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瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器

通常用于高稳定震荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器

瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰

优点1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构作用MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用高高频电路中

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用

什么是瓷片电容？瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路的电容器及垫整电容器，按容量分为可调堦的可变电容器及和容量固定的固定电容器

瓷片电容按频率分为高频瓷片电容和低频瓷片电容

高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小（tgδ瓷片电容有什么特点呢？高频电容，容量小；频率高；损耗小；工作稳定

低频电容，体积小；容量大；耐电压高；价格低

瓷片电容的作用瓷片电容MLCC(1类)微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中

瓷片电容MLCC(2类)微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本

主要应用于中，低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用

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以上关于瓷片电容有什么特点知识来自东莞市瓷谷电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中瓷谷资讯中获取

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

常规的脚距和脚长是5*25，1kv产品分为蓝色和土黄色两种颜色，一般都是以蓝色为主色。

瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF。

瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类

为温度补偿类NPO电介质

这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类

为高介电常数类X7R电介质

由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类

为半导体类Y5V电介质

这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

独石电容比一般瓷介电容器大（10pF~10μF），且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点，因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。

特点

温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

独石电容除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，独石电容也以惊人的速度向前发展，每年以10[%]～15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在 2000亿支以上，70[%]出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。

I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。

II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。

CC1型圆片高频瓷介电容

适用于谐振回路及其他电路做温度补偿，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm 试验电压：200v

允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）温度系数：-150--- -1000PPM/C环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%

CT1型圆形瓷片低频电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472 （+-10%） 472-403（+80-- -20%）

CC01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p) 6-10p(+-1P) 10p以上（J,K,M）

温度系数：1—4P +120(+-60)PPM 4—56P –47(+-60)PPM

56—180P –750(+-250)PPM

180—390P –1300(+-250)PPM

430—820P –3300(+-500)PPM

CT01圆形瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达96% 大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm

允差：+80 -20%容量：1000-47000p

工作电压：63v 试验电压：200v CC10 超高频瓷介电容

可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 压力33mmhg 震动强度：加速度10g 冲击：加速度25g 离心：加速度15g

允差：k容量：1-47p工作电压：500v

CC11,CT11园片无引线瓷片电容

该电容特为高频头设计，频率特性好。

CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015 绝缘》10000mohm

CT11直流电压：160V标称容量：240—1500 绝缘》2500mohm

CT82,CC82高压高功率瓷片电容：

环境温度：-25—85C 相对湿度：+40C时达98%大气 压力40000PA 震动：加速度15g 冲击：加速度15g额定电压：1—4kv 试验电压：2.5—8kv允差：K,M

独石瓷介电容器：

CC4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v 试验电压：120v

CT4D独石瓷介电容器

环境温度：-55—85C 相对湿度：+40C时达98% 大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v 试验电压：3UW允差：+80-20%

CC2,CT2管形瓷介电容器

与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有谐振频率低，制造工艺复杂，产量低。

CT2 损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm 试验电压：480v

使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98% CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器

CC3损耗《0.0015 容量：33-1000P 允差：K,M 工作电压：100V

CCTD损耗《0.035 容量：470-33000P 允差：+80-20% 工作电压：250V

CCTF损耗《0.04 容量：10000-47000P 允差：+80-20% 工作电压：160V

CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容

该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。

CC52E-1C 容量：2-33P工作电压：63V 绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015

CC53-2C 容量：1000-1500P工作电压：160V 绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035

CT87鼓形高压低频瓷介电容器,该电容主要使用于电子设备的脉冲电路。CC87-1 容量：470P工作电压：10KV 绝缘电阻：10000mohm

CCG81型板形高功率瓷介电容：使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P 工作电压20KV(高频15KV) 额定无功功率：100KVA最大电流：25A 最大重量：1.3KG

102是容量，K是属性级别，1KV是电压，具体规格是Y5P-102K/KV 常规的脚距和脚长是5*25，1KV产品分为蓝色和土黄色两种颜色，一般都是以蓝色为主色。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

扩展资料：

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

外壳是陶瓷的，用来绝缘

高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压

高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压

常用于高压场合

最高的可达30KV的电压

在瓷片电容器中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压

安规Y电容也是属于高压瓷片电容

瓷片电容有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

高压瓷片电容器一般体积不大

另外，瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态

高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点

近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压瓷片电容的发展有长足的进展，并取得广泛应用

高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一

2、无极性可变电容；制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小；用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射/接收电路

3、无极性无感CBB电容；制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：无感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，音响，模拟/数字电路，高频电源滤波/退耦

4、无极性CBB电容；制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。；优点：有感，高频特性好，体积较小；缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。；用途：耦合/震荡，模拟/数字电路，电源滤波/退耦

5、无极性瓷片电容；制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。；优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）；缺点：易碎，容量低；用途：高频震荡、谐振、退耦、音响

6、无极性云母电容；制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜；优点：容易生产，技术含量低。；缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感；用途：模拟/数字电路信号旁路/滤波，音响

7、有极性电解电容；制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。；优点：容量大。；缺点：高频特性不好。；用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响

8、钽电容；制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。；优点：稳定性好，容量大，高频特性好。；缺点：造价高。；用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路

9、聚酯（涤纶）电容；符号：CL；电容量：40p--4u；额定电压：63--630V；主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差；应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路

10、聚苯乙烯电容；符号：CB；电容量：10p--1u；额定电压：100V--30KV；主要特点：稳定，低损耗，体积较大；应用：对稳定性和损耗要求较高的电路

11、聚丙烯电容；符号：CBB；电容量：1000p--10u；额定电压：63--2000V；主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差；应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路

12、云母电容；符号：CY；电容量：10p--0。1u；额定电压：100V--7kV；主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小；应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路

13、高频瓷介电容；符号：CC；电容量：1--6800p；额定电压：63--500V；主要特点：高频损耗小，稳定性好；应用：高频电路

14、低频瓷介电容；符号：CT；电容量：10p--4。7u；额定电压：50V--100V；主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差；应用：要求不高的低频电路

15、玻璃釉电容；符号：CI；电容量：10p--0。1u；额定电压：63--400V；主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）；应用：脉冲、耦合、旁路等电路

16、铝电解电容；符号：CD；电容量：0。47--10000u；额定电压：6。3--450V；主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大；应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等

17、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）；电容量：0。1--1000u；额定电压：6。3--125V；主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容；应用：在要求高的电路中代替铝电解电容

18、空气介质可变电容器 ；可变电容量：100--1500p；主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式 等；应用：电子仪器，广播电视设备等

19、薄膜介质可变电容器 ；可变电容量：15--550p；主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大；应用：通讯，广播接收机等

20、薄膜介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：1--29p；主要特点：损耗较大，体积小；应用：收录机，电子仪器等电路作电路补偿

21、陶瓷介质微调电容器 ；符号： 可变电容量：0。3--22p；主要特点：损耗较小，体积较小；应用：精密调谐的高频振荡回路