瓷片电容技术参数有哪些？
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
简单计时电路需要以下东西：
1、AT89S51一片+40P DIP插座1个+12M晶振1个+30pF瓷片电容2个+10uF16V电解电容1个（上电复位电容）+10K 1/8W电阻1个（上电复位电阻）+0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；
2、LCD1602液晶显示模块1个（另16针排针）+1.5K 1/8W电阻1个（LCD对比度设定电阻）+10K1/8W上拉排电阻1个（9脚）+0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；
3、6x6mm按钮（设置时间、功能等，至少3个）；
4、如果需要闹钟或发声，还需要：蜂鸣器1个（有源或无源，5V），三极管2SC9012一个，基极电阻4.7K 1/8W一个，如果需要LED显示电源和报警，还需要3mmLED 2个，510欧姆1/8W电阻2个；
5、如果要保持实时时钟，再需要DS1302一片（8P DIP插座一个），晶振32768Hz一个，CR2032电池及其电池座一个，10K1/8W上拉电阻2个，0.1uF瓷片电容1个（退耦电容）；
6、5V直流电源一套，或一个USB插座+USB双头线。另外要有一个下载线（并口或串口或USB的均可）进行程序下载。还有，多用电路板一块。
可以到网上找一下相关资料学习一下制作的基本过程和程序设计知识。
51单片机晶振电路的两个瓷片电容是20～33PF 。
51单片机最小系统：
1、时钟电路51 单片机上的时钟管脚：XTAL1（19 脚） ：芯片内部振荡电路输入端。XTAL2（18 脚） ：芯片内部振荡电路输出端。
2、复位电路在单片机系统中，复位电路是非常关键的，当程序跑飞（运行不正常）或死机（停止运行）时，就需要进行复位。MCS-5l 系列单片机的复位引脚RST（ 第9 管脚） 出现2个机器周期以上的高电平时，单片机就执行复位操作。如果RST 持续为高电平，单片机就处于循环复位状态。
3、EA/VPP（31 脚） 的功能和接法51 单片机的EA/VPP（31 脚） 是内部和外部程序存储器的选择管脚。当EA 保持高电平时，单片机访问内部程序存储器；当EA 保持低电平时，则不管是否有内部程序存储器，只访问外部存储器。
其实，这个电容，都是从第一本单片机书那抄过来的，多少年了，就没变过。
但是，事实上，时钟电路所配的电容真是可有可无的，干脆不用了，时钟电路照常工作，这都是实际做出来的。比那些书本要有说服力吧，可就是没有一本这么写。更没有一本书介绍怎么计算出来的，因为，可有可无的东西还用计算吗？
现在，STC单片机，把外部晶振都省了，可以用内部 IRC时钟电路了，而且频率一样精确，你说还用计算吗，外部什么都不用啦，你还计算什么？不要什么东西都靠计算，这不是数学。
106即为电容量，瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。
uf是实际工作中常用的电容量单位，电容量之间的换算关系为：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。
扩展资料：
电容的其他参数：
1、额定电压，为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。
2、绝缘电阻。直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。
3、损耗。电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。
4、频率特性。随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。
参考资料来源：百度百科-电容器
坏了还是用220PF的瓷片代替为好，用其他数值会改变电路参数 ，影响电路工作状态
