里起到设定时间常数的作用，同样的我们前面做双向可控硅无极调光调素电路时电容c2就是配合rp改变充放电的时间，从而控制可控硅的导通与关闭。另外电容配合二极管还有倍压的作用，比如我们前面做的555倍压整流电路。配合在这里配合二极管。组成二倍压电路输出。

移相，反馈  稳频，稳压

陶瓷电容器的用途，这类电容常用在高频电路和高压电路、温度补偿，温度要求高稳定电路中，

一、旁路（去耦）

这是为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗的通路。在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容器所处的位置不同，称呼就不一样。对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling）电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。我们经常可以看到，在电源和地之间连接着去耦电容，它有三个方面的作用：一是作为本集成电路的蓄能电容；二是滤除该器件产生的高频噪声，切断其通过供电回路进行传播的通路；三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。

耦合

用在耦合电路中的陶瓷电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用，它作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下一级电路。

滤波

用在滤波电路中的陶瓷电容器称为滤波电容，滤波电容是会将一定频段内的信号从总信号中去除的，所以在电源电路中，整流电路将交流变成脉动的直流，而在整流电路之后接入一个较大容量的陶瓷电容，利用其充放电特性，使整流后的脉动直流电压变成相对比较稳定的直流电压。

谐振

用在LC谐振电路中的安规电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。

温度补偿

针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响而进行补偿，改善电路的稳定性。

调谐

是对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

储能

储能就是储存电能，用于必要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（现如今很多电容的储能水平已经可以接近锂电池的水准，一个电容储存的电能就可以供一个手机使用一天的时间）引用

陶瓷电容主要材料是瓷片，瓷片是陶瓷粉末加压冲片后经过高温烧结而成，随时间推移，外观是不会变化的，所以储存期是长久型的。
但由于瓷介电容器所采用的大多数是2类陶瓷介质，都具有铁电特性并呈现出一个居里温度特性，因此，陶瓷电容有老化衰减现象。
往往在这个小小的问题上纠结，电容量是由测量交流容量时所呈现的阻抗决定，通常交流电容量随频率，电压以及测量方法的变化而变化，只不过不同规格的陶瓷电容器变化程度不一样而已，除非要求电容量特别准确，温度特性特别稳定。
尽管陶瓷电容器的电容量在不同的条件，(如频率，温度，电压)下会有些变化，但是，除了高介电系陶瓷电容器外，一般电容器的容量随应用条件的变化而低于电容量的容差。
电容量是电容器重要的电气参数，电容量的大小，电容量的容差，随时间稳定，当了解了电容。
只要找到产品的规律会发现不一样的奇迹。

● 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。

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● 为每个集成电路芯片配置一个001uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（05uA以下）。对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（Vcc）和地线（GND）间直接接入去耦电容。

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● 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
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● 在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时．操作它们时均会产生较大火花放电，必须RC 电路来吸收放电电流。一般 R 取 1 ~ 2K，C取22 ~ 47UF。
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● CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，因此在使用时对不用端要接地或接正电源。
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● 设计时应确定使用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF；高频电容计算为: C=P/VVF。
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● 每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。
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● 用大容量的钽电容或聚酷电容而不用电解电容作电路充放电储能电容。使用管状电时，外壳要接地。