请问瓷片电容的读数方法是怎么样的，谁告诉我

前两位,是有效数字,10就是10,68就是68.

后面一位代表倍率,后面的0的个数

单位为P法,

如103

就是10,000PF

0.01微法

104就是100,000PF

0.1微法

105就是1微法

电容值的单位分别是：F(发）， PF（皮发）， UF（微发）。

电容（或电容量， Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F），电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。

电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板，也是电容器的俗称。

电容是指容纳电场的能力，任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的；一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

例如：332就表示3300PF电容 223就是22000PF电容

额定电压用一数字一字母表示2E=2.5*100=250V

前面数字表示10的几次方1=10 2=100 3=1000

常用字母有A 1.0 B1.25 C1.6 D2.0 E2.5 F3 G4 H5 J6.3 K8

例如1A=1.0*10=10V1C=1.6*10=16V 1E=2.5*10=25V 1H=5.0*10=50V

最后一个字母表示的是精度一般有字母：B+/-0.1PF C+/-0.25PF D+/-0.5PF

F+/-1PF J+/-5% K+/-10% M+/-20% Z+80%/-20% P+100%/-0%

够详细了吧。记得给我好评加分啊！

如22P电容就是220 104=0.1uf 225=2.2uf 334=0.33uf 222=0.22nf

慢慢研究，拜托给点悬赏吧！！！！

电容（电容器），（Capacitor）电路缩写为C，电容单位法拉，用字母“F”表示。电容是用来储存电荷的容器，简称电容器。电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。

电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的。金属板也叫电容极板。按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种。

1． 常用电容的结构和特点

常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。

其在电路中的符号表示：

作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等。

存储电荷: 平时我们照相机的闪光灯，就是*电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来

滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用

电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。使用电容还有一个指标，那就用多大的容量，这就涉及到额定值读数了。电解电容很容易读数，直接在上面看厂商标出容量和负极性，工作环境，最高工作电压值。瓷片电容就比较难一点。小于100P会标出多少P。当标值为474时。首先知道第一、二位是有效数值，如上例中的47，第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ，如上例中的4。那么474表示47×10000=470000PF。

自己举一反三。聪明的你读数应该没有问题了。

电容的单位法拉（F），法拉这个单位很大很大。我们很少用到，常用的是微法(UF)、皮法（pF）。它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF。上面所提到的474就等于0.47uF。

二、电容器检测的一般方法

1.固定电容器的检测.

A�检测10pF以下的小电容 。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

B�检测10PF～0�01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C�对于0�01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

2.电解电容器的检测

A�因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。

B�将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。

C�对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。

D�使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。

3.可变电容器的检测

A�用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。

B�用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。

C�将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。

第一个223是三位数标示法，前两位是参数，第三位是倍数，基本单位是PF，所以这个电容就是22000PF=22nF=0.022uF。比方标有474，那就是470000pF=470nF

另一个21是直读法，就是21pF，比方标有6800，那就是6800pF

瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)

1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；

2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；

字母表示法：

1m=1000μF

1P=1pF（如470P=470pF）

1P2=1.2PF

1n=1000PF；

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：

102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；

104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；

470表示标称容量为47pF；

223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

3、对于001μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

参考资料来源：中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏