22pf瓷片电容标号多少

0.22uF的瓷片电容标示如下：

瓷片电容上的数字表示的是此电容的皮法数，100PF以下的电容用实有数表示，如30PF 39PF。100PF以上的瓷片电容用三位数表示，如104就是10后面加4个0等于100000PF又等于0.1UF，473就是47后面加3个0等于47000PF又等于0.047UF。

瓷片电容222M/2kv表示22*10^2pf=2200pf=2.2nf，耐压2千伏，最大容量误差为20%。

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V，容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法(nF)，1纳法=1000皮法(pF)。

扩展资料：

陶瓷电容有二个端子的非极性元件，早期最常使用陶瓷电容是碟型电容器，比晶体管问世的时间要早，在1930年代到1950年代就应用在许多的真空管设备（如广播接收器）中，后来陶瓷电容也广泛使用在晶体管设备中。至2007年止，由于陶瓷电容相较于其他低容值电容的高容量及低成本优势，陶瓷电容仍广泛使用在各种电子设备中。

EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class1的非温度补偿型电容，第一个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限，第三个字对应在温度范围内的电容值变动。

陶瓷电容的电感性较其他主要电容器（薄膜电容或电解电容）要低，因此适用于高频的应用，一般可以到达数百MHz，若在电路上进行微调，甚至可以到达1GHz。若希望达到更高自共振频率，需要使用更昂贵及少见的电容，例如玻璃电容或云母电容。

参考资料来源：百度百科——瓷片电容

参考资料来源：百度百科——电容值

一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。

如：102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=0.22 uF

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

3、对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源：百度百科- 瓷片电容

参考资料来源：中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏

如22P电容就是220 104=0.1uf 225=2.2uf 334=0.33uf 222=0.22nf

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