电路图识别之磁珠和电感的区别篇可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。电阻器识别电阻电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：色别 第一位色环（电阻值的第一位） 第二位色环（电阻值的第二位） 第三位色环（乘10的倍数） 第四位色环（表误差）棕1110--红 2 2 100 --橙 3 3 1000 --黄 4 4 10000 --绿 5 5 100000 --蓝 6 6 1000000 --紫 7 7 10000000 --灰 8 8 100000000 --白 9 9 1000000000 --黑 0 0 1 --金 -- -- 01 +-005银 -- -- 001 +-01无色 -- -- -- +-02 电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下： 电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 半导体晶体管的三种放大电路原理如下：1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。 现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的电容的基础知识电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。电容的外形电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。表4是常用固定电容直流工作电压系列。有的数值，只限电解电容用。由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。基础知识之上下拉电阻:1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为35V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。常用的逻辑电平·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、33V系列，25V系列和18V系列。·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。·33V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。·低电压的逻辑电平还有25V和18V两种。1，TTL电平：输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是04V。2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。3，电平转换电路：因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 33v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。5，TTL和COMS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。6 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。7还有电路图中Vcc和Vdd的解释Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路IC定义IC ＝ Integrated circuit集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。
苗条的春天
2026-04-01 03:36:50
静电容量 由3位字母数字表示。单位皮法（pF）。第1位和第2位数字为有效数字，第3位数字表示有效数字后的0的个数。有小数点时以大写字母“R”表示。此时，所有数字均为有效数字。
例如： 代号 静电容量
R50 05pF
1R0 10pF
100 10pF
103 10000pF
故 瓷片电容33 36 104 201 30的意思应该是：静电容量为33pF、36pF、100000pF、200pF、30pF
单身的火龙果
2026-04-01 03:36:50
那叫 瓷片电容
定义
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
分类
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
优缺点
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小
作用
MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温主要应用于高频电路中
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
清秀的时光
2026-04-01 03:36:50
分类: 教育/科学 >> 科学技术
问题描述:
各位大虾，近日小弟遇到电容的读数 颇感困惑,请各位大虾们知道一二
最好是有实物的比较,也比较适合我记忆啊啊 谢谢
解析:
1、完整标记法 ，例 电解电容
2、数码标记法，一般为3位，前两位为电容的有效数字，第三位是10^
单位统一为PF 例瓷片电容
3、数值简记法
凡是整数部分有效数字的，电容的单位统一为PF
凡是整数部分没有效数字的，电容的单位统一为UF 例 涤纶薄膜电容
4、整数标记法
统一用PF做单位
辅助单位为 p n m g
10^3 10^6 10^9
紧张的眼睛
2026-04-01 03:36:50
村田MURATA 0805 0603 0201 1206 0402 等
村田，国巨，太阳诱电，TDK，华新
而我是专业收这些散料统料原包料《MBS1689》
贴片电容规格：
2、容抗：
电容对交流电呈现出的一各特殊的阻碍作用为容抗，频率与容抗成反比，频率越高容抗越小，因此电容具有通高频阴低频的特性。当频率一定时，容量与容抗成反比，容量越大容抗越小，容量越小容抗越大。当频率为0时，即直流电容容抗为无穷大。 四、 电容标称方法：
电容的第一种标称方法为直标法： 如果标称为整数且无单位则读作“pF”；如标称为小数且无单位读作“uF”；如标称三位数且无单位，第一二位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进口电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R3”，“R”为小数点，表示“33pF”；标称为“047k、22J”，表示“047uF、22uF”，“k、J”是误 差值；第二种为色标法，与电阻的色标法相同。第三种特殊标称：“109J、219k、379k”等，带9的“10-1”。
五、电容的特性：
通高频，阻低频；通交流，阻直流 (参照容抗)六、电容的作用：
滤波、耦合、储能
1、滤波电容：
并接在电路正负极之间，利用电容通交隔直的特性，将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。
2、耦合电容：
连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通过，使相邻的放大器直流工作点互不景响。
3、退耦电容：
并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。
4、旁路电容：
并接在电阻两端，为交直流信号中的交流设置一条能路，避免交流成分在通过电阻时产生压降。
5、自举升压电容：
利用礤储能来提升电路某点的电位，使其电位值高于为该点供电的电源电压。
6、稳频电容：
在振荡电路中用来稳定振荡频率。
7、定时电容：
在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短。
8、软启动电容：
通常接在电源开关管的基极，防止开机时加在开关管基极的浪涌电流或电压太大而损坏的开关管。
七、电容的测量及好坏判断
1、电容测量
将万用表打到蜂鸣二极管档，把表笔放在两引脚上，应当看到数值在为断变大，当达到无穷大时，将两表笔反接，此时数值应当从负数迅速变为无穷大。这个过程是电容的充放电过程。
2、好坏判断
电解电容损坏后外观上表现为鼓包、漏液、变形等。用万表测量没有放电过程或放电过程很短，跳变动做比较缓慢甚至不能跳变到无穷大，则表明电容漏液或性能不良；如果万用表读数一直为零，则表示电容短路。对于贴片电容，在主板上测量很难判断好坏，只能摘下来测量，测量时电容两站应为无穷大。
容量：01PF - 100000000PF
1UF=1000NF=1000000PF
3位数的容量数值表示法：比如104最后一位的数字4代表前面两位数10后面有4个0，
104=100000PF 470=47PF 225=2200000PF 107=100000000PF
体积：0201 0402 0603 0805 1206 1210 1812 2220
误差：±01PF(B档)±025PF(C档) ±05PF(D档) ±1%(F档)
±5%(J档) ±10%(K档) ±20%(M档) +80%-20%(Z档)
B、C、D级误差适用于容量≤10pF的产品
材质：COG (NPO) X5R X7R Y5V Z5U 等等
电压：4V 63V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V
500V 630V 1000V 2000V 3000V 5000V
品牌：TDK muRata村田 FH风华 SAMSUNG三星 YAGEO国巨 WALSIN华新
HEC禾伸堂 AVX&Kyocera京瓷 TAIYO太诱 CCT辰远 UTC等等 应用于LED恒流电源
LED电源专用高电压和高容量陶瓷贴片电容：
1206 102/222/332/472/103 1KV X7R（替代插件瓷片电容）
1206 105 50V X7R（替代插件铝电解电容）
1206 225 50V X7R（替代插件铝电解电容）
1206 475 50V X7R（替代插件铝电解电容）
1206 106 25V X7R（替代插件铝电解电容或钽电容）
1206 106 50V X7R（替代插件铝电解电容或钽电容）
1206 226 25V X5R（替代插件铝电解电容）
1210 106 50V X7R （替代插件铝电解电容或钽电容）
1210 226 25V X5R （替代插件铝电解电容或钽电容）
1812 104/224/334/474/564/684/824 450V（替代插件CBB电容阻容降压）
1812 105 250V X7R(替代插件铝电解或CBB电容)
1812 225 100V X7R(替代插件铝电解或CBB电容）
2220 105/225 450V X7T(替代插件铝电解或CBB电容）
2220 475 250V X7T(替代插件铝电解或CBB电容）
450V 104 X7T 1812封装
450V 224 X7T 1812封装
450V 334 X7T 1812封装
450V 474 X7T 1812封装
450V 564 X7T 1812封装
450V 684 X7T 1812封装
450V 824 X7T 1812封装
250V 105 X7R 1812封装
250V 475 X7T 2220封装
450V 105 X7T 2220封装
450V 225 X7T 2220封装
以上都为陶瓷X7T材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
LED电源EMI滤波专用高压贴片电容
主要规格有
1206 333630V
1210 3331KV
1206 473400V或450V或 630V-
1210 104400V或500V或630V
1210 224400V或450V
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%
大功率路灯电源专用中高压陶瓷贴片电容
C4532X7R2A225KT-1812 100V 22UF+-10%
C4532X7R2E105KT-1812 250V 1UF+-10%
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%
高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 耐压；125度。
1KV NP0 101 221 331 471 102。。1206尺寸
3KV 100P NP0 1808/1812尺寸
3KV 22I NP0 1808或1812尺寸
3KV 471 NP0 1812尺寸
2KV 821 NP0 1812尺寸
2KV 102 NP0 1812尺寸
100V 474 X7R 1206尺寸
100V 684K X7R 1206尺寸
HID安定器 常用高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/50V 1210封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%
网络交换机 常用中高压贴片电容 ：
500V 103 1206封装
500V 123 1206封装
500V 153 1206封装
500V 223 1206封装
500V 333 1206封装
250V 124 1210封装
100V 334 1210封装
100V 222 1206封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于25%
模块电源 常用大容量贴片电容和高压贴片电容
100V 1U 1812封装
100V 22U 1812封装
50V 47U 1812封装
25V 10U 1812封装
25V 22U 1812封装
10V 47U 1812封装
63V 100U 1812封装
50V 10U 2220封装
2KV 102 1812封装
2KV 332 1812封装
2KV 103 1812封装
630V 104 1812封装
630V 224 2220封装
250V 1U 2220封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于25%
开关电源常用高压贴片电容和大容量贴片电容 ：
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/16V 1206封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%
LED阻容降压用高压贴片电容（代替插件CBB）110v电路专用
250V 224 1812封装
250V 334 1812封装
250V 474 1812封装
250V 684 1812封装
250V 105 1812封装
500V 224 1812封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积
模块电源常用大容量贴片电容和高压贴片电容
100V 1U 1812封装
100V 22U 1812封装
50V 47U 1812封装
25V 10U 1812封装
25V 22U 1812封装
10V 47U 1812封装
63V 100U 1812封装
50V 10U 2220封装
2KV 102 1812封装
2KV 332 1812封装
2KV 103 1812封装
630V 104 1812封装
630V 224 2220封装
250V 1U 2220封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于25%
可代替传统插件瓷片和钽电容以及铝电解缩小体积
更多规格欢迎查询和索样
开关电源 常用高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 100p 1206封装
1KV 221 1206封装
1KV 102 1206封装
1KV 222 1206封装
1KV 472 1206封装
1KV 103 1206封装
630V 104 1812封装
10U/25V 1210封装
10U/16V 1206封装
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积
更多规格欢迎查询和索样~
网络交换机常用高压贴片电容
500V 103 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
500V 123 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
500V 153 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
500V 223 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
500V 333 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
250V 124 1210封装网络交换机常用高压贴片电容
100V 334 1210封装网络交换机常用高压贴片电容
100V 222 1206封装网络交换机常用高压贴片电容
HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 100p 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 221 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 102 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 222 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 472 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
1KV 103 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容
630V 104 1812封装高压贴片电容和大容量贴片电容
10U/25V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容
10U/50V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容
以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。
损耗（DF）小于2。5%
可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积
更多规格欢迎查询和索样~
LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用)
规格主要有:
LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
100v/22u 1812封装（大功率路灯专用LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
）
102/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
222/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
472/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
103/1KV 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
22u/100V 1812封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
473/250V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
473/630V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
10u/16V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
10u/25V 1210封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
22u/10V 1206封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
22U/16V 1210封装LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容
节能灯
高压陶瓷贴片电容-代替插件瓷片和薄膜电容缩小体积(节能灯专用)
规格主要有:
223/100V 1206封装
102/1KV 1206封装
152/1KV 1206封装
332/1KV 1206封装
222/1KV 1206封装
250V/473 1206封装
400V/104 1210封装
1206 100V 104K
1206 1KV 103K
1206 1KV 472K
1206 1KV 222K
1206 1KV 332K
1206 250V 104K
1206 250V 473K
1206 50V 106K
1206 50V 475K
1812 100V 225K
1210 100V 225K
1812 630V 104K
1812 250V 474K
1210 500V 104K
漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些；电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机，漏电会引起计算机重启
