贴片电容选用一般规则有哪些？
MLCC(片状多层陶瓷电容)现在已经成为了电子电路最常用的元件之一.MLCC表面看来,非常简单,可是,很多情况下,设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方.以下谈谈MLCC选择及应用上的一些问题和注意事项.
1、MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件.失效率高,一方面是MLCC结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题.
由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解.在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了.但是对于MLCC,仅仅考虑这两个参数是远远不够的.
2、对于入门不久的设计工程师,对元件规格的数序(E12、E24等)没概念,会给出0.5uF之类的不存在的规格出来.即使是有经验的工程师,对于规格的压缩也没概念.比如说,在滤波电路上,原来有人用到了3.3uF的电容,他的电路也能用3.3uF的电容,但他有可能偏偏选了一个没人用过的4.7uF或2.2uF的电容规格.不看厂家选型手册选型的人,还会犯下面这种错误,比如选了一个0603/X7R/470pF/16V的电容,而事实上一般厂家0603/X7R/470pF的电容只生产50V及其以上的电压而不生产16V之类的电压了.
3、另外注意片状电容的封装有两种表示方法,一种是英制表示法,一种是公制表示法.美国的厂家用英制的,日本厂家基本上都用公制的,而国产的厂家有用英制的也有用公制的.一个公司所用到的电容封装,只能统一用一种制式来表示,不能这个工程师用英制那个工程师用公制.否则会搞混乱
4、另外,设计工程师除了要了解MLCC的温度性能外,还应该了解更多的性能.比如Y5V介质的电容,虽然容量很大,但是,这种铁电陶瓷有一个缺点,在就是其静态容量随其直流偏置工作电压的增大而减少,最大甚至会下降70%.比如一个Y5V/50V/10uF的电容,在50V的直流电压下,其容量可能只有3uF!
5、不同的材质的频率特性也不同.设计师必须了解不同材质的不同频率特性.比如C0G(又称高频热补偿型介质)的高频特性好,X7R的次之,Y5V的差.在做平滑(电源滤波)用途时,要求容量尽量大,所以可用Y5V电容,也就是说,Y5V电容可以取代电解电容.
6、一般说MLCC的ESL(等效串联电感)、ESR(等效串联电阻)小,是相对于电解电容(包括钽电解电容)而言的.事实上,高频时,MLCC的ESL、ESR不可以忽略.一般C0G电容的谐振点能达上百MHz,一般X7R电容的谐振点能达几十MHz,而Y5V电容的谐振点仅仅是数MHz甚至不到1MHz.谐振点意味着,超过了这个频率,电容已经不是电容特性了,而是电感特性了.如果想使MLCC用于更高频率,比如微波,那么,就必须用专门的微波材料和工艺制造的MLCC.微波电容要求ESL、ESR必须更小.
简单说一下吧，先看懂电容手册
首先。要确定你要用的电容的数值，比如耐压，容量。
你实际使用直流电压的1.2倍不能超过额定耐压
容量根据电流计算，一般低压部分1A=1000uF，高压开关电源的话，400V电容一般1W=1uF。这是经验值，可以略低一些。
开关电源的输出，以及数字电路的旁路，请选用高频低阻抗品。
容量低于4.7UF，请选用薄膜类电容
还有就是看体积，以及产品的使用耐温情况来选定电容的型号了
还有就是看品牌，这展开就太宽泛了，以后再讲。
可以看看手册，里面有很多有意思的东西
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。
2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。
3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。
至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。
通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容。
一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF，尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。
钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。
