压电陶瓷片电容的计算公式怎么计算

去耦陶瓷电容的容值计算使用表达式：

C·⊿U=I·⊿t

由此可计算出一个IC所要求的去耦电容的电容量C。⊿U是实际电源总线电压所允许的降低，单位为V。

I是以A（安培）为单位的最大要求电流；

⊿t是这个要求所维持的时间。

瓷片电容104是0.1uF。

计算方法如下：

104电容，前面的两位数字，表示有效值，后面的4表示10的幂，

那么104电容值为10x10^4pF=10^5pF=10^(-7)F=0.1uF

扩展资料：

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1、类电介质(NP0,C0G)；

2、类电介质(X7R,2X1)；

3、类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

表示方法：

瓷片电容： 多数在1μF以下，

①直接用数字表示。如： 10、22、0.047、0.1 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。

②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：

前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。

如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0.047μF ，

“ 103”即（10+000）pF=10000PF=0.01μF等等， 这种表示法已经相当普遍。

去耦陶瓷电容的去耦时间、稳压电源以及去耦电容是构成电源系统的两个重要部分

对于现在芯片的速度越来越快，尤其对于高速处理芯片，负载芯片的电流需求变化也是非常快

例如处理芯片内部有2000个晶体管同时发生状态翻转，转换时间是1ns，总电流需求为600mA

这就意味着电源系统须再1ns时间内补足600mA瞬态电流

但是，对于目前的稳压源系统来说，在这么短的时间内并不能反应过来，相对于快速变化的电流，稳压源明显滞后了

这样的后果是负载还在等待电流，稳压源却无法及时提供电流，总功率一定下来，电流增大了，于是电压就会被拉下来，造成了轨道塌陷，因此噪声就产生了

那么这个问题的解决方法是并联不同容值的去耦陶瓷电容

因为，稳压源需要10us才能反应过来，所以在0-10us的时间里也不能干等着，需要用恰当的陶瓷电容来补充

比如按照50mohm的目标阻抗，可以计算出电容：C=1/(2*PI*f*Z)=31.831uf，而电容的高频率同时可以计算出来，假设ESL为5nH,所以有f=Z/(2*PI*ESL)=1.6MHz

也就是说加入31.831uf的陶瓷电容，可以提供100KHz到1.6MHz频段的去耦

另外，1/1.6MHz=0.625us，这样一来，0.625us到10us这段时间电容能够提供所需要的电流

10us之后，稳压源能够提高需要的稳定电流

另外，一个大的陶瓷电容并不能满足要求，通常还会放一些小电容，例如15个0.22uf的电容，可以提供高至100MHz的去耦，这些小电容的快反应时间是1/100MHz=1ns，因此，这些电流能够保证1us之后的电流需求

考虑到反应时间可能还不太够，一般需要将退耦频率提高到500MHz，也就是反应时间快到200ps