瓷片电容技术参数有哪些？
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
106即为电容量，瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。
uf是实际工作中常用的电容量单位，电容量之间的换算关系为：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。
扩展资料：
电容的其他参数：
1、额定电压，为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。
2、绝缘电阻。直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。
3、损耗。电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。
4、频率特性。随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。
参考资料来源：百度百科-电容器
表示方法：
瓷片电容： 多数在1μF以下，
①直接用数字表示。如： 10、22、0.047、0.1 等等， 这里要注意的是单位。凡用整数表示的， 单位默认pF； 凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中， 分别是10P、22P、0.047μF、220μF 等。
②现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（ 单位默认pF） ：
前两个数字表示有效读数，第三个数字表示后面追加的“0”的个数。
如： “ 473”（即47加三个0）=47000pF=0.047μF ，
“ 103”即（10+000）pF=10000PF=0.01μF等等， 这种表示法已经相当普遍。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
2、瓷片电容104是多大uF。
3、瓷片电容104是多大容量。
4、瓷片电容104是多大苹果12怎样l录屏。
1.瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是100纳法（nF），采用的是数字表示法，三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
2.三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
