请问两个瓷片电容上的“E“和”F”表示什么，103M和222M又是什么意思

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

表示方法：

瓷片电容： 多数在1μF以下，

①直接用数字表示。如： 10、22、0.047、0.1 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。

②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：

前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。

如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0.047μF ，

“ 103”即（10+000）pF=10000PF=0.01μF等等， 这种表示法已经相当普遍。

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

106即为电容量，瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。

uf是实际工作中常用的电容量单位，电容量之间的换算关系为：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。

扩展资料：

电容的其他参数：

1、额定电压，为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。

2、绝缘电阻。直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。

3、损耗。电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。

4、频率特性。随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。

参考资料来源：百度百科-电容器

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V；

2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；

字母表示法：

1m=1000μF

1P=1pF（如470P=470pF）

1P2=1.2PF

1n=1000PF；

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：

102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；

104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；

470表示标称容量为47pF；

223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。

电容（电容器）,（Capacitor）电路缩写为C,电容单位法拉,用字母“F”表示.电容是用来储存电荷的容器,简称电容器.电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时.

电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的.金属板也叫电容极板.按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种.

1． 常用电容的结构和特点

常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等.

其在电路中的符号表示：

作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等.

存储电荷:平时我们照相机的闪光灯,就是*电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来

滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用

电容的种类有很多,可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等.使用电容还有一个指标,那就用多大的容量,这就涉及到额定值读数了.电解电容很容易读数,直接在上面看厂商标出容量和负极性,工作环境,最高工作电压值.瓷片电容就比较难一点.小于100P会标出多少P.当标值为474时.首先知道第一、二位是有效数值,如上例中的47,第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ,如上例中的4.那么474表示47×10000=470000PF.

电容的单位法拉（F）,法拉这个单位很大很大.我们很少用到,常用的是微法(UF)、皮法（pF）.它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF.上面所提到的474就等于0.47uF.

二、电容器检测的一般方法

1.固定电容器的检测.

A检测10pF以下的小电容 .因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象.测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大.若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿.

B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏.万用表选用R×1k挡.两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小.可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管.万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接.由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察.应注意的是：在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动.C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量.

2.电解电容器的检测

A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程.根据经验,一般情况下,47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量.

B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置.此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻.实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作.在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用.

C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别.即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值.两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极.

D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量.

3.可变电容器的检测

A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象.将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象.

B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象.转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的.

C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动.在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象.

第一个223是三位数标示法，前两位是参数，第三位是倍数，基本单位是PF，所以这个电容就是22000PF=22nF=0.022uF。比方标有474，那就是470000pF=470nF

另一个21是直读法，就是21pF，比方标有6800，那就是6800pF