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电容器上写着2G 473J,电容是多少,耐压呢

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2023-04-18 14:57:53

电容器上写着2G 473J,电容是多少,耐压呢?

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2026-04-05 01:25:43

这应该是一个涤纶电容,涤纶电容器耐压的标注是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。字母=数值 A=10 B=125 C=16 D=20 E=25 F=315 G=40 H=50 J=63 K=80 Z=90 例如: 2A代表 10100=100V (即10乘以10的2次冥)2G代表40100=400V 后面的473是指电容的容量,就是47×1000(即10的3次冥)pF,就是前面两位是有效值,后面一位是指10的几次冥所以2G473J的耐压就是40100=400V ,电容容量是47000pF即0047μF 最后面的J代表这个电容的精度为±5%

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2026-04-05 01:25:43

CBB为金属薄膜电容(聚丙烯电容)属于无极性电容
473K代表0047uF,K代表电容的误差为10%
400V代表耐压值为400V
它型号或数值代替:要看用在什么场合下了,不是很了解电路的情况下不建议换,一般耐压值高的可以代替耐压值低的。但耐压值低的代替耐压值高的,可能出现电容爆炸,和电路不稳定等问题。
CBB电容为无极性,绝缘阻抗很高,频率特性优异(频率响应宽广),而且介质损失很小。基于以上的优点,所以薄膜电容器被大量使用在模拟电路上。尤其是在信号交连的部份,必须使用频率特性良好,介质损失极低的电容器,方能确保信号在传送时,不致有太大的失真情形发生。 介电常数较高,体积小,容量大,稳定性比较好,适宜做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容,介质损耗小,绝缘电阻高,但是温度系数大,可用于高频电路

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2026-04-05 01:25:43
瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×05mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%

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2026-04-05 01:25:43
471表示:47后面1个0,单位pF,即470pF
472=4700pF
473=47000pF
还有另外的标注,如2n2,表示2200,n表示“千”,单位pF
这些标注方法通常都是小容量电容器
1KV指耐压

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2026-04-05 01:25:43
完全可以。现在用的001μF(即103)以上的瓷片电容大部分都是铁电瓷片电容,这种电容的高频性能并不比涤纶电容好(只有那些容量在1000pF以下的瓷片电才具有良好的高频性能,那类电容是高频瓷介电容),并且漏电流较大,容量随温度变化也较大,故你完全可以替换。涤纶电容在容量稳定性、漏电流等方面皆优于铁电瓷片电容,只是涤纶电容的体积比铁电瓷介电容要大一些。有兴趣阁下可以测试一下,在相同容量及耐压值的情况下,涤纶电容的漏电流比铁电瓷片电容小很多。你也可以拆下上述电容,并对上述电容分别用电烙铁加热,然后用数字万用表的电容挡测量一下它们的容量变化,铁电瓷片电容的容量会发生显著变化。

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2026-04-05 01:25:43
电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法
473K代表的是:该电容的电容量是:47乘10的3次方,单位是:皮法(pF),而K只是误差的符号,这里K代表是10%的误差
所以:
473是0047uF误差10%
472是4700pF误差5%
223是0022uF 误差10%