瓷片电容2E223k是多少

103是10nF，K表示精度±10%

4n7是4.7nF

223是22nF，J表示精度±5%

104是100nF

109是10000μF

224是220nF，K表示精度±10%

68表示68pF

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)

其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：1F=10^6uF=10^12pF1F＝1000000µF1m=1000μF1P=1pF（如470P=470pF）1P2=1.2PF1n=1000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法

三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF

如：102表示标称容量为10×(10^2)pF=1000pF=0.001µF；103表示标称容量为10×(10^3)pF=10000pF=0.01µF；104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF=0.1µF；105表示标称容量为10×(10^5)pF=1000000pF=1µF；470表示标称容量为47pF；223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）；224表示标称容量为(22×(10^4))pF（即220000pF）=0.22uF安规电容和高压陶瓷电容容量误差用符号F、G、J、K、L、M来表示，允许误差分别对应为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%、±20%

也可以称为22n 或22000PF。

电容的基本单位换算：

1F＝1000000μF

1 μF=1000nF

1nF=1000pF

2A，即为1.0*10^2=100V（耐压）

223容量223表示22*10^3=22000pf=0.022uF；最后的字母表示精度，比如J表示容量允许偏差为±5％等等

用两片金属箔做电极，夹在极薄绝缘介质中，卷成圆柱形或者扁柱形芯子，介质是涤纶。涤纶薄膜电容， 涤纶电容介电常数较高，体积小，容量大，稳定性较好，适宜做旁路电容。突出优点：薄膜电容的精度、损耗角、绝缘电阻、温度特性、可靠性及适应环境等指标都优于电解电容，瓷片电容两种电容。突出缺点：容量价格比及容量体积比都大于以上两种电容。用途：在各种直流或中低频脉动电路中使用。适宜作为旁路电容使用。