陶瓷电容的制作原理

电容：铝帛、铝带，介质为氧化铝，直接在铝带上生成。纸介电容、纸介油浸电容：铝帛，介质为电容器纸。瓷片电容：瓷片，两侧沉积金属膜，介质为瓷片。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。

用烧结的钽块作正极，电解质使用固体二氧化锰温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器，特别是漏电流极小，贮存性良好，寿命长，容量误差小，而且体积小，单位体积下能得到最大的电容电压乘积对脉动电流的耐受能力差，若损坏易呈短路状态超小型高可靠机件中。

作用

在直流电路中，电容器是相当于断路的。电容器是一种能够储藏电荷的元件，也是最常用的电子元件之一。 这得从电容器的结构上说起。最简单的电容器是由两端的极板和中间的绝缘电介质（包括空气）构成的。

通电后，极板带电，形成电压（电势差），但是由于中间的绝缘物质，所以整个电容器是不导电的。不过，这样的情况是在没有超过电容器的临界电压（击穿电压）的前提条件下的。

以上内容参考：百度百科-电容器

陶瓷电容器（ceramic capacitor；ceramic condenser ）又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。

高压陶瓷电容器

（一）概述

随着电子工业的高速发展，迫切要求开发击穿电压高、损耗小、体积小、可靠性高的高压陶瓷电容器。近20多年来，国内外研制成功的高压陶瓷电容器已经广泛应用于电力系统、激光电源、磁带录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、宇航、导弹、航海等方面。

高压陶瓷电容器的瓷料主要有钛酸钡基和钛酸锶基两大类。

钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压特性较好的优点，但也有电容变化率随介质温度升高、绝缘电阻下降等缺点。

钛酸锶晶体的居里温度为-250℃，在常温下为立方晶系钙钛矿结构，是顺电体，不存在自发极化现象，在高电压下钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化小，tgδ及电容变化率小，这些优点使其作为高压电容器介质是十分有利的。

（二）制造工艺要点

（1）原料要精选

影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。

（2）熔块的制备

熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。

（3）成型工艺

成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。

（4）烧成工艺

应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。

（5）包封

包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。

为提高陶瓷电容器的击穿电压，在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉，可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能，如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉，可使该电容器在直流电场下的；蕾穿电压提高1.4倍；在交流电场下的击穿电压提高1.3倍。 [2]

多层陶瓷电容器

多层陶瓷电容器（Multilayer Ceramic Capacitor，MLCC）是片式元件中应用最广泛的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品（尤其是便携式产品）的体积和重量，提高产品可靠性。顺应了IT产业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向，国家2010年远景目标纲要中明确提出将表面贴装元器件等新型元器件作为电子工业的发展重点。它不仅封装简单、密封性好，而且能有效地隔离异性电极。MLCC在电子线路中可以起到存储电荷、阻断直流、滤波、祸合、区分不同频率及使电路调谐等作用。在高频开关电源、计算机网络电源和移动通信设备中可部分取代有机薄膜电容器和电解电容器，并大大提高高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能。

1．小型化

对于便携式摄录机、手机等袖珍型电子产品，需要更加小型化的MLCC产品。另一方面，由于精密印刷电极和叠层工艺的进步，超小型MLCC产品也逐步面世和取得应用。以日本矩形MLCC的发展为例，外形尺寸已经从20世纪80年代前期的3216减小到现在的0603。国内企业生产的MLCC主流产品是0603型，已突破了0402型MLCC大规模生产的技术难关。0201型MLCC已研制出样品，产业化技术以及国内市场需求均处于发育成熟阶段，目前最小的020l型MLCC长边甚至不到500 μm。 [3]

2．低成本化——贱金属内电极MLCC

传统的MLCC由于采用昂贵的钯电极或钯银合金电极，其制造成本的70%被电极材料占去。包括高压MLCC在内的新一代MLCC，采用了便宜的贱金属材料镍、铜作电极，大大降低了MLCC的成本。但是贱金属内电极MLCC需要在较低的氧分压下烧结以保证电极材料的导电性，而过低的氧分压会带来介质瓷料的半导化倾向，不利于元件的绝缘性和可靠性。村田制作所先后开发出几种抗还原瓷料，在还原气氛下烧结，制成的电容器的可靠性可与原先使用贵金属电极的电容器相媲美，这类电容器一面世便很快进入市场。目前，贱金属化的Y5V组别电容器的销量已占该组别MLCC的一半左右，另外正在寻求扩大贱金属电极在其他组别电容器上的应用。

我国在这方面也有显著进展。清华大学与元器件厂商合作用化学方法制备高纯钛酸钡纳米粉（20～100 nm），通过受主掺杂和双稀土掺杂构建“核一壳”结构来提高材料高温抗还原性和实现温度稳定特性，研制出一系列具有自主知识产权的温度稳定型高性能纳米/亚微米晶抗还原钛酸钡瓷料，所研制的材料配方组成、制备方法具有独创性，材料综合性能居国际领先水平。其中高性能X7R（0302）贱金属内电极MLCC瓷料室温相对介电常数高达3 000，陶瓷晶粒尺寸小于300 nm，容温变化率小于±12%，介电损耗小于2.5×10-2，绝缘电阻率约为1013 Ω·cm。MLCC击穿场强大于70 MV/m。已制备出超薄层贱金属内电极MLCC产品，陶瓷介质单层厚度约为3 μm。

3．大容量化、高频化

一方面，伴随半导体器件低压驱动和低功耗化，集成电路的工作电压已由5 V降低到3 V和1.5 V；另一方面，电源小型化需要小型、大容量产品以替代体积大的铝电解电容器。为了满足这类低压大容量MLCC的开发与应用，在材料方面，已开发出相对介电常数比BaTiO3高1～2倍的弛豫类高介材料。在开发新产品过程中，同时发展了三种关键技术，即制取超薄生片粉料分散技术、改善生片成膜技术和内电极与陶瓷生片收缩率相匹配技术。最近日本的松下电子组件公司成功研制出电容量最大为100μF，最高耐压为25 V的大容量MLCC，该产品可用于液晶显示器（LCD）的电源线路。

通信产业的快速发展对元器件的频率要求越来越高。美国Vishay公司推出的Cer—F系列MLCC的高频特性可以与薄膜电容器相媲美，在高频段的某些应用中可以替代薄膜电容器。而我国高频、超高频MLCC产品与国外仍有一定的差距，主要原因是缺乏基础原料及其配方的研发力度。随着技术不断更新，现已不断涌现出了低失真率和冲击噪声小的产品、高频宽温长寿命产品、高安全性产品以及高可靠低成本产品。 [3]

陶瓷电容器介质

编辑

陶瓷材料具有优越的电学、力学、热学等性质，可用作电容器介质、电路基板及封装材料等。

陶瓷材料的微观结构

陶瓷材料是由氧化物或其他化合物制成坯体后，在接近熔融的温度下，经高温焙烧制得的材料。通常包括原料粉碎、浆料制备、坯件成型和高温烧结等重要过程。陶瓷是一个复杂的多晶多相系统，一般由结晶相、玻璃相、气相及相界交织而成，这些相的特征、组成、相对含量及其分布情况，决定着整个陶瓷的基本性质。

陶瓷中的晶相通常指那些大小不同、形状不一、取向随机的晶粒，晶粒的直径通常为几微米至几十微米。晶相可以同属一种化合物或一种晶系，也可以是不同化合物或不同晶系。陶声中若存在两种以上组成和结构互不相同的晶粒时，则称其为多晶相陶瓷，其中相对含量最多产品相称为主晶相，其他的称为副品相。其中主晶相的性能基本上决定了材料的性能，如相对f电常数、电导率、损耗及热膨胀系数等。所以，要获得性能良好的陶瓷，就必须选择适当的：晶相。此外，还应考虑晶粒的大小、均匀程度、晶粒取向、晶界形成及杂质分布等情况。

晶粒间界是指两个晶粒之间的过渡区，在这个过渡区内，品格结构的完整性或化学成分与晶粒体内有显著的区别。在晶粒间界上通常聚集着大量的位错、热缺陷与杂质缺陷，因而对陶瓷材料的力学性能和电学性能有重大影响。

气相一般分布于晶界、重结晶晶体内和玻璃相中，它是陶瓷组织结构中很难避免的一部分。其来源于烧成过程中各个晶粒之间不可能实现完全紧密的镶嵌，玻璃相也不可能完全填充各个晶粒的空隙；也可能是由于坯料烧结时释放出气体而形成的气孔。气相会严重地影响陶瓷材料的电学性能、力学性能和热学性能。一般希望陶瓷中气相的含量越少越好。

陶瓷的微观结构决定了材料的一系列力学性能和电学性能。一致的晶粒组成，微细晶粒的均匀分布及致密的烧结体，可使陶瓷的机械强度和介电性能达到预期的结果。

MLCC的结构主要包括三大部分：

陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。

陶瓷介质：主要是绝缘性能优良的氧化物材料如钛酸钡、钛酸锶等，它们是构成电容器的电气特性的基础。

内部电极：内部电极存在于每层陶瓷介质之间，起传导电流作用。

外层电极又分为外部电极、阻挡层和焊接层。外部电极主要为铜金属电极或银金属电极，与内部电极相连接，以便外接电源的输入。阻挡层主要成分为Ni镀层，起到热阻挡作用。焊接层主要为Sn镀层，提供可焊接性。

MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、且价格低及稳定性高等优点，适合于信息功能产品轻、薄、短、小的需求，从而被大量使用，是现代电子产品不可或缺的元件。那MLCC是如何被制造出来的呢？

1.配料

将陶瓷粉、粘合剂及溶剂和各种添加剂按一定比例经过一定时间的球磨或砂磨，形成均匀、稳定的瓷浆。瓷浆是个比较复杂的系统，一般由瓷粉、溶剂、分散剂、粘合剂、增塑剂、消泡剂等组成。

陶瓷粉作为最主要的材料决定了MLCC的基本特性。粘合剂是高分子树脂，作用是使陶瓷粉之间维持一定的距离并提供强度。溶剂是甲苯和乙醇按照一定比例混合而成。分散剂，是为了避免陶瓷粉表面静电作用易发生的粘连及团聚，保证瓷浆能形成稳定分散的悬浮液的一种表面活性剂。添加剂是用于调节陶瓷粉本身的电特性、满足制品信赖性方面的某些要求、保证烧结能够较好地进行的。

2.流延

将瓷浆通过流延机的浇注口，使其涂布在绕行的有机硅薄膜上，从而形成一层均匀的瓷浆薄层，再通过热风区（将瓷浆中绝大部分溶剂挥发），通过加热干燥方式，形成具有一定厚度、密度且均匀的薄膜（一般膜片的厚度在1um-20um之间）。

成型过程中流延挤出方式分为两种。On roll方式一般适用于厚膜，是缝口模头挤出方式，使后滚轴的中心对上模具的喷口处；Off roll方式一般用于薄膜，是模具喷出口在后滚轴中心线的上方，基材在没有接触后滚轴处被涂覆上浆料，这种方式也称气垫法或张网法。

成型干燥需要调整线速、温度、泵流量，将瓷浆中溶剂大部分挥发，使薄膜收缩、致密化，从而具有一定厚度、膜密度。

3.印刷

通过丝网版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，烘干后得到清晰、完整的介质膜片。

印刷类型分为四种：1.凸版印刷，在凸出部分蘸内电极浆料之后加压印刷。2.凹版印刷，在整个板上蘸内电极浆料之后只在凹进部分留内电极浆料进行印刷。3.平板印刷，利用水和油的排斥作用，版面蘸内电极浆料进行印刷。4.丝网印刷，通过丝网孔排出内电极浆后印刷。

丝网印刷与滚印/凹版印刷（Gravure printer）相比，设备工装成本低，内浆利用率高浪费少，电极图案渗边少，且丝网设计灵活，因此大多数厂家印刷方式类似SMT刷锡膏或者红胶工艺，通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，有些厂家则采用印刷机，让陶瓷薄膜通过浆料池，让金属浆料附着到陶瓷薄膜上。

4.叠层

叠层是MLCC制造过程的第四个步骤，它的作用是将印刷好的介质膜片一张一张按一定错位整齐叠合在一起使之形成厚度一致的巴块。印刷后，在叠层时膜片被切割剥离，叠层时底部和顶面还需要加上陶瓷膜保护片，以增加机械强度和提高绝缘性能。该道制程需要管控的是叠层时的温度、压力、时间，以及错位位置的对位管控和环境的洁净度等，所以也需要在无尘室里面完成。

5.层压

将印刷、叠层后的巴块通过均匀温度的静水均压的方式，使巴块中各叠层膜彼此紧密结合，以提高烧结后瓷体的致密性，使其更加紧密结合在一起的过程。该道制程压力、保压时间、温度是关键品质因数（CTQ），需要重点管控外，压力的均匀性非常重要，因此最好的方式是放在水中进行压着。一般需要切片抽测确认压着的均匀性、结合度等以保证品质。

层压主要流程：巴块装密封袋→进层压机→加压加温层压→冷却→拆袋

6.切割

将层压后的巴块按产品的设计要求，使用片式薄刀片按设计尺寸对巴块进行横向纵向切割，使其成为完全分离的独立芯片（电容器生坯）。

切割原理：刀片对巴块进行下切时，刀座推动刀片向下运动，刀锋接触巴块面部，刀座继续推动锋利的刀锋向下铡压，当刀锋在刀座及惯性的作用下到达切割胶PET基材表面时，刀座迅速向上提升，从而完成一次切割。

切割原理

7.排胶

排胶指的是，在对切割后陶瓷生坯进行热处理，排除粘合剂等有机物。镍电极MLCC的空气排胶温度大概是在250℃左右，具体温度与尺寸规格以及配方有关，氮气排胶的温度可以更高，约400℃-500℃。

排胶主要流程：装钵排片→进排胶炉排胶→出排胶炉

8.烧结

烧结可以使排胶后的芯片成为内电极完好，致密性好，尺寸合格，高机械强度和优良电性能的陶瓷体，可分为两个阶段：致密化阶段与再氧化阶段。

烧结过程是在气氛炉中进行，一般烧结温度在1100℃~1350℃之间。由于是高温烧结，为了防止氧化等，烧结炉里面需要填充氮气/氢气。烧结的关键就是炉膛内的温度与其均匀一致性，还有就是应在一个热动态平衡中进行，空气应充分流动，使瓷体的晶相生长均匀与致密。

烧结主要流程：摆放→烧结→出烧结→卸钵

9.倒角

倒角，也叫研磨。经过烧结成瓷的电容器本体棱角分明，不利于与外部电极的连接，所以需要进行研磨倒角处理。倒角工序是将电容与水和磨介装在倒角罐里，通过球磨、行星磨等方式运动，除去陶瓷芯片表面毛刺，使芯片表面光洁，同时也使端面内电极充分暴露。管控的重点是转速、时间、温度，检查的重点是外观尺寸、弧度、暴露率等参数。

倒角主要流程：配罐→倒角→清洗→出罐→烘干

10.封端

通过封端机，将端浆涂覆在经倒角处理后的芯片外露内部电极的两端上，将同侧内部电极连接起来形成外部电极。

封端主要流程：芯片植入→沾浆→烘干→导出

11.烧端

在高温750℃左右，氮气空气，且有时会在加湿条件下，使端电极浆料中的有机黏合剂充分燃烧，玻璃体熔融并浸润铜粉，使端头固化并与瓷体和内电极形成良好的连接。

12.电镀

指对烧端后的产品进行端头处理，其实质上就是电镀过程，即在含有镍和锡金属离子的电解质溶液中，将MLCC的端电极作为阴极，通过一定的低压直流电，分别不断在阴极沉积为一层镍和锡。

镍的作用：提高电容的抗热冲击性能，保护外部电极以及防止外部电极和Sn 形成合金状态。

锡的作用：提高电容的可焊性，使MLCC芯片在表面封装中能更好焊接在PCB板上。

13.测试

针对电容产品的容量、损耗、绝缘、耐压四个方面的性能，对产品进行100%测试和分选，将不良品剔除，同时按不同容量范围分选出来。

主要测试项目：容量、损耗、耐压和绝缘。

14.外观检查

针对电容产品的外观形貌进行检查，将形态不佳的产品剔除。

主要识别项目：外观缺陷、尺寸异常品

15.编带

编带工程是将测试后的MLCC芯片，编入载带，并按固定数量卷成一个胶盘。编带是为了方便SMT制程中大量高速的自动贴装生产，也可以防止运输等过程导致MLCC碰撞破裂等问题。同时，为了防止混料，一般在编带机上，会对每一片MLCC再次进行容量测试。

16.包装

包装是贴识别标签和运输前打包的过程，MLCC制造商编带后的产品标签，一般只带有厂商自己的信息，包装过程则会增加客户信息的标签和条码，以便于客户识别。

包装主要流程：料盘标签贴装—产品装入盒及盒标贴装—盒子装入箱及箱标贴装。

后道包装过程，一般采用自动化管理检查，扫描条码后自动和对，避免混料错料。

以上就是MLCC制造中的十几道重点流程，可以看出，MLCC的制作工艺非常复杂，技术含量高，机械化程度高，对工厂环境，设备水平和制造管理水平的要求都非常高，是典型的高端制造行业。定位于高端MLCC系列的微容科技，在罗定搭建了行业顶尖的MLCC工业园，其工厂洁净度标准、设备精密度和自动化都有着行业最高标准，并且全流程都以自动化扫描设定参数和制程进行管理，同时利用全行业资深人才，积极开发并快速量产超微型、高容量、车规、高频等重点高端MLCC系列，成为中国高端MLCC的引领者。

高压陶瓷电容一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压。高压陶瓷电容常规有2KV、3KV、4KV电压。常用于高压场合。最高的可达30KV的电压。

高压陶瓷电容，以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。外壳是陶瓷的，用来绝缘。陶瓷电容封装必须要用环氧树脂进行封装。

如果高压陶瓷电容不用环氧树脂封装，就会让陶瓷电容直接接触空气，这会直接影响到电容器的容量和容抗。陶瓷电容如果接触到空气，其容量就会变低，甚至使得高压陶瓷电容可能会从原本想生产的2000PF的高压陶瓷电容如果没有封装会变成几百PF的电容。另外如果陶瓷电容如果接触空气也会导致其容抗降低，而且随着电阻值和容量越来越小，将会导致陶瓷电容性能尽失。所以高压陶瓷电容生产过程必须要进行封装。以上元器件知识由JEC为您提供。

这几种是：Y5V，X5R，X7R，NPO(COG)

那么这些材质代表什么意思呢？第一位表示低温，第二位表示高温，第三位表示偏差

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%

X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%

X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%

NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小（什么是温漂？你上网查查），整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦，但容量一般做不大，几千个pF吧。

高压瓷片电容器，一个主要的特点就是体积小耐压高

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC50V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压

2KV、3KV电压很常见

常用于高压场合

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用

二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

瓷片电容器一般体积不大

另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵

其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路

三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成

数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)

字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法

如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF

如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF

瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF

钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F

(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9

电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负

电阻电容序列值电容容值系列

瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等，高压瓷片电容有哪些特点?瓷片电容规格有哪些呢，下面小编来向你介绍!一、高压瓷片电容高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器

高压瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压

2KV、3KV电压很常见

常用于高压场合

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用

二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

瓷片电容器一般体积不大

另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵

其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路

三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成

数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)

字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法

如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF

如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF

瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF

钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F

(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9

电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负

电阻电容序列值电容容值系列

简单的介绍了下瓷片电容，希望能让亲们重新了解高压瓷片电容，瓷谷电子专业制造瓷片电容，安规Y电容30载，为您的安全生活提供有力保障，好质量的瓷片电容请联系瓷谷电子，，24小时热线免费咨询