C1与C1(加上元件引脚的输入电容)组成谐振电路的负载电容，C1,C1一般取22pF～30pF。
独石电容广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
容量范围：10pF~10μF，单片机晶振负载电容可以用独石电容，
我使用的STAR-MA280 单片机开发板的晶振电容就是30pF独石电容。
MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示。图2中各部分的物理意义为：（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻。（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容，它的值是由结构所固定的。（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容。C2是电介质电容，共值是固定的。而C4是由源极到漏极的耗尽区的大小决定，并随栅极电压的大小而改变。当栅极电压从0升到开启电压UGS（th）时，C4使整个栅源电容增加10%～15%。（4）C3+C5是由一个固定大小的电介质电容和一个可变电容构成，当漏极电压改变极性时，其可变电容值变得相当大。（5）C6是随漏极电压变换的漏源电容。
