瓷片电容332M,331，68，682，5分别是多大的

高压瓷片电容。
2j154涤纶电容是指用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，是可以用高压瓷片电容代替的，效果是一样的。
电容是表示导体容纳电荷能力的物理量，单位是法拉。

那叫 瓷片电容

定义
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

分类
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优缺点
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小

作用
MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温主要应用于高频电路中
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

4724kv瓷片电容器的作用是消除高频干扰。
4724kv高压瓷片电容器具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。
电容亦称作“电容量”，是指在给定电位差下自由电荷的储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。

★ 561=560pf，30=30pf
表示方法：
瓷片电容： 多数在1μF以下，
①直接用数字表示。如： 10、22、0047、01 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0047μF、220μF 等。
②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：
前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。
如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0047μF ，
“ 103”即（10+000）pF=10000PF=001μF等等， 这种表示法已经相当普遍。

高频和低频 与电容大小没有关系
高频电容适用于高频频率 低频适用于低频频率
高低频的界线不同 通常按射频频率和音频频率 区分
例如云母电容一般用在高频 瓷片电容也是 但是也可以用在低频
电解电容 一般用在低频 适用于音频频率
300KHZ以上 一般都可以叫高频了

瓷片电容222M/2kv表示2210^2pf=2200pf=22nf，耐压2千伏，最大容量误差为20%。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V，容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)。

扩展资料：

陶瓷电容有二个端子的非极性元件，早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器，比晶体管问世的时间要早，在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备（如广播接收器）中，后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止，由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势，陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。

EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class1的非温度补偿型电容，第一个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限，第三个字对应在温度范围内的电容值变动。

陶瓷电容的电感性较其他主要电容器（薄膜电容或电解电容）要低，因此适用于高频的应用，一般可以到达数百MHz，若在电路上进行微调，甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率，需要使用更昂贵及少见的电容，例如玻璃电容或云母电容。

参考资料来源：百度百科——瓷片电容

参考资料来源：百度百科——电容值

在LED驱动电源输入端加滤波电容，一般为022~047UF/400V,在LED驱动电源输出端加抗干扰电容0022UF,如果允许的话还可以给驱动电源加屏蔽，将屏蔽接到电源的接地点即可提高抗干扰性能。